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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、絶縁性基板上に順次積層されたAlNバッファ層、AlGaN組成傾斜層、GaNチャネル層、およびAlGaN障壁層を含み、AlGaN組成傾斜層はその下面から上面に向かってAl濃度が低減されており、AlGaN障壁層はAlGaN組成傾斜層の上面におけるAl濃度よりも15%以上大きなAl濃度を有しており、AlGaN組成傾斜層中において自発分極およびピエゾ効果によって得られる擬似的なp型シートキャリア濃度が3x1012cm−2以上4x1012cm−2以下である。 (もっと読む)


【課題】耐圧劣化を防止するとともに低コストで製造可能な構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、基板上に形成される炭化珪素からなる第1導電型の半導体層と、半導体層の表面に形成される活性領域と、活性領域を取り囲むように、半導体層の表面に形成される第2導電型の第1の半導体領域と、半導体層の表面に第1の半導体領域の外側に接し、第1の半導体領域を取り囲んで設けられ、第1の半導体領域と同一の不純物濃度および同一の深さを有する第2導電型の不純物領域がメッシュ形状に形成される第2の半導体領域と、活性領域上に設けられる第1の電極と、半導体基板の裏面に設けられる第2の電極を備えることを特徴とする半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗1×10Ω・cm以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法により形成した微細な導電層の積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成し、その一部にエネルギーを付与して、低表面エネルギー部を隔て互いに近接した第1の領域43と第2の領域44を含む高表面エネルギー部を形成し、導電性材料を含有する機能液61を第1の領域43にインクジェット法を用いて選択的に滴下し、機能液61を乾燥させて高表面エネルギー部上に導電層を形成する。その際、第1の領域43の中心位置と機能液61の滴下中心位置の距離Xは、機能液の飛翔時の直径D、機能液の着弾位置ばらつきα、第1の領域の幅L、第1の領域と第2の領域との間隔Sとして、X<±(L+2S−D−2α)/2(但し、L+2S>D+2α)、及び、X<±(L+D−2α)/2(但し、L+2D>D+2α)で表される。 (もっと読む)


【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11が載置されたチャンバ4内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板11の周囲からチャンバ4内のアノード1に向けて電子を放出させてチャンバ4内にプラズマ14を発生させ、基板11上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧が低く、かつ、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】メタルゲート電極103,203の材料として、Taを含むTa膜18,38を用いる。Ta膜18,38中には多くの窒素が含まれており、その窒素の一部がゲート絶縁膜102,202中に拡散することにより、TiNに比べてフラットバンド電圧Vfbが高くなり、NMOSFET100およびPMOSFET200の閾値電圧Vthを低くすることができる。また、Ta膜18,38中の窒素がHfSiON膜17,37中に拡散することにより、ゲート絶縁膜の絶縁性を高くすることができ、ゲートリーク電流Jgを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が3以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット3に電圧Vおよび電流Iを印加しチャンバ2内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Wの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Iを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Vを増大させるとともに、関係式(1)および(2)を満たすことを特徴とする。I>I・・・(1)、P>P・・・(2)(I:自己保持放電を開始する電流の最小値、P:ターゲットの電力、P:自己保持放電を開始する電力の最小値) (もっと読む)


【課題】III族窒化物トランジスタのドレイン及びソース接点と、下位のドレイン及びソース領域の各々との間の抵抗を低減させる。
【解決手段】ゲート、ソース、及びドレイン領域上に延在するフィールド誘電体240にトレンチをエッチングする工程と、ゲート、ソース、及びドレイン領域上にゲート誘電体270を形成する工程と、ゲート誘電体上270にブランケット拡散バリア272を形成する工程と、ソース及びドレイン領域からブランケット拡散バリア272を除去する工程と、ゲート誘電体270をソース及びドレイン領域から除去し、ソース及びドレイン領域をほぼ露出させる工程とを含む。次いで、ソース及びドレイン領域に接点金属290を堆積することにより、オーミック接点を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜との接触抵抗を低減し、移動度特性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、少なくとも各々の一部が前記半導体膜上に形成され、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極と、を具備する薄膜トランジスタであって、前記半導体膜は、GeあるいはSi及びGeを含有し、前記一対の電極の各々は、ボロンあるいはV族元素を含有する金属膜で形成され、前記一対の電極の各々と前記半導体膜との間に、ジャーマノシリサイドあるいは金属−Ge間化合物が形成されている。 (もっと読む)


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