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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸構造を有するスタンパー1の表面上に、導電体層2を剥離可能に形成し、スタンパー1上の導電体層2と、硬化性材料4とを接触させ、その状態で硬化性材料4を硬化させて、微細な凹凸構造を有する凹凸基層5を形成するとともに、凹凸基層5と導電体層2とを接着し、スタンパー1と、凹凸基層5に接着された導電体層2とを分離し、もって凹凸基層5上に導電体層2を転写して形成し、このようにして、微細な凹凸構造を有する電極構造体10を製造する。 (もっと読む)


【課題】HBTによる段差を低減し、接合面積をより小さくできるようにする。
【解決手段】半絶縁性のInPからなる基板101の上に形成されたアンドープInPからなる第1半導体層102と、第1半導体層102の上に接して形成された第1導電型のInPからなるエミッタ層103と、第1半導体層102の上に接して形成された第2導電型のInGaAsからなるベース層106と、第1半導体層102の上に接して形成されたInGaAsからなるコレクタ層107とを少なくとも備える。加えて、エミッタ層103,ベース層106,およびコレクタ層107は、これらの順に第1半導体層102の平面上で配列して接続されている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極間の間隔が狭い場合においても、ゲート電極間のシリサイドブロック膜の抜け性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極14と抵抗素子24とが同一半導体基板1上に混載された半導体装置において、シリサイドブロック膜25を介して抵抗素子24の側面にサイドウォール17を形成する。 (もっと読む)


【課題】ゲート−ソース間およびゲート−ドレイン間のキャパシタンスの低減と、JFETをオンさせる際に必要なゲート印加電圧が高電圧になることを抑制する。
【解決手段】凹部4c内に形成されたi型(イントリンシック半導体)側壁層5を介してp+型ゲート領域6を形成する。このような構成とすれば、n+型層4とp+型ゲート領域6との間にさらにp+型ゲート領域6よりも低濃度のp-型層が必要とされない。このため、n-型チャネル層3に直接接触している高濃度のp+型ゲート領域6によって、n-型チャネル層3内に伸びる空乏層幅を制御できる。したがって、n+型層4とp+型ゲート領域6との間にさらにp-型層が備えられる場合と比較して、ゲート印加電圧が高電圧になることを抑制できる。また、p+型ゲート領域6の側面がi型側壁層5によってn+型層4と分離されるため、ゲート−ソース間およびゲート−ドレイン間のキャパシタンスを低減できる。 (もっと読む)


【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が1.5〜3W/cm、非活性気体の圧力が0.2〜0.3Paで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 (もっと読む)


背面接点銀バスバーを太陽電池のアルミニウム裏面電界(BSF)に付与するための方法が提供される。当該方法は、前面および裏面を有する太陽電池基板を準備する工程と;この太陽電池基板の裏面の上に全面アルミニウム裏打ち層を印刷する工程と;印刷されたアルミニウム裏打ち層を乾燥して、全面アルミニウム層を得る工程と;銀バスバーが所望される領域の全面アルミニウム層の上に剥離ペーストを印刷し乾燥する工程と;太陽電池基板の前面の上に前面接点銀ペーストを印刷し乾燥して、前面グリッド電極を生成する工程と;太陽電池の前面および裏面を同時焼成し冷却する工程であって、焼成の間に当該剥離ペーストは、アルミニウム層の中の過剰のアルミニウム粉末を濡らし、そして、太陽電池の冷却の間にこの剥離ペーストは、収縮し、固化し、過剰のアルミニウム粉末とともに剥離して、空いた領域を有する全面アルミニウムBSFを残す工程と;BSFの空いた領域に背面接点銀ペーストを印刷し、乾燥し、焼成して、銀バスバーを得る工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】焼結工程および浸漬処理が不要であり、優れた導電性が得られる銀超微粒子含有組成物および導電性パターン作製方法を提供する。
【解決手段】水性媒体中に、平均粒径が0.1μm以下の銀超微粒子、ポリマーラテックス、および水溶性ハロゲン化物を含有することを特徴とする銀超微粒子含有組成物。およびこの銀超微粒子含有組成物を基材表面に塗布・乾燥させることによりパターンを作製し、該パターンに紫外線の照射および/または水分の再付与を行う導電性パターン作製方法。 (もっと読む)


【課題】チャネルへの不純物添加を行うことなく閾値電圧を大きくすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板11にゲート電極20を形成したのち、このゲート電極20の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極20のゲート絶縁膜30との界面20Aから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層21とする。ゲート電極20のゲート絶縁膜30との界面20Aにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極20と酸化物半導体膜40との仕事関数差φMSが大きくなり、閾値電圧Vthが大きくなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝(または凹部)4を有する被処理部材10の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体8を塗布する塗布工程と、被処理部材10の表面に塗布した液体8の溶媒を揮発させる第1の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体8に分散された微粒子を加熱し、液体8に含まれる微粒子または液体8に含まれる微粒子の成分で溝(または凹部)4を埋める第2の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極2からチャネルまでの抵抗(アクセス抵抗)を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化(低消費電力化)が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。
【解決手段】ソース電極2とドレイン電極4とに、それぞれオーミック接触し、チャネル層窒化物半導体よりも小さいバンドギャップを有する再成長窒化物半導体(2)と、前記チャネル層窒化物半導体との間を、再成長組成傾斜窒化物半導体(1)を介して接続することによって、ソース電極2とチャネルとの間、および、ドレイン電極4とチャネルとの間を、それぞれ結ぶ電路中の半導体バンドギャップの不連続が解消されていることを特徴とするヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。 (もっと読む)


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