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国際特許分類[H01L21/02]の内容

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【課題】工場内でのエネルギ消費の低減と生産効率の維持の両立を実現する。
【解決手段】リフロー炉100では、不活性雰囲気室13内にワーク90が導入されなくなったとき、通常モードから省エネモードに、動作モードが移行する。次回、ワーク90が投入されるまでの残り時間(残待機時間)が、基準復帰時間(tr)となるまでは、省エネモードが継続される。そして、残待機時間が基準復帰時間(tr)以下となると、リフロー炉の各要素の制御が通常モードに戻される。省エネモードは、不活性雰囲気室13にエネルギを供給するための部材(ヒータ11A〜11N等)におけるエネルギ消費量が、通常モードよりも低いモードである。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜等を損傷する恐れのある有機溶媒を使用しなくとも、支持体から基材を剥離した後の仮固定材残渣を低減または除去することが可能な基材の処理方法を提供する。
【解決手段】(1)アセタール構造を含む繰返し構成単位およびペルオキシド構造を含む繰返し構成単位から選ばれる少なくとも1種の繰返し構成単位を有する重合体(A)を含有する仮固定材を介して、支持体上に基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、(2)前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程、ならびに(3)支持体から基材を剥離する工程を有する、基材の処理方法。 (もっと読む)


【課題】高品質のGaN薄膜を転移させることができる薄膜接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1のGaN基板のGa面から所定の深さにイオンを注入し、第1のイオン注入層を形成する。第1のGaN基板のGa面に第1のGaN基板と化学組成が異なる基板である第1の異種基板を接合させる。第1のイオン注入層を境界面として第1のGaN基板を分離させて、第1の異種基板に第1のGaN基板から分離された第2のGaN基板を形成する。第2のGaN基板のN面から所定の深さにイオンを注入して、第2のイオン注入層を形成する。第2のGaN基板のN面に第2のGaN基板と化学組成が異なる基板である第2の異種基板を接合させ、第2のイオン注入層を境界面として第2のGaN基板及び第1の異種基板を分離させて、第2の異種基板に第2のGaN基板から分離されたGaN薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】SOIウェーハとウェーハ製造設備で使用される搬送ステージと間における静電吸着現象の発生を防止することができるSOIウェーハおよびそのSOIウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】SOIウェーハ1は、単結晶シリコンからなる支持基板半導体11と表面に成膜されたシリコン酸化膜12bとを含む支持基板用半導体ウェーハ10、支持基板用半導体ウェーハ10の第1主面に形成された単結晶シリコンからなる活性層20、および支持基板用半導体ウェーハ10に成膜された一部のシリコン酸化膜12bが除去されて支持基板半導体11が露出した半導体露出部13を備える。 (もっと読む)


【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30は、被処理ウェハWを第1の温度に調節する温度調節機構124を備え、且つ当該被処理ウェハWを保持する第1の保持部110と、支持ウェハSを第1の温度よりも高い第2の温度に加熱する加熱機構141を備え、且つ当該支持ウェハSを保持する第2の保持部111と、少なくとも第1の保持部110又は第2の保持部111を相対的に移動させる移動機構150と、を有している。 (もっと読む)


【課題】基板の表面をより均一に活性化することにより、複数の基板をより適切に接合すること。
【解決手段】第1基板の第1活性化表面に照射される複数の第1活性化ビームをそれぞれ出射する複数の第1ビーム源17−1〜17−2と、第2基板のその第2活性化表面に照射される複数の第2活性化ビームをそれぞれ出射する複数の第2ビーム源18−1〜18−2と、その第1活性化表面とその第2活性化表面とが照射された後に、その第1活性化表面とその第2活性化表面とを接触させることにより、その第1基板とその第2基板とを接合する圧接機構15とを備えている。このような常温接合装置は、その第1活性化表面とその第2活性化表面とをそれぞれ1つのビーム源を用いて照射する他の常温接合装置に比較して、その第1活性化表面とその第2活性化表面とをより均一に照射することができ、その第1基板とその第2基板とをより適切に接合することができる。 (もっと読む)


【課題】SOIウェハとウェーハ製造設備で使用される搬送ステージと間における静電吸着現象の発生を防止することができるSOIウェーハを提供する。
【解決手段】SOIウェーハ1は、表面全体にシリコン酸化膜11が成膜された単結晶シリコンからなる支持基板用半導体ウェーハ10、支持基板用半導体ウェーハ10の第1主面に形成された単結晶シリコンからなる活性層22、及び支持基板用半導体ウェーハ10の活性層22が形成された第1主面と対向する第2主面に形成された導電性を有する導電性膜33を備える。 (もっと読む)


【課題】他軸への反力が発生しない揺動体拘束機構を提供する。
【解決手段】本発明に係る揺動体拘束機構は、球面座111に沿って運動する揺動体11
3の運動を拘束する揺動体拘束機構であって、揺動体113に形成された円筒面形状の切
り込み面119と、先端が球面形状であって切り込み面119に当接する押し部材115
とを有して構成されている。 (もっと読む)


【課題】表面にDZを有する半導体基板において、該DZの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にDZ、内部にIG層を有する半導体基板において、表面再結合速度を1×10cm/sec以上に調整した第1のサンプルの一次モードのライフタイムτ11を測定し、一次モードのライフタイムτ11および下記数式を用いて、IG層のバルクライフタイムτIGを求め、第1のサンプルに対して、表面再結合速度を1×10cm/sec以下に調整した第2のサンプルの一次モードのライフタイムτ12を測定し、一次モードのライフタイムτ12とIG層のバルクライフタイムτIGを比較し、一次モードのライフタイムτ12とIG層のバルクライフタイムτIGの差が0となったとき、DZが消失したと判定することができる。
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【課題】パーティクルの付着を抑制しつつ、基板に印字することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MOSFET1の製造方法は、半導体からなる基板10を準備する工程と、基板10の主表面10Aの少なくとも一部を覆うように保護膜20を形成する工程と、保護膜20が形成された主表面10AにレーザLbを照射することにより基板10に印字する工程とを備えている。保護膜20を形成する工程では、基板10を構成する半導体よりもバンドギャップが大きい材料からなる保護膜20が形成される。基板10に印字する工程では、基板10を構成する半導体よりも保護膜20を構成する材料による吸収率が小さい波長のレーザLbが照射される。 (もっと読む)


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