【課題】基板処理装置の装置パラメータ設定戻し忘れや、設定変更漏れを防止し、基板のロットアウトの発生を未然に防止可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置５により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段６，１４と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段６，１５と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段６，１６と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段６，１８とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一金属板４、第二金属板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二金属板５は、高周波電力を効率よく伝えるため、石英窓１８が取付けられている。第二金属板５及び第三金属板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第１ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第１ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第１ガス噴出孔が設けられ、第２ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第２ガス噴出孔が設けられる。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理炉を用いた半導体ウェーハの熱処理において、スリップの発生を安定して抑制することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】縦型熱処理炉のウェーハボートに半導体ウェーハを載置して熱処理を行う方法において、前記ウェーハボートの位置と前記半導体ウェーハの載置位置との相対位置と、スリップ発生量との関係を求め、該求めた関係を基に、前記ウェーハボートの位置と前記半導体ウェーハの載置位置との相対位置の初期位置を設定し、該設定した初期位置から基準値内になるように前記半導体ウェーハを前記ウェーハボートに載置して前記熱処理を行う半導体ウェーハの熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】 処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を保持し、処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、移載室内の基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、処理室内から移載室内に搬出されて基板が脱装された基板保持具に、ノズルから不活性ガスを噴射するように不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する。 （もっと読む）

【課題】セレン化または硫化用高圧炉を提供する。
【解決手段】処理炉(100)は、第一チャンバー(110)と、第一チャンバー(110)を内部に収納する第二チャンバー(120)と、第一チャンバー(110)にセレン化用ガスを供給する処理ガス供給源(130)と、第一チャンバー(110)の内部を加熱する加熱装置(140)と、第一チャンバー(110)の内圧及び第二チャンバー(120)の内圧並びに第一チャンバー(110)の内部の温度を制御する制御装置(150)と、からなり、制御装置(150)は第二チャンバー(120)の内圧を第一チャンバー(110)の内圧よりも高く維持する。 （もっと読む）