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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】半導体装置をリードフレームに固着するためのペーストや半導体基板によって生じる寄生抵抗を低減する。
【解決手段】半導体基板裏面に裏面電極が形成され、リードフレームに固着されている半導体装置において、リードフレームの表面には凹凸構造が形成されており、凹部に入っているペーストにより、リードフレームの凸部を裏面電極に直接固着することで寄生抵抗を下げ、半導体装置の駆動能力を向上させる。 (もっと読む)


【課題】DRAM素子のような半導体装置において、半導体基板の溝部におけるゲート電極の埋設状態が良好となり、配線抵抗が低減され、素子特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板1の表面にゲート電極溝13を形成する工程と、ゲート電極溝13の内面に第1のバリア膜16aを形成する工程と、第1のバリア膜16aをエッチバックして、ゲート電極溝13の底面に第1のバリア膜16aの一部を残存させながら除去する工程と、ゲート電極溝13の内面と残存した第1のバリア膜16aの表面に第2のバリア膜16bを形成する工程と、第2のバリア膜16aの表面にタングステン膜を形成する工程と、このタングステン膜及び第2のバリア膜16bをエッチバックしてゲート電極溝13内にそれぞれ一部を残存させながら各膜を一括除去する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】トレンチパワーDMOSトランジスタにおいて、ソース引き出し電極とゲート引き出し電極の短絡を確実に防止する。併せて上記DMOSトランジスタのサイズの縮小を図ること及びソース・ドレイン間絶縁破壊電圧VDSの低下を防止する。
【解決手段】N+型ソース層13の底面の直下のP型ベース層9内に形成されたP+型コンタクト層14を、コンタクト用開口25の内の少なくとも一部の該コンタクト用開口25の底面に露出するN+型ソース層13を貫通するくぼみ部16に露出させる。次にコンタクト用開口25の底面に露出するN+型ソース層13及びくぼみ部16に露出するN+型ソース層13、P+型コンタクト層14に接続し、コンタクト用開口25内をその上端まで埋設して延在するソース引き出し電極17aを形成する。 (もっと読む)


【課題】液滴吐出法により吐出する液滴の着弾精度を飛躍的に向上させ、微細でかつ精度の高いパターンを基板上に直接形成することを可能にする。もって、基板の大型化に対応できる配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法による液滴の吐出直前に、所望のパターンに従い基板表面上の液滴着弾位置に荷電ビームを走査し、そのすぐ後に該荷電ビームと逆符号の電荷を液滴に帯電させて吐出することによって、液滴の着弾位置の制御性を格段に向上させる。 (もっと読む)


【課題】適切な仕事関数を有する金属ゲート電極を備え、トランジスタ特性のばらつきが抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1001と、半導体基板1001内に形成された第1導電型の第1の活性領域1003と、第1の活性領域1003上に形成された第1のゲート絶縁膜1030aと第1のゲート電極1032aとを有し、第1の活性領域1003上に形成された第1チャネル型の第1のMISFET1050とを備える。第1のゲート電極1032aは、第1のゲート絶縁膜1030a上に形成され、金属原子を含む第1の下部ゲート電極1011aと、炭素の単体を含む材料、または分子中に炭素を含む材料からなる第1の酸化防止膜1012aと、第1の上部ゲート電極1013aとを有している。 (もっと読む)


【課題】第1のMISトランジスタの閾値電圧が高くなることを防止する。
【解決手段】半導体装置は、第1,第2のMISトランジスタTr1,Tr2を備えている。第1,第2のMISトランジスタは、第1,第2の活性領域10a,10b上に形成され、第1,第2の高誘電率膜13a,13bを有する第1,第2のゲート絶縁膜13A,14Bと、第1,第2のゲート絶縁膜上に形成された第1,第2のゲート電極18A,18Bとを備えている。第1のゲート絶縁膜13Aと第2のゲート絶縁膜14Bとは、第1の素子分離領域11L上において分離されている。第1の素子分離領域11Lを挟んで対向する第1の活性領域10aの一端と第2の活性領域10bの一端との距離をsとし、第1の活性領域10aの一端から第1の素子分離領域11L上に位置する第1のゲート絶縁膜13Aの一端までの突き出し量をd1としたとき、d1<0.5sの関係式が成り立っている。 (もっと読む)


【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽24と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽28と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ21とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽24において、酸化剤と錯化剤とを混合して第1の薬液を調合し、薬液調合槽24において、第1の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽28において、活性化された第1の薬液と純水とを混合し、第1の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第1の薬液を希釈した第2の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ21に投入された半導体基板に第2の薬液を供給する。 (もっと読む)


【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Pdイオンを含むPd活性化液28(塩化パラジウム)にGaAs基板16(半導体基板)を浸漬してGaAs基板の表面にPdキャタリスト30を付着させる。このPdキャタリストとGaAs基板が反応してPd−Ga−Asの混合層40が形成される。次に、表面にPdキャタリストが付着されたGaAs基板をPd無電解めっき液42に浸漬してGaAs基板上にPdめっき膜44を形成する。 (もっと読む)


【課題】エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】蓚酸を含むエッチング液Lが貯留された貯留槽11からノズル体16,17にエッチング液Lを供給して吐出させ、酸化インジウムスズ膜が形成された基板Kをエッチングするとともに、ノズル体16,17から吐出されたエッチング液Lを貯留槽11内に回収するエッチング工程と、貯留槽11内に貯留されたエッチング液Lをキレート剤が充填された吸着容器32,33内に通液させて、エッチングによりエッチング液Lに含まれるようになったインジウムイオン及びスズイオンを吸着,除去した後、貯留槽11内に還流させる金属除去工程とを含むエッチング方法において、貯留槽11内に貯留されるエッチング液Lのインジウムイオンの濃度を260ppm以下に維持する。 (もっと読む)


【課題】電荷注入効率の高いp型有機薄膜トランジスタ、および、金属酸化物を電荷注入層として用いても、金属酸化物が溶解することで電極剥離を起こすことのないp型有機薄膜トランジスタの製造方法、ならびに、この製造方法に用いる塗布溶液を提供する。
【解決手段】p型有機薄膜トランジスタ10Aは、絶縁基板11上に設けられたゲート電極12と、ゲート電極12を被覆して設けられたゲート絶縁層13と、ゲート絶縁層13上に設けられたソース電極14aおよびドレイン電極14bと、ソース電極14aおよびドレイン電極14bの表面に設けられた金属酸化物層15と、ゲート絶縁層13上、かつ金属酸化物層15が形成されたソース電極14aとドレイン電極14bとの間に設けられたp型有機半導体層16と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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