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国際特許分類[H01L21/02]の内容

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【課題】表面のP−V値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたSOI基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を200℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を100℃以上400℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いSi−H結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いSi−H結合を低減した。 (もっと読む)


【課題】接着剤を介して2枚の基板を押圧によって接合する際、接合後の基板の厚みを均一なものとする。
【解決手段】第1の保持部200に保持され、接着剤Gが塗布された被処理ウェハWに、第2の保持部201に保持された支持ウェハSを押圧部材251で押圧する。押圧部材251は、複数の押圧機構252を有している。各押圧機構252の押圧部252bは、ボールねじ機構によってモータMの回転によってなされる。押圧部252bの押圧度合いは、モータMの制御によって独立して制御されるので、接合後のウェハの厚みが所定の厚みとなるモータMの積算回転数を求めておくことで、各押圧機構252の押圧部252bによる押圧を等しくすることができ、これによって接合後のウェハの厚みを均一なものとすることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】支持基板と接合されたウェハに反りや歪みが生じることを抑制する。
【解決手段】被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する接合装置30は、内部を密閉可能な処理容器100と、接着剤を介して、被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合部113と、接合部113で接合された重合ウェハTを温度調節する重合基板温調部としての受渡アーム120とを有する。接合部113及び受渡アーム120は、処理容器100内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】化学機械的研磨の長い段階に頼らずに半導体基板上に半導体構造物を製造することを提案する。
【解決手段】本発明は、深さpのパターンを有する表面トポロジーを有する半導体基板上に半導体構造物を製造する方法であって、前記方法は、(a)前記表面に第1絶縁材料の第1層(24)を形成する段階と、(b)前記第1層上に前記第1絶縁材料より密度が低い第2絶縁材料(28)の第2層を形成する段階と、(c)前記段階(a)及び段階(b)によって形成された構造物を薄膜化する段階と、(d)前記段階(c)によって薄膜化された前記構造体の第2層を緻密化する段階と、(e)前記段階(d)によって緻密化された前記第2層を有する構造体を薄膜化する段階と、(f)第2基板を用いた組立段階と、を含む方法である。 (もっと読む)


【課題】設計データを用いた自動レシピ生成の方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】コンピュータが設計データに基づいて製造ツールのレシピを作成する。コンピュータは、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含む、設計データを取得する。コンピュータは、関心のある1つ又はそれ以上の基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの1つ又はそれ以上の組を生成する。コンピュータは、単純アレイセルの組を用いて、関心のあるレベルの座標において周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にする。周期的領域は、1つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される。 (もっと読む)


【課題】不純物イオンの注入による悪影響を防止しつつ水平方向の耐圧を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、素子を構成し、電流が流れる一対の不純物領域が、半導体基板の第1主面の表層に形成されたものであり、水平方向の耐圧を確保するため、フィールドプレート33を有している。これに加えて、この半導体装置は、半導体基板の表面から、素子の電流経路となる第1不純物領域37および第2不純物領域38よりも深い所定の深さおいて、少なくとも第1不純物領域および第2不純物領域の間の領域に半導体基板と同一成分の非晶質層24を有する。この非晶質層は、単結晶および多結晶よりも高抵抗の層であり、擬似的なフィールドプレートとして機能する。そして、この非晶質層は、不活性元素のイオン注入により形成される。 (もっと読む)


【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第1の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第2の開閉器と、を備える。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるSiC基板20を準備する工程と、SiC基板20の一方の主面20Bに面するように炭化珪素源10を配置する工程と、炭化珪素源10を加熱することにより、SiC基板20の一方の主面20Bに接触するように炭化珪素からなるベース層を形成する工程とを備え、ベース層を形成する工程では、窒素を含む雰囲気中において炭化珪素源10が加熱される。 (もっと読む)


【課題】曲率を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】元々曲率及び弾性を有する支持体に外力を加え、これを基板上に作成された被剥離層に接着する。この後基板を剥離すると、支持体が復元力によって最初の形状に戻るとともに被剥離層も支持体の形状に沿って湾曲する。最後に、元々曲率を有する転写体を被剥離層に接着すれば、所望の曲率を有した装置が完成する。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第1の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第2の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第2の導電層上に第1の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


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