国際特許分類[H01L21/18]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040)
国際特許分類[H01L21/18]の下位に属する分類
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073)
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの (951)
半導体本体と不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の合金 (1)
波または粒子の輻射線の照射 (3,567)
21/20〜21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 (9,571)
21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387)
バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程 (1,363)
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程 (13,126)
国際特許分類[H01L21/18]に分類される特許
[ Back to top ]