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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【課題】テーパー形状のAl配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Al配線膜101は、AlもしくはAl合金から成る第1のAl合金層101aと、その上に配設され、Ni、PdおよびPtのいずれか1以上の元素を含み第1のAl合金層101aとは異なる組成のAl合金から成る第2のAl合金層101bとから成る二層構造を有する。フォトレジスト102の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第2のAl合金層101bはエッチングされ、その端部はフォトレジスト102の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト102をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Al配線膜101の断面はテーパー形状となる。 (もっと読む)


【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極13、ゲート絶縁層14、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域16、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域16を構成する有機半導体材料層と接するソース/ドレイン電極15の部分は、電極被覆材料21で被覆されており、電極被覆材料21は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15と結合する官能基を有する有機分子から成る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、製造コストを低減し、さらにゲート電極およびゲートコンタクトの抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ゲート電極7の少なくとも上層は、第2金属シリサイド膜としてのWSix膜72からなり、第1金属シリサイド膜としてのNiSi2膜18に含まれる第1金属(Ni)とシリコンとの結合エネルギーが、WSix膜72に含まれる第2金属(W)とのシリコンとの結合エネルギーよりも小さく、WSix膜72の組成MSix(Mは第2金属を示す)において、xが1.5以上2.0未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板上に不要な配線を形成させず、かつ少ない工程数で、基板上に配線を形成する方法を提供すること。
【解決手段】基板にフォトレジストを塗布、露光、パターニングをした後、配線となる導電層を形成し、基板上のフォトレジストを除去する方法で、基板上の第1、第2及び第3の領域には単位面積あたり第1、第2及び第3の累積露光量で、かつ第2の累積露光量は、第1の累積露光量よりも大きく、第3の累積露光量よりも小さくなるように露光し、パターニングによって、第3の領域においてフォトレジストが全て除去された露出面が、第2の領域において第2の上面を有するフォトレジスト層が、第1の領域において第2の上面より高い第1の上面を有するフォトレジスト層が形成され、第1の上面の基板上への投影は、露出面の投影と重なる部分と、第2の上面の投影と重なる部分とを有し、導電層は第3の領域を含む範囲において形成される。 (もっと読む)


【課題】焼成後の電極の収縮による電極端部からのめくれの発生を抑止して、半導体装置を高い製造効率で製造することを可能とする導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の導電性粒子からなる導電性粉末と、複数の銀粒子からなる銀粉末とを含む導電性ペーストであって、導電性粒子は、セラミックスからなる基材と、基材の外表面の少なくとも一部を被覆する導電層とを有しており、導電性粒子全体の質量に対する導電層の質量の割合が10質量%以上であって、導電性粉末と銀粉末との合計質量に対する導電性粉末の質量の割合が25質量%以下である導電性ペースト、それを用いて作製される半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれと第1半導体層との接合部がそれぞれ第1と第2の接合部からなり、第1接合部は、第1半導体層と接続する単位アノード部部分が正孔が多数キャリアの第2半導体層であるP−N接合部であり、第2接合部は、第1半導体層と接続する単位アノード部部分が金属によって構成されたショットキー接合部である、ようにした。 (もっと読む)


【課題】電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が低く、電極膜から配線導体素片が剥離しにくい炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】n型炭化珪素基板またはn型炭化珪素領域1の表面に、ニッケル膜2と、酸化ニッケル膜3と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。熱処理をおこなうことで、ニッケル膜2の一部がニッケルシリサイド膜4となる。つぎに、酸化ニッケル膜3を塩酸溶液で除去し、ニッケルシリサイド膜4の表面にニッケルアルミ膜5と、アルミニウム膜6と、をこの順に積層する。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコン膜との接触に起因するショットキー抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置は、トランジスタを備える。トランジスタは、第1の活性領域の表面の一部を覆い二酸化シリコンよりも高い誘電率を有する第1の絶縁材料からなる第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上に形成された第1の金属材料からなる第1の金属ゲート電極と、第1の金属ゲート電極上に形成されたp型導電型の第1の多結晶シリコン膜を有する。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも第1半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第2半導体層であり、第1半導体層と第2半導体層との接合部においてはP−N接合が形成されてなる、ようにした。 (もっと読む)


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