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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】安定したスイッチング動作を低コストで実行する抵抗変化型不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】抵抗変化型不揮発性記憶装置は、第1配線3と、第1配線3上に形成された層間絶縁層53と、層間絶縁膜53上に形成された第2配線6と、第1配線3と第2配線6との間に形成された抵抗変化型素子11とを具備する。層間絶縁層53は、第1配線3と第2配線6とに挟まれるように形成され、第1配線3の幅以下の幅を有するホール9を備える。抵抗変化型素子11は、第1配線3と接して、ホール9の底部に形成された下部電極13と、下部電極13上に形成された抵抗変化層12と、抵抗変化層12上に形成された上部電極11とを備える。下部電極13、抵抗変化層12及び上部電極11は、ホール9の内部に形成される。第1配線3は銅を含み、下部電極13、13aはルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記p電極が前記p型半導体層上に少なくとも一部が網目状に形成されたNiO層と、このNiO層に接して形成されたAg層とを含む。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、Cu:0.1〜2.5原子%、Sb:0.1〜1.5原子%、Ga:0.5〜3原子%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機EL素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機EL層を含む電界発光層が積層される有機EL素子用の反射電極膜として好適である。 (もっと読む)


【課題】 この実施の形態は、SiC半導体基板上に形成されたn型半導体領域とp型半導体領域を形成した半導体装置において、n型半導体領域とp型半導体領域の両領域にまたがって、単一の金属電極用いて同時コンタクトを形成することを目的としている。
【解決手段】 この実施の形態の半導体装置は、導電性材料を用いた第1の電極240に、導電型がp型の第1の炭化珪素(SiC)半導体部220と、導電型がn型の第2のSiC半導体部230とが接続され、前記第1の電極と前記第1の界面部において炭素(C)の面密度がピークになるようしている。 (もっと読む)


【課題】SiC基板を用いて形成され、金属シリサイド膜と金属電極との密着性の向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、炭化珪素と、炭化珪素上に形成され、第1の層、第1の層よりも低い炭素比率を有する第2の層を備える金属シリサイドと、金属シリサイド上に形成される金属電極を備え、第2の層が第1の層上に形成され、第2の層が金属電極に接し、第2の層中の金属シリサイドの平均粒径が、第1の層中の金属シリサイドの平均粒径よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】ソース領域に3C−SiC構造のSiCを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第1のn型炭化珪素層と、第1のn型炭化珪素層よりもn型不物濃度の低い第2のn型炭化珪素層を有する半導体基板と、第2のn型炭化珪素層に形成される第1のp型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層に形成される4H−SiC構造の第1のn型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層に形成され、第1のn型不純物領域よりも深さの浅い3C−SiC構造の第2のn型不純物領域と、第2のn型炭化珪素層、第1のp型不純物領域、第1のn型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第1のn型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第1のn型不純物領域との間に第2のn型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 (もっと読む)


【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第1の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第2の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第1の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極5、6。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


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