説明

国際特許分類[H01L21/28]の内容

国際特許分類[H01L21/28]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L21/28]に分類される特許

11 - 20 / 6,199



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285

【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】
ナノ結晶シリコン領域を含む素子、特に、陽極酸化法によりナノ結晶シリコン領域を形成し、そのナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部を渡って形成する薄膜を、高歩留かつ高信頼性で製造する方法を提供する。
【解決手段】
ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部を含む構造、およびそれを含む構造上に薄膜を形成する場合、境界部を形成する前にその境界部を(111)結晶面を主体とするテーパー構造にすることで、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部をなめらかに形成し、その上に、金属、半導体、絶縁薄膜をクラックや切断などが発生しないように形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができる加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、(A)銀粉末と、(B)加熱硬化性成分と、(C)硬化剤と、(D)溶剤と、必要に応じて(E)添加剤とを含有しており、さらに、レオメータで測定した貯蔵弾性率が100Pa〜400Paとなっている。これにより、高い導電性を実現しつつ高精細な導体パターンを低コストで形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】ゲート高さが低いため製造容易で、ゲート−コンタクト間の容量を抑制し、ゲート−コンタクト間の短絡を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は基板上にFin型半導体層を形成する。Fin型半導体層に交差するダミーゲートが形成される。Fin型半導体層にソースおよびドレインが形成される。ダミーゲート上に層間絶縁膜を堆積した後、ダミーゲートの上面を露出させる。ダミーゲートを除去してゲートトレンチを形成する。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の上部をリセスする。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の表面にゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極をゲートトレンチ内に充填する。ゲート電極をエッチングバックすることによってゲート電極を形成する。ゲート電極の上面の高さはソースおよびドレインにおけるFin型半導体層の上面の高さ以下かつゲートトレンチ内のFin型半導体層の上面の高さ以上である。 (もっと読む)


【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができ、より細線化に対応可能な加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、(A)銀粉末、(B)加熱硬化性成分、(C)硬化剤および(D)溶剤を含有し、(D)溶剤として、(D−a)主溶剤のジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートと、1種類以上の(D−b)副溶剤とを混合して成る混合溶剤が用いられ、(D−b)副溶剤の沸点が200℃〜300℃の範囲内にあり、かつ、その溶解度パラメータが7.5〜12.0の範囲内にある溶剤であり、混合溶剤の溶解度パラメータが8.0〜9.5の範囲内にある。 (もっと読む)


【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】フィールドプレート電極を有するトレンチゲート構造を備えた電力用半導体装置においてゲート−ソース間容量を低減する。
【解決手段】電力用半導体装置は、第1導電形の第1の半導体層2、フィールド絶縁膜6、フィールドプレート電極7、第1の絶縁膜8、導電体9、第2の絶縁膜11、ゲート絶縁膜10、及びゲート電極12を備える。フィールドプレート電極7は、フィールド絶縁膜6を介して第1の半導体層2のトレンチ5内に設けられる。第1の絶縁膜8は、フィールドプレート電極7上に設けられ、フィールド絶縁膜6とともにフィールドプレート電極7を取り囲む。導電体9は、第1の絶縁膜8上に設けられ、フィールドプレート電極7とは絶縁される。ゲート電極12は、フィールド絶縁膜6の上端上に設けられ第2の絶縁膜11を介して導電体に隣接し、ゲート絶縁膜10を介してトレンチ5内に設けられる。 (もっと読む)


11 - 20 / 6,199