【課題】 本発明は、ＳＯＩ層の膜厚の面内均一性の良好なＳＯＩウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 イオン注入層が形成されたボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、貼り合わせＳＯＩウェーハを作製し、その後、平坦化処理を行う貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法であって、
前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、前記ＳＯＩ層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でＲＴＡ処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、前記ＳＯＩ層の面内膜厚レンジが１．５ｎｍ以下となるように前記平坦化処理を行うことを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とＩＩＩ族窒化物層との接合強度が高いＩＩＩ族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１０と酸化物膜２０とＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、支持基板１０は多結晶で形成され、ＩＩＩ族窒化物層３０ａは少なくともｃ軸方向に配向しているＩＩＩ族窒化物結晶で形成され、酸化物膜２０は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜２０において支持基板１０側の第１主面２０ｓからＩＩＩ族窒化物層３０ａ側の第２主面２０ｔにかけて膜厚方向で変化し、第１主面２０ｓにおける不純物の濃度は第２主面２０ｔにおける不純物の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対するウエハ工程がほぼ終了した段階で、ウエハの表面に表面保護テープを貼り付けた状態で、ウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を施し、その後、ウエハの裏面を真空吸着した状態で、表面保護テープ上に剥離用補助テープを貼り付けて、当該剥離用補助テープに張力を付与することにより、ウエハから表面保護テープを剥離することが広く行われている。
【解決手段】本願発明は、ウエハの裏面を真空吸着した状態で、表面保護テープ上に剥離用補助テープを貼り付けて、当該剥離用補助テープに張力を付与することにより、前記ウエハから前記表面保護テープを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、前記真空吸着に関する真空吸引系を前記ウエハの周辺部を担当する周辺吸引系と、前記ウエハの内部領域を担当する内部吸引系とを含むようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】プレーナあるいは複数ゲートまたはその両方の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）で使用するための高移動度面を有するハイブリッド基板を提供すること。
【解決手段】ハイブリッド基板は、ｎ型デバイスに最適な第１の表面部分と、ｐ型デバイスに最適な第２の表面部分とを有する。ハイブリッド基板の各半導体層における適切な表面およびウェハ・フラットの方向により、デバイスのすべてのゲートは同じ方向に配向され、すべてのチャネルは高移動度面上に位置する。本発明は、ハイブリッド基板、ならびに、その上に少なくとも１つのプレーナまたは複数ゲートのＭＯＳＦＥＴを集積する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；をこの順で有する基材の仮固定方法。 （もっと読む）

【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成し、転写先基板に接することとなる前記半導体結晶層形成基板の第１表面と、前記第１表面に接することとなる前記転写先基板の第２表面と、が向かい合うように、前記半導体結晶層形成基板と前記転写先基板とを貼り合わせ、前記半導体結晶層形成基板および前記転写先基板の全部または一部をエッチング液に浸漬して前記犠牲層をエッチングし、前記半導体結晶層を前記転写先基板側に残した状態で、前記転写先基板と前記半導体結晶層形成基板とを分離する。ここで、前記転写先基板が、非可撓性基板と有機物層とを有し、前記有機物層の表面が、前記第２表面であるものとする。 （もっと読む）

【課題】基準チップ特定に用いる目印を半導体ウエハに形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、フォトレジスト膜の形成された半導体ウエハに、露光用マスクを介して第１、第２、第３露光を行う工程を有し、第１露光の第１ショット領域に対し、第２露光の第２ショット領域は第１方向に隣接し、第２ショット領域に対し第３露光の第３ショット領域は第１方向に隣接し、ショット領域は第１方向に交差し対向する第１、第２の辺と、第１方向に平行な第３、第４の辺を有する外周スクライブ領域を有し、第１の辺上に第１パターンが、第２の辺上で第１パターンと対向する位置に第１パターンを内包する透光領域の第２パターンが配置され、第１、第２露光は第１、第２パターンが重ならないように、第２、第３の露光は第１、第２パターンが重なるように行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの反り及び変形を抑制することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハをドナーウェーハとして用い、前記シリコンウェーハの表面と、ハンドルウェーハの表面とを貼り合わせて貼り合わせウェーハを得る工程と、前記貼り合わせ後に、前記シリコンウェーハの一部からなるシリコン薄膜を剥離して前記ハンドルウェーハ上に転写する剥離工程とを少なくとも含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記貼り合わせる工程が、前記シリコンウェーハ又は前記ハンドルウェーハのうちどちらか一方のウェーハを加熱器具の上面に載置することによって１００〜４００℃に加熱し、他方のウェーハを前記一方のウェーハから一定の間隔をおいて接触させずに該一方のウェーハの上方で保持し、前記載置されたウェーハと前記保持されたウェーハの温度差が５０℃以下となったときに、該載置されたウェーハの表面と該保持されたウェーハの表面とを貼り合わせるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】選択された物理的寸法、形状、組成、及び、空間的配置を有する高品質印刷可能半導体素子の製造、転写、組み立てのための高歩留りの経路を与える。
【解決手段】大面積基板及び／又はフレキシブル基板を含む基板上へのミクロサイズ及び／又はナノサイズの半導体構造の配列の高精度の位置合わせ転写及び集積を行なう。また、バルクシリコンウエハ等の低コストバルク材料から印刷可能半導体素子を形成する方法、及び、広範囲の機能的な半導体デバイスを形成するための多目的で商業的に魅力的な印刷ベースの製造ブラットフォームを可能にするスマート材料処理を行う。 （もっと読む）