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国際特許分類[H01L21/027]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの (23,597)

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無機物層からなるもの

国際特許分類[H01L21/027]に分類される特許

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【課題】ディフェクトの発生が低減され、リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、−SO−含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物(但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない)を製造する方法であって、前記共重合を、前記−SO−含有環式基を含むモノマーに対して、0.001〜1.0モル%の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】インプリント法によるパターン形成後の被膜の、モールドへの付着を抑制する。
【解決手段】炭素−炭素不飽和結合を有する化合物を含む成分、及び重合開始剤を含み、炭素−炭素不飽和結合を有する化合物として、炭素−炭素不飽和結合のほか、アルコキシ基が結合しないケイ素原子を有するケイ素化合物を含む被膜形成材料2が提供される。このような被膜形成材料2を基板1上に形成し、モールド3を押し当て、モールド3の反転パターン3bを転写した被膜2aを形成し、モールド3を被膜2aから引き離す(離型)。上記ケイ素化合物を含む被膜形成材料2を用いることで、離型の際、モールド3への被膜2aの付着が抑制される。 (もっと読む)


【課題】露光時の走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能
な表面検査装置を提供する。
【解決手段】露光によって作製されたパターンを有するウェハを照明光で照明する照明系
20と、パターンで反射した照明光を検出する受光系30および撮像装置35と、撮像装
置35により撮像されたウェハの回折画像からパターンの線幅を求め、走査方向によるパ
ターンの線幅の差を求める検査部42とを備えている。 (もっと読む)


【課題】流体の温度情報を比較的小さいドリフトで、かつ比較的高い分解能又は速い応答速度で計測できるようにする。
【解決手段】温度計測ユニット64は、空気A5中に配置される測温抵抗体部51Aを有する温度センサ53Aと、空気A5中に配置される測温抵抗体部54Aを有し温度センサ53Aと異なる特性を持つ温度センサ56Aと、温度センサ53Aの出力の低周波成分を抽出するローパスフィルタ部57と、温度センサ56Aの出力の高周波成分を抽出するハイパスフィルタ部58と、ローパスフィルタ部57の出力とハイパスフィルタ部58の出力とを加算する加算部59と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】(A)ベース樹脂、(B)光酸発生剤、(C)熱架橋剤、(D)有機溶剤を含有し、(A)成分が100質量部、(B)成分が0.05〜20質量部、(C)成分が0.1〜50質量部、(D)成分が50〜5,000質量部からなり、(A)ベース樹脂が、重量平均分子量1,000〜500,000である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 (もっと読む)


【課題】照射位置の各所における照度が均一なライン状光を出射することのできる露光用光源を提供する。
【解決手段】露光用光源を、露光対象物Tに向けて一列に並べて配設され、露光用の光を出射する複数のランプユニット18で構成されたランプアレイ24と、露光対象物Tおよび各ランプユニット18の間にそれぞれ配設された複数のレンズ20とで構成する。さらに、レンズ20で、対応するランプユニット18から出射された光の内、露光対象物Tに向かう光を、ランプユニット18の光軸Lを通りかつランプユニット18が並べられた方向H1に平行な中心線CLに向けて屈折させ、中心線CLを中心として露光対象物Tにおける照射範囲を狭めるとともに照度を高めることにより、上記課題を解決することができる。 (もっと読む)


【課題】環境影響が低減されたネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸性化合物成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、レジスト膜上に保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成する工程(2)と、レジスト膜及び保護膜を露光する工程(3)と、工程(3)の後にベークを行い、露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸性化合物成分とを中和させ、未露光部において、酸性化合物成分の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(4)と、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(5)とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】デフォーカス時において、レジストパターンのコーナー部での断線の抑制が可能であり、マスク作成工程におけるプロセスマージンを拡大する。
【解決手段】第1のコーナー部を有する帯状パターンを含むマスクパターンの設計レイアウトデータに対してOPC処理を行う工程STEP1と、OPC処理されたマスクパターンを用いて、プロセスコンディション変動時の条件で露光した際のレジストパターンの形状を取得する工程STEP2と、第1のコーナー部に対応するレジストパターンの第2のコーナー部の幅を取得する工程STEP6と、第2のコーナー部の幅が所定の基準値以下である場合、透光性基板に形成された帯状パターンの第1のコーナー部の内側に補正パターンを配置する工程STEP8と、を有する。 (もっと読む)


【課題】安定してEUV光を生成する。
【解決手段】チャンバ装置は、EUV光の生成が内部の所定の領域で行われるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で生成されたEUV光を集光する集光ミラーと、前記集光ミラーに付着したデブリのエッチングが可能なエッチングガスを供給する少なくとも1つのエッチングガス供給部と、を備えてもよい。前記集光ミラーは、該集光ミラーのミラー面の中央部から外れた領域で該集光ミラーを貫通するように開口する少なくとも1つの第1貫通孔を含んでもよい。前記集光ミラーは、前記少なくとも1つの第1貫通孔が前記オブスキュレーション領域に実質的に対応する領域内に位置するように前記チャンバ内に固定されてもよい。前記エッチングガス供給部は、前記第1貫通孔の少なくとも1つに配置されてもよい。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリントプロセス法において、中間スタンパを用いて光硬化性樹脂に微細な凹凸パターンを形成する方法であって、その中間スタンパと、微細な凹凸パターンが転写された光硬化性樹脂との離型性が向上された方法及びそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】加圧により変形可能な光硬化性組成物からなる光硬化性転写層31を有する光硬化性転写シート30の転写層31に、表面に微細な凹凸パターンを有する金型34の当該凹凸パターンを転写し、転写層31に微細な反転凹凸パターンを形成する工程、及び前記反転凹凸パターンを基板40上に形成された光硬化性樹脂組成物からなる光硬化性樹脂層41に転写し、光硬化性樹脂層41に金型34と同一の凹凸パターンを形成する工程、を含む凹凸パターンの形成方法において、前記反転凹凸パターンが形成された転写層31cに対してUVオゾン処理を行うことを特徴とする凹凸パターンの形成方法。 (もっと読む)


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