【課題】固体素子を損傷させにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性基板１及び剛性基板２を準備する基板準備工程と、可撓性基板の片側に紫外線３を部分的に照射して紫外線照射領域４と紫外線非照射領域を形成する第１の紫外線照射工程と、剛性基板の片側に紫外線を照射して紫外線照射領域５を形成する第２の紫外線照射工程と、可撓性基板の紫外線照射領域９及び剛性基板の紫外線照射領域１１を片側同士が対向するように接触させて、可撓性基板及び剛性基板が直に固着している複合体６を形成する複合体形成工程と、複合体の可撓性基板の紫外線非照射領域１０に固体素子７を形成する固体素子形成工程と、複合体の可撓性基板の紫外線非照射領域で可撓性基板を切断する可撓性基板切断工程と、複合体から剛性基板を分離する剛性基板分離工程と、を有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを予め算出する方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハ１とベースウェーハ２とを貼り合わせた後、ボンドウェーハ１を薄膜化することによって、ベースウェーハ２上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなる構造のＳＯＩウェーハ３を作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法であって、シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りＡを算出し、エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さに起因する反りＢを算出し、さらに、貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りＣとし、これらの反りの総和（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を、貼り合わせＳＯＩウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に接続される付帯設備を把握し、付帯設備をメンテナンスする作業にかかる負荷を軽減する。
【解決手段】基板処理装置と、前記基板処理装置に関連し、前記基板処理装置と直接又は間接的に接続される付帯設備と、前記付帯設備から収集される前記付帯設備に関する情報を少なくとも格納する記憶装置と、前記記憶装置に格納された情報に基づいて、前記基板処理装置及び前記付帯設備の接続関係を表示する表示装置とを備える。前記付帯設備は、ガスボンベが配置されるシリンダーキャビネット及びガス及び熱を排気する排気装置であり、前記表示装置は、前記基板処理装置及び前記シリンダーキャビネットの接続関係並びに前記基板処理装置及び前記排気装置の接続関係を連結させて表示する。 （もっと読む）

【課題】 一般的なパルス波形は、発振開始時点から急激に立ち上がり、ピークを示した後、緩やかに低下する。パワーがピークを示す時点でアニール対象物の表面が急激に加熱されて高温になる。ピークを示す時間が一瞬であるため、アニール対象物の深い領域を十分に加熱することが困難である。
【解決手段】 パルス電流が入力されると、レーザダイオードからレーザパルスが出射される。光学系が、レーザダイオードから出射されたレーザビームをアニール対象物まで導光する。ドライバが、レーザダイオードに、トップフラットの時間波形を有し、パルス幅が１μｓ〜１００μｓのパルス電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制すること。
【解決手段】複数の薄膜個片１０ａ〜１０ｄの上面上にそれぞれ支持層２０を形成する工程と、第１基板５０の下面に設けられた仮固定層４０が前記複数の薄膜個片の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、前記複数の薄膜個片の下面を第２基板６０に接合する工程と、前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、を含む薄膜個片の接合方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、希釈塩酸と比較してＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ溶液に対するエッチングレートが小さいＩｎＰ層４４及び４８と、希釈塩酸と比較してＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ溶液に対するエッチングレートが大きいＩｎＧａＡｓ層４２及び４６とを交互に積層したダミー層４０と、希釈塩酸と比較してＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ溶液に対するエッチングレートが小さい第１クラッド層２４及び第２クラッド層２８と、希釈塩酸と比較してＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ溶液に対するエッチングレートが大きい変調層２６及びコンタクト層２２とを交互に積層した半導体層２０と、を含む積層構造のうち、浮き部分６０に希釈塩酸を用いたエッチングとＨ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ溶液を用いたエッチングとを交互に行う工程を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】加圧および加熱を行うと共に、ウェハの接合面の平面度を上げるように、加圧面の形状を変化させ、ウェハ厚のばらつきを吸収する。
【解決手段】ウェハ接合装置は、上部ユニット１０１Ｕと下部ユニット１０１Ｌの間に、接合される複数のウェハを配置し、上部ユニットと下部ユニットによって加圧および加熱を行いながらウェハの接合を行う。ウェハ接合装置は、トッププレート１１１と、圧力プロファイル制御モジュールと、トッププレートと圧力プロファイル制御モジュールとの間に配置された加熱用のヒータ部と、を備える。ウェハ接合装置は、圧力プロファイル制御モジュールの表面に発生させた形状の変化がトッププレートの表面にもたらされる。 （もっと読む）

【課題】加熱手段を精密にキャリブレーションし、キャリブレーション時の時間を短縮できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション工程は、基板搬送手段が、表面温度を検出する温度検出手段が設けられたキャリブレーション基板を処理室１に搬入し載置するステップと、前記基板支持部２１７内に設けられた加熱手段が設定温度に基づいて加熱するステップと、温度記憶手段が前記温度検出手段で検出した前記表面温度を記録するステップと、結果に基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するためのパラメータを取得するステップと、補正手段が前記パラメータに基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するステップと、前記補正ステップの後に、前記キャリブレーション基板を前記処理室１から搬出するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板および金属膜から、ＴＦＴ基板を金属膜から容易に剥離するとともに、ＴＦＴ基板とその支持基板とを分離することを可能とする、ＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１０１と第二基板１０２との間に、機能素子を含む構造体１０３を挟んでなるＴＦＴ基板１００の製造方法であって、ダミー基板１０４の上に、柱状の結晶粒子からなる金属膜１０５と、第一基板１０１と、構造体１０３と、第二基板１０２とを順に形成した後に、金属膜１０５に、レーザー光Ｌの焦点Ｌａを集光させて、ダミー基板１０４と金属膜１０５とを、第一基板１０１と構造体１０３と第二基板１０２から分離する工程を、少なくとも有する。 （もっと読む）