【課題】基板の所望の領域上でアニーリングプロセスを実行するために使用される装置および方法を開示する。
【解決手段】１つの実施形態では、電磁エネルギのパルスはフラッシュランプまたはレーザ装置を使用して基板に送出される。パルスは約１ｎｓｅｃから約１０ｍｓｅｃの長さであってもよく、各パルスは基板材料を融解するのに必要なエネルギより少ないエネルギを有する。パルスの間隔は一般的に、各パルスにより与えられるエネルギを完全に放散させるのに十分な長である。このようにして、各パルスはマイクロアニーリング周期を終了する。パルスは１回で基板全体にまたは同時に基板の一部に送出されてもよい。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射することによりシリコンウェーハ１０の表層部１１を溶融させた後、溶融させた表層部１１Ａを固化させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを消滅させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を溶融させていることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射してシリコンウェーハ１０の表層部１１を加熱することにより、表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶融させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを低減させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】大きなサイズのウエハであっても均一なアニール処理が可能な、加熱プレート内の温度均一性が高い電子衝撃加熱装置を提供する。
【解決手段】天板２ａを有するヒーター容器２内に、螺旋状のフィラメント４と、該フィラメント４の螺旋で囲まれた領域内に反射板３を備え、該反射板３が、フィラメント４の天板２ａに最も近い位置Ｄに上面を有し、直径がフィラメント４の螺旋の直径Ｒの１０％以上の円板３ａと、該３円板３ａの外径と同じ内径を有し、外径がフィラメント４の螺旋の直径よりも大きいリング板３ｂと、円板３ａの外周とリング板３ｂの内周とを連結する円筒板３ｂとから構成され、フィラメント４から発生した熱電子を、天板２ａの外周部に優先的に衝突させる。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体装置において十分な基板強度を確保しつつ低オン抵抗且つ高耐圧でスイッチング速度を向上できるようにする。
【解決手段】Ｐ型の半導体基板１に形成されたＮ型のリサーフ領域２と、半導体基板１の上部にリサーフ領域２と隣接したＰ型のベース領域３と、ベース領域３にリサーフ領域２と離隔したＮ型のエミッタ／ソース領域８と、ベース領域３にエミッタ／ソース領域８と隣接したＰ型のベース接続領域１０と、エミッタ／ソース領域８の上からベース領域３の上及びリサーフ領域２の上に形成されたゲート絶縁膜６並びにゲート電極７と、リサーフ領域２にベース領域３と離隔したＰ型のコレクタ領域４とを有している。半導体基板１は、その抵抗値が半導体基板１に添加された不純物濃度で決まる抵抗値の２倍以上となるように結晶欠陥が導入されている。 （もっと読む）

基板を処理する方法の様々な例が開示される。特定の実施形態において、この方法は、複数の粒子を含む連続粒子ビームを発生させること、およびこの連続粒子ビームを、非晶相である基板の領域に導入して、領域を非晶相から結晶相に変換することを含み、前記連続粒子ビームは、5×10¹⁴個/cm²・秒またはそれを超える電流密度を有するものとすることができる。
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【課題】 均一性を増大し且つ実施のためのコストを低減することのできるような半導体基板をアニールするための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、半導体基板をアニールするための方法及び装置を提供する。本発明の一実施形態は、基板を支持するように構成された第１の基板支持体と、基板を支持するように構成された第２の基板支持体と、上記第１の基板支持体に結合され且つ処理ゾーンと第１のローディングゾーンとの間で上記第１の基板支持体を移動させるように構成されたシャトルとを備え、上記処理ゾーンは、上記第１の基板支持体及び上記第２の基板支持体を交互に収容するように構成された処理空間を有しているような半導体処理チャンバを提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードのｐｎ接合の耐圧特性の変化を小さく抑え、最適なキャリアライフタイムの制御が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。この半導体装置１の上主面上にアブゾーバからなるマスク１５を載置して電子線照射を行い、その後、熱処理する。この結果、結晶欠陥密度のピークはｎ型半導体基板２の上主面近傍となり、結晶欠陥密度は下主面に向かって漸減するように分布する。これにより、ダイオードのｐｎ接合の耐圧特性の変化を小さく抑え、最適なキャリアライフタイムの制御が可能な半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するＳｉＣ層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】（ａ）最初のＳｉＣ結晶層（Ｅ）における浅い表面層（Ａ）に炭素原子(Ｃ)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、（ｂ）当該層を加熱することにより、注入表面層（Ａ）からバルク層（Ｅ）へ格子間炭素原子（Ｃ）を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりＳｉＣ層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層（Ａ）を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板表面の加熱の深さ及び表面温度を正確に制御する。
【解決手段】加速された電子を基板表面に照射させて基板表面を加熱する基板表面加熱装置において、真空容器１１内に配置した対向電極１２間で気体を放電させ、対向電極１２間に電子を生成する電子生成手段と、電子を真空容器１１内に設置した基板１８の表面に照射するために、対向電極１２及び基板１８に直流バイアスを印加するバイアス印加手段と、照射された電子の量を電流値として読み取り、電流値を積算することによって基板１８への電子の照射量を制御する照射制御手段と、を有することを特徴とする基板表面加熱装置が提供される。これにより、基板１８の表面の加熱の深さ及び表面温度が正確に制御される。 （もっと読む）