【課題】小型、省エネルギーの除湿機を有するミニエンを提供する。
【解決手段】ミニエンにおいて、ウェーハ搬送を行う搬送室を内部に有するミニエン本体と、ミニエン本体の排気側と吸気側との間に設置され、ミニエン本体の内部を除湿する除湿機とを備えている。そして、除湿機は、吸着式除湿機からなり、水分を吸着する除湿材に供給する空気を冷却するプレクーラー２７、アフタークーラー２８と、水分を吸着する除湿材に供給する空気を加熱する排気ヒーター３３、再生ヒーター２３とを備え、プレクーラー２７、アフタークーラー２８と排気ヒーター３３、再生ヒーター２３との熱源にペルチェ素子４１が使用されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と、半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する基板を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたり、両基板を貼り合わせた後の加熱処理において、両基板の熱膨張係数の差異に起因して基板に破壊が生じたり、貼り合わせた両基板が剥がれてしまうことを抑制する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する基板のうち、熱膨張係数の小さい基板の温度よりも熱膨張係数の大きい基板の温度を高くした状態で、両基板を貼り合わせる。また、両基板の温度を室温より高く、かつ、両基板を貼り合わせた後の加熱処理の温度よりも低くした状態で貼り合わせる。これにより、両基板を貼り合わせた後の加熱処理において両基板の膨張量の差を少なくすることができるため、基板の破壊や剥がれを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の装置パラメータ設定戻し忘れや、設定変更漏れを防止し、基板のロットアウトの発生を未然に防止可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置５により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段６，１４と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段６，１５と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段６，１６と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段６，１８とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】設備を複数の処理装置で共用して、エネルギーを削減することが可能な生産処理システム、生産処理の制御装置、生産処理の制御方法、及び、生産処理の制御プログラムを提供する。
【解決手段】生産処理システムは、生産管理用ホストコンピュータ１と、群コントローラ２と、共用コントローラ３と、複数の処理装置４１を含む処理装置群４と、各処理装置４１に共用される１または複数の設備５１を含む共用設備群５と、搬送システム６とを備えている。処理装置４１からの使用情報のみに基づいて処理装置４１及び設備５１を制御するのではなく、予め取得した使用計画を利用する。そのため、効率よく共用設備群５内の設備５１を共用でき、結果として、消費エネルギーを低減できる。 （もっと読む）

【課題】赤外線を用いた基材の剥離工程において、支持体の温度上昇による赤外線の透過率の低下を防ぎ、支持体から基材を効率的に剥離することが可能な基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、（２）前記基材を加工する工程、（３）前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および（４）前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する、基材の処理方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合して複合基板を形成し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を剥離することにより光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層の移替装置であって、複合基板の移設基板側を保持する第1の保持面を備えた第１の保持手段と、第１の保持面と対向し複合基板のエピタキシー基板側を保持する第２の保持面を備えた第２の保持手段と、第1の保持手段と第２の保持手段とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる分離手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、厚み１０００μｍ以上２０００μｍ以下のシリコンウェーハを準備し、前記気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ界面における界面準位密度を低減することができ、ＬＳＩの更なる低消費電力化及び高速化等に寄与する。
【解決手段】絶縁膜上にＧｅ層やＳｉＧｅ層を形成した素子形成用基板の製造方法であって、Ｇｅ基板１１の表面上にＳｉ膜１２を形成する工程と、Ｓｉ膜１２上に高誘電率絶縁膜１３を形成する工程と、Ｓｉ膜１２及び高誘電率絶縁膜１３が形成されたＧｅ基板１１と表面に酸化膜２２が形成された支持基板２１とを、高誘電率絶縁膜１３と酸化膜２２とを接触させて接着する工程と、支持基板２１に接着された前記Ｇｅ基板１１を、該Ｇｅ基板１１の裏面側から研磨して薄くする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のエッチング特性の劣化の抑制およびサポート基板からの汚染リスクの低減を図る。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体基板の表面とサポート基板２０の表面とを接着剤１５を介して貼り合わせる。前記サポート基板の周辺部の一部に撥水処理を行い、前記一部に前記接着剤の端面に接するように撥水領域２２を形成する。ウェットエッチングにより、前記半導体基板を裏面側から加工する。 （もっと読む）

【課題】各生産装置の稼働率が低下することを抑制することができると共にリードタイムの増加を抑制することができる搬送システムおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】複数の生産装置それぞれに対する保管庫に収容されている合計カセット数を示す保管庫データを作成し、保管庫データに基づいて合計カセット数が閾値以上である場合には当該カセットを処理する生産装置を特定装置とする特定装置データを作成する。そして、特定装置データに基づいて搬送元移載箇所または搬送先移載箇所が特定装置である搬送指示の優先度を高いものに変更し、搬送元エリアに搬送指示が割付けられていない搬送台車がなく、選択した搬送指示の優先度が搬送指示変更部で高いものに変更され、かつ搬送元エリアに搬送指示が割付けられているがカセットを搭載せずに搬送元エリアを搬送している搬送台車がある場合、当該搬送台車に改めて選択した搬送指示を割付ける特別割付けを行う。 （もっと読む）