国際特許分類[H01L21/28]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 (9,571)
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電極用の導電または絶縁材料の析出 (3,372)
国際特許分類[H01L21/28]に分類される特許
2,001 - 2,010 / 6,199
表示装置
【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と端部が重畳する第1配線層及び第2配線層と、少なくともゲート電極と重畳しゲート絶縁膜及び該第1配線層及び該第2配線層における導電層の側面部及び上面部と接する酸化物半導体層とを有する非線形素子を用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、非線形素子の第1配線層又は第2配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。
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コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置
【課題】 低抵抗率のコンタクトを実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体と接した第1の金属層を酸化防止用の第2の金属層で覆った状態で、第1の金属層のみをシリサイド化し、酸素混入のないシリサイド層を形成する。第1の金属層の材料として、半導体との仕事関数の差が所定の値となるような金属が用いられ、第2の金属層の材料として、アニール温度で第1の金属層と反応しない金属が用いられる。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】 窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層を用い、緩やかに傾斜したフィールドプレートの形成が容易に形成ができ、電界集中を緩和して高耐圧化が実現できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層に形成した側壁が斜めに傾斜した凹部内に、ゲート電極を形成する。側壁が斜めの凹部は、アルミニウムを含む窒化物半導体層の結晶性を劣化させながら成長させ、その後、結晶性の違いに応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。あるいはアルミニウムの組成比を変化させて形成することも可能である。
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半導体装置の製造方法
【課題】 本発明は、金属ゲート電極表面を低温で金属絶縁膜に変え、デバイスの、すなわち、回路・システムの信頼性を向上するデバイス構造、および、その製作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、MOSデバイスのゲート電極を金属を用いて形成し、その側壁を金属絶縁膜に改質し、デバイスの信頼性を向上したことを特徴とする。また、良質な金属絶縁膜を、低温で形成したことを特徴とする。
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半導体レーザ素子およびその製造方法
【課題】電気的特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子100は、支持基板1と、支持基板1上に形成されたp側オーミック電極15と、p側オーミック電極15上に形成され、活性層12を含む半導体層10aとを備え、p側オーミック電極15は、Agを主成分とし、約0.6質量%のPdと、約0.9質量%のCuとを含有するAg合金材料からなるAg合金層15bを含む。
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導電性インク組成物及び該組成物を用いて形成された太陽電池モジュール
【課題】電極幅の更なる細線化及び低抵抗化が可能な導電性インク組成物及び該組成物を用いて電極又は電気配線が形成された太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】導電性粒子と、加熱硬化性樹脂組成物、硬化剤及び溶剤とを含む有機系ビヒクルからなる導電性インク組成物において、導電性粒子が平均粒径1nm以上100nm未満のナノ銀粒子と平均フレーク径が0.1μm以上3μm未満であるフレーク状導電性粒子とを含有し、導電性粒子が前記フレーク状導電性粒子を前記ナノ銀粒子より質量割合でより多く含有することを特徴とする。導電性粒子は平均粒径0.1〜3μmの球状導電性粒子を更に含むことが好ましい。
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半導体装置の製造方法
【課題】半導体装置の低コスト化を実現する。
【解決手段】配線支持基材の主面に配線層を選択的に形成する(ステップS1)。次に、上記配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させる(ステップS2)。次に、前記樹脂を介して、配線支持基材の主面に、半導体素子の主面に配置された電極パッドを対向させる(ステップS3)。そして、導電性粒子の融点以上に当該導電性粒子を加熱して、複数の導電性粒子を一体化させた導電層を通じて、電極パッドと配線層とを電気的に接続する。また、当該電気的な接続と共に、導電層を樹脂で被覆する(ステップS4)。これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造することができる。
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バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター
【課題】バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】上記酸化ケイ素膜のバリア膜と、上記純銅膜のドレイン電極膜およびソース電極膜の間に、水素プラズマ処理後の厚さ方向断面組織が、(a)上記純銅膜のドレイン電極膜およびソース電極膜側に形成された純銅化帯域と、(b)上記酸化ケイ素膜のバリア膜との界面部に形成され、構成成分がCuとCaと酸素とSiからなる成分凝集帯域、の2帯域で構成され、上記成分凝集帯域の厚さ方向に形成されたCaおよび酸素の含有ピークの最高含有量が、それぞれCa:5〜20原子%、酸素:30〜50原子%、であり、かつ、10〜100nmの目標膜厚を有する密着強化膜を介在させる。
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トランジスタにおいて進歩したシリサイド形成と組み合わされる凹型のドレイン及びソース区域
【解決手段】
洗練されたトランジスタ要素を形成するための製造プロセスの間、それぞれの金属シリサイド領域を形成するのに先立つ共通のエッチングシーケンスにおいて、ゲート高さが減少させられてよく、そして凹型のドレイン及びソース構造もまた得られてよい。対応する側壁スペーサ構造はエッチングシーケンスの間に維持され得るので、ゲート電極におけるシリサイド化プロセスの可制御性及び均一性を高めることができ、それにより、低減された程度のスレッショルドばらつきを得ることができる。更に、凹型のドレイン及びソース構造が、全体的な直列抵抗の低減及び応力転移効率の増大をもたらすことができる。
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高度な微小寸法コンタクトのための自己整合多重パターン形成
【課題】 基板上の特徴部の密度を増大させる処理シーケンスを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、単一の高解像度フォトマスクを使用する標準のフォトリソグラフィ処理技法を使用して可能なものに比較して、2次元において減少ピッチを有するパターン形成特徴部を基板上に形成する方法に関する。方形の角部の4つのコアの中心にディンプルを残すように選択された厚さを有するスペーサ層が、コアの2次元方形格子上に形成される。上記スペーサ層は、上記方形の中心において上記基板をさらすように、エッチングバックされる。上記コア材料を除去することにより、コアのフォトリソグラフィ画成格子のパターン密度が2倍とされる。露出された基板の領域には、再びコア材料を充填することができ、上記処理は、上記パターン密度が4倍となるように繰り返される。
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