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国際特許分類[H01L21/20]の内容

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【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が4×1017atoms/cm以上となる領域の厚さXを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さXに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が4×1017atoms/cm未満となる領域の厚さが6μm以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】レーザ照射処理が行われる処理雰囲気を短時間で安定化するとともに、安定化された処理雰囲気を容易に維持することができるレーザ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体が収容され、該被処理体に対するレーザ照射処理がなされる処理室2と、処理室2内にガスを給気する給気ライン3と、給気ライン3に設けられ、給気ライン3における給気を調整するMFC6と、処理室2内からガスを排気する排気ライン4と、排気ライン4における小流量排気ライン4bに設けられ、排気ライン4における排気を調整する自動調整バルブ7と、処理室2内の圧力を測定するデジタル差圧計5と、デジタル差圧計5の測定結果を受け、該測定結果に基づき、MFC6と自動調整バルブ7とを制御して、処理室2内の圧力を調整する制御部14とを有している。 (もっと読む)


【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】レーザーアニール工程において、レーザーの異常によりパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板が発生した際、この異常を早期に発見し、生産ラインの生産安定性を向上させることが可能な、レーザーアニール方法および装置を提供すること。
【解決手段】相対走査される基板がレーザー照射開始位置にきて、照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有することで、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第2エピタキシャル層200は、第1エピタキシャル層100上にエピタキシャル成長している。第1エピタキシャル層100は、エピタキシャル成長層110及び欠陥層120を有している。欠陥層120は、エピタキシャル成長層110の上、かつ、第1エピタキシャル層100の表層に位置している。欠陥層120の欠陥密度は、5×1017cm−2以上である。欠陥層120を突き抜けた欠陥は、第2エピタキシャル層200の内部でループを形成している。 (もっと読む)


【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ−Ga系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】IV族元素を含むβ−Ga系結晶からβ−Ga系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β−Ga系基板を切り出す前の前記β−Ga系結晶、又は切り出された前記β−Ga系基板に施される、β−Ga系基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、SOI層の膜厚の面内均一性の良好なSOIウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 イオン注入層が形成されたボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、貼り合わせSOIウェーハを作製し、その後、平坦化処理を行う貼り合わせSOIウェーハの製造方法であって、
前記剥離後の貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でRTA処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように前記平坦化処理を行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度であり第1下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とIII族窒化物層との接合強度が高いIII族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本III族窒化物複合基板1は、支持基板10と酸化物膜20とIII族窒化物層30aとを含み、支持基板10は多結晶で形成され、III族窒化物層30aは少なくともc軸方向に配向しているIII族窒化物結晶で形成され、酸化物膜20は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜20において支持基板10側の第1主面20sからIII族窒化物層30a側の第2主面20tにかけて膜厚方向で変化し、第1主面20sにおける不純物の濃度は第2主面20tにおける不純物の濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面104aとされた第2半導体層104の主表面に、第1半導体層103のIII族極性面103aを貼り合わせた後、第1半導体層103と基板101とを、分離層102で分離する。 (もっと読む)


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