国際特許分類［H01L21/265］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 波または粒子の輻射線の照射 (3,567) | 高エネルギーの輻射線を有するもの (2,981) | イオン注入法 (2,159)
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国際特許分類［H01L21/265］に分類される特許
1 - 10 / 2,014
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法
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熱処理方法および熱処理装置
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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熱処理方法および熱処理装置
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シリコン基板、これを採用したエピ構造体及びシリコン基板の製造方法
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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荷電粒子引出照射機構
【課題】照射されるイオンに金属不純物の混入することのない荷電粒子引出照射機構を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ型のプラズマ発生手段により、プラズマ生成室２００内に誘導結合プラズマを励起し、被処理体１２０にイオンでプラズマ処理を施す荷電粒子引出照射機構１であって、誘導結合プラズマから被処理体に向けて、誘導結合プラズマを引出し制御する複数の多孔電極１０、２０、３０、４０が、相互に離隔して平行に配置されており、かつ、全ての多孔電極がカーボン材料で構成されている。
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