【解決手段】シリコン基板にｐ型拡散層を形成するためのホウ素拡散用塗布剤であって、該塗布剤は少なくとも、ホウ素化合物と、有機バインダーと、ケイ素化合物と、アルミナ前駆体化合物と、水及び／又は有機溶剤とを含むものであるホウ素拡散用塗布剤。
【効果】本発明のホウ素拡散用塗布剤は、スピン塗布後の基板表面に十分な不純物量を有する膜を均一に形成することができる。面内で均一なｐ型拡散層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を高めることが可能な、新規かつ改良された光電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板に前記第１導電型と異なる第２導電型を有する第１ドーピング物質層ＤＰ１を形成する先蒸着段階と、第１ドーピング物質層ＤＰ１が形成された前記半導体基板を加熱する熱拡散段階と、前記熱拡散段階後、第１ドーピング物質層ＤＰ１上に、前記第２導電型を有する第２ドーピング物質層ＤＰ２を形成する後蒸着段階と、前記半導体基板、第１ドーピング物質層ＤＰ１及び第２ドーピング物質層ＤＰ２の一部をレーザＬで局所加熱し、前記半導体基板の第１面上にコンタクト層を形成する局所加熱段階と、前記コンタクト層上に第１電極を形成し、前記半導体基板の前記第１面と対向する第２面上に第２電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を複数枚重ね合わせて熱処理する際に、半導体基板同士のズレを抑制し、また半導体基板の間に隙間を発生させることなく保持できる熱処理用ボートを提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、前記１組の角形半導体基板の各辺の少なくとも１箇所と接触する溝を備える基板固定具と、当該基板固定具の両端に連結される支持板とを有し、前記基板固定具は、前記１組の角形半導体基板の重心よりも高い位置から当該１組の角形半導体基板を非鉛直方向に加圧する少なくとも１つの第１基板固定具と、前記１組の角形半導体基板の重心よりも低い位置から当該１組の角形半導体基板を支持する少なくとも１つの第２基板固定具を、少なくとも有する熱処理用ボート。 （もっと読む）

【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばＳｂＣｌ_３、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばＳｂ（ＯＥｔ）_３を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型または第１導電型とは異なる導電型である第２導電型のドーパントを含有するドーピング剤を半導体基板１０に塗布する工程と、塗布されたドーピング剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって拡散層１２，１３を形成する工程と備え、ドーピング剤の塗布前、塗布中および塗布後の少なくともいずれか１つのタイミングで、半導体基板を加熱する工程、ドーピング剤の塗布中および塗布後の少なくともいずれか１つのタイミングで、ドーピング剤を加熱する工程、および、ドーピング剤の塗布中および塗布後の少なくともいずれか１つのタイミングで、ドーピング剤を光照射する工程、の少なくともいずれか１つの工程を含む、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アウトディフュージョンの発生と、含有するホウ素化合物の凝集とを抑制可能な拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物は、ホウ酸エステル（Ａ）と、下記一般式（１）で表される多価アルコール（Ｂ）と、アルコキシシラン化合物（Ｃ）と、を含有する。


［一般式（１）中、ｋは０〜３の整数。ｍは１以上の整数。Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素原子数１〜５のアルキル基、または炭素原子数１〜５のヒドロキシアルキル基。Ｒ^２およびＲ^３が複数の場合は複数のＲ^２およびＲ^３はそれぞれ同じでも異なってもよい。またｋが２以上である場合、複数のＲ^２およびＲ^３は必ず一つ以上の水酸基または炭素原子数１〜５のヒドロキシアルキル基を含む。Ｒ^４およびＲ^５は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜３のアルキル基。］ （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い高性能の太陽電池を効率的に製造することのできる、太陽電池の製法およびそれにより得られた太陽電池を提供する。
【解決手段】ポリビニルアルコール系樹脂とドーパント化合物とを含有するドーパント拡散用水系塗布液を、スクリーン印刷によって半導体基板１の一面に部分的に塗布した後、熱処理を行い、上記基板１の一面において、上記塗布がなされた半導体基板１の表層部分をドーパント高濃度拡散部１１ａにし、上記塗布がなされていない半導体基板１の表層部分をドーパント低濃度拡散部１１ｂにして、半導体基板１に、上記ドーパント高濃度拡散部１１ａおよびドーパント低濃度拡散部１１ｂからなるセレクティブエミッタ層１１を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】不純物の飛散を抑止すると共に効率のよいドーピングを実施する。
【解決手段】シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、前記シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射する第１段階と、前記赤外レーザ光を前記シリコン基板と前記不純物との界面領域に集光させて前記シリコン基板を加熱する第２段階と、前記不純物を前記シリコン基板内にドーピングする第３段階と、を行なうものである。 （もっと読む）

【課題】 拡散後の表面抵抗値が低い半導体製造方法を提供すること。
【解決手段】 有機系バインダーと不純物を含有する層を半導体基板上に設け、これを特定少量（０．１〜１０％）の酸素を含む雰囲気ガス中で拡散する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板表面の粗面化を抑制しつつ、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素粒子と、分散媒とを含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）