【課題】基板貼り合せ装置において、トッププレートおよび基板ホルダ等の外周部が輻射により放熱して冷えると、トッププレートおよび基板ホルダの中心部が凸形状となり、トッププレートと基板ホルダとの接触熱抵抗が変化して、外周部がより冷える不安定状態になる。
【解決手段】一対の基板ホルダを間に挟んで、一対の基板ホルダの間に重ね合せられた複数の基板を保持する一対のステージと、ステージにおいて基板ホルダを保持する領域を加熱または冷却するホルダ温度調整部と、基板ホルダよりも外周側を加熱または冷却する外周温度調整部とを備える温度調整装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】暗時リーク電流の発生を抑えた裏面照射型固体撮像素子を製造可能な、裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】素材ウェーハ１１を急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置２１に入れ、熱処理を行う（ＲＴＡ工程）。この急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理時に、ＲＴＡ装置２１の炉内雰囲気を、窒素を含むように、ガスＧを流入させるのが好ましい。こうした急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理は、例えば、１１５０〜１３５０℃の範囲で、１〜６０秒行えばよい。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】エンジニアを介することなく製造装置のトラブルを自動的に解消することが可能な半導体製造装置の管理方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】複数台の製造装置の中から半導体集積回路の不良発生原因となるトラブル装置を特定する。トラブル装置のＥＥＳデータを主成分分析し、正常状態とトラブル状態とを互いに区分する主成分空間を求める。主成分で表されたトラブル装置の内部状態の時間発展を規定する線形状態方程式を決定し、その可制御性を調べる。可制御性がある場合には、トラブル装置のＥＥＳデータを取得した後、主成分ベクトルとしての内部状態を算出し、当該内部状態が主成分空間内の正常状態を表す領域に属するか否かを判定する。正常状態を表す領域から逸脱している場合は、線形状態方程式に基づき、内部状態が正常状態に復帰するように入力を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で内部から外部へのエアリークを低減することにより、金属コンタミネーション等が作業空間内に飛散することを防止できる支持装置を提供する。
【解決手段】支持装置１は、ヒータープレート２とシャフト３とこれらを接合させた状態で機械的に固定する固定部材２２とを備える。ヒータープレート２は、ウエハ４を載置する面と、発熱抵抗体６とを有する。シャフト３は、ウエハ４を載置する面と対向する面において、ヒータープレート２と接合する。ヒータープレート２の接合面とシャフト３の接合面との間隙からのエアリークが０．０５ｓｃｃｍ以下となるように、ヒータープレート２の接合面とシャフト３の接合面とが表面処理されている。 （もっと読む）

【課題】８インチ径のＦＺウエハを用いる製造ラインで、投入ウエハの厚さを従来のものより薄くしても、ウエハの割れ欠けの頻度を従来と同様の程度に抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＦＺ法により形成される８インチ径用のＳｉ単結晶インゴット１００から、耐圧に必要な厚さ以上であって７００μｍ未満のＦＺウエハを切り出す工程、ＣＺ法により形成される８インチ径用のＳｉ結晶インゴット１００から、前記ＦＺウエハ１０３の厚さと合わせて７００μｍ以上となる厚さのＣＺウエハ１０６を切り出す工程、前記ＦＺウエハ１０３と前記ＣＺウエハ１０６を一方の主面で貼り合わせて貼り合わせウエハとする工程、前記貼り合わせウエハの前記ＦＺウエハの他方の面を研磨し鏡面化する工程、前記ＦＺウエハ１０３の鏡面化された他方の面に所要の半導体領域を形成する工程、前記ＣＺウエハ１０６の他方の面を削り落とす工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板を位置合わせして重ね合わせる場合に、面と面を接触させるときに互いの面の傾きが大きいと、その後実行される倣い動作において繰り返される試行動作の回数が増えてしまい、装置としてのスループットの低下を招いていた。
【解決手段】 基板重ね合わせ装置は、第１基板を保持する第１ステージと、第１基板に対向して配置される第２基板を保持する第２ステージと、第１ステージに保持された第１基板の接合面である第１接合面と、第２ステージに保持された第２基板の接合面である第２接合面の相対的な傾きを取得する取得部と、第１ステージおよび第２ステージの少なくとも一方を、取得部が取得した傾きに基づいて、第１接合面と第２接合面が互いに平行となるように駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板８上に、選択エッチング層３、応力緩和層９および応力緩和層９より大きいヤング率を有するIII−Ｖ族化合物半導体から成る化合物半導体層４をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Ｓｉ基板５の主面に化合物半導体層４の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４が積層された化合物半導体基板８を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層３をさらにエッチング除去することにより、Ｓｉ基板５と化合物半導体基板８とを分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的の一つは、薄膜素子群１１０を製造元基板１００から転写先基板２００に転写する際に、製造元基板１００が割れて仕舞う事を防止する事が出来る、薄膜素子群の転写方法を提供する事にある。
【解決手段】本発明の一態様としての薄膜素子群の転写方法は、薄膜素子群１１０が形成された製造元基板１００の周辺部１３０、及び転写先基板２００の周辺部２３０の少なくとも一方に撥水処理を行う表面処理工程と、製造元基板１００の製造元基板表面及び転写先基板２００の製造元基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤１５０を塗布する接着剤塗布工程と、製造元基板１００の製造元基板表面と転写先基板２００の転写先基板とを対向させて貼り合わせる基板配置工程と、接着剤硬化工程と、製造元基板１００を転写先基板２００から剥離させる事に依って、薄膜素子群１１０を転写先基板２００に転写する基板剥離工程と、を有する事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供すること。
【解決手段】ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する搬送スケジュールを作成する工程と、を実施する。 （もっと読む）