国際特許分類[H01L21/02]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986)
国際特許分類[H01L21/02]の下位に属する分類
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの (23,597)
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574)
電位障壁または表面障壁をもたない装置
国際特許分類[H01L21/02]に分類される特許
4,811 - 4,815 / 4,815
縦型熱処理装置
半導体ウェハの生産管理方法および半導体ウェハ
半導体製造装置
化合物半導体装置の製造方法
熱処理システムを抵抗により加熱する装置および方法
アンドープト・セラミック材のマトリックス内に部分的または完全に埋め込まれたドープト・セラミック加熱素子を備えている抵抗ヒーター。セラミックは、炭化珪素でありうるし、かつドーパントは、窒素でありうる。本発明のヒーターの効果の多くは、加熱素子およびそれらの素子を取り囲んでいるマトリックス材を備えている材料が実質的に同じ熱膨張係数を有しているという事実から生じる。一実施形態では、ヒーターは、コンパクト、強力、強靭、および熱式質量が低く、それを電力入力変化に迅速に応答させる、モノリシック・プレートである。抵抗ヒーターは、エピタキシャル薄膜を成膜し、かつ高速熱処理を実行するもののような、集積回路を製作するために用いられる反応器および処理チャンバの多くで用いられうる。 (もっと読む)
4,811 - 4,815 / 4,815
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