国際特許分類[H01L21/20]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073)
国際特許分類[H01L21/20]の下位に属する分類
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (536)
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
液相成長を用いるもの (330)
国際特許分類[H01L21/20]に分類される特許
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薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
発光素子及びその製造方法
【目的】 電極と発光性多孔質層との界面特性に優れた発光素子を供給すること。
【構成】 結晶性半導体からなる発光性多孔質材料を含む発光領域と隣接する非多孔質領域を有する発光素子であって、前記発光領域と前記非多孔質領域の界面において両領域間の導電型が異なり、且つ両領域間の結晶構造が連続していることを特徴とする発光素子。
【効果】 発光効率の優れた実用に供し得る発光素子を供給できる。
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半導体回路の作製方法
半導体部品、その製造方法およびそのために用いられる装置
【目的】 高効率の半導体部品を低コストで、同時に長期間にわたる半導体部品自体の安定性を保証しながら製造する。
【構成】 本発明は、半導体層(21、22)と担体基板(18)との間に配置された種結晶層(20)を有する薄膜太陽電池のような半導体部品に関する。種結晶層(20)に面する担体基板(18)の表面はシールされているか、またはシーリング層(19)が担体基板(18)上に堆積されている。
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半導体部材及び半導体部材の製造方法
【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。
【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。
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半導体部材及び半導体部材の製造方法
多結晶膜の形成方法
発光素子の作製方法
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