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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部12を除いた基体11の一面11a、即ち溝部12の頂面にエッチングカバー層14を形成する。エッチングカバー層14は、例えば、Ta,Tiまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層14の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体積層構造上の絶縁膜に所期の微細な開口を形成するも、リーク電流を抑止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造2上にパッシベーション膜6を形成し、パッシベーション膜6の電極形成予定位置をドライエッチングにより薄化し、パッシベーション膜6の薄化された部位6aをウェットエッチングにより貫通して開口6bを形成し、この開口6bを電極材料で埋め込むように、パッシベーション膜6上にゲート電極7を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属シリサイド層の異常成長を防止する。
【解決手段】半導体基板1にゲート絶縁膜5、ゲート電極6a,6b、ソース・ドレイン用のn型半導体領域7bおよびp型半導体領域8bを形成する。それから、サリサイド技術によりゲート電極6a,6bおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層13を形成する。そして、金属シリサイド層13の表面を還元性ガスのプラズマで処理してから、半導体基板1を大気中にさらすことなく、金属シリサイド層13上を含む半導体基板1上に窒化シリコンからなる絶縁膜21をプラズマCVD法で堆積させる。 (もっと読む)


【課題】 金属炭化物系の膜を段差被覆性良く形成する。
【解決手段】 基板に対して、第1金属元素とハロゲン元素とを含む第1原料と第2金属元素と炭素とを含む第2原料とを交互に所定回数供給する工程と、基板に対して、窒化原料を供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定膜厚の第1金属元素を含む金属炭窒化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧を制度良く制御することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、窒化物半導体からなるチャネル層14と、チャネル層14よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層16と、を順次形成する工程と、第1窒化物半導体層16上であって、ゲート電極26を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第1窒化物半導体層16上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層14のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層18を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第1窒化物半導体層16上にゲート電極26を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2上に形成され、貫通口6aを有するパッシベーション膜6と、貫通口6aを埋め込むようにパッシベーション膜6上に形成されたゲート電極7とを有しており、ゲート電極7は、相異なる結晶配列の結晶粒界101が形成されており、結晶粒界101の起点が貫通口6aから離間したパッシベーション膜6の平坦面上に位置する。 (もっと読む)


【課題】オーミック電極をレーザアニールによって形成する場合にチッピングの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】n+型基板1の裏面1b側にドレイン電極11を形成する際のレーザアニールをチップ内でのみ行い、ダイシング領域では行われないようする。これにより、ダイシングブレード60によってダイシングを行うときに、レーザ跡が残っていない場所をダイシングすることになるため、レーザ跡の影響を受けることなくダイシングが行え、チッピングが発生することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ(半導体装置)において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 (もっと読む)


【課題】処理後の被処理物上に形成される余剰金属からなる層の厚さを最小限の厚さにすることができるとともに、被処理物上に開口するように形成された微小空間(ビア,貫通孔)に溶融金属を充填することのできる金属充填装置を提供する。
【解決手段】金属充填装置1は、半導体ウェハを保持する保持台H、保持台Hに対向して設けられ、保持面Hに対向する側に金属から構成される押付部が形成されたピストンPを備え、保持台Hに保持された半導体ウェハKに対してピストンPを押付可能に設けられた押付機構5などを備えてなり、保持台Hに保持された半導体ウェハK、ハウジングC及びピストンPによって気密状の処理室2が形成される。また、処理室2内の気体を排気して、当該処理室2内を減圧する減圧機構3、処理室2内に溶融金属Mを供給する溶融金属供給機構4、処理室2内に不活性ガスを供給する加圧ガス供給機構7などを備える。 (もっと読む)


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