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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ1aは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜(絶縁層)15上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層17-aとこの上部の金属材料層17-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜(絶縁層)15とソース電極17sおよびドレイン電極17dとにおける酸化物材料層17-aとの露出面が、自己組織化膜19で覆われており、この自己組織化膜19で覆われた上部のソース電極17s−ドレイン電極17d間にわたって半導体薄膜21が設けられている。 (もっと読む)


【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Si−TFT構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するTFTをスタガ型の多結晶Si−TFTで構成し、該TFTのチャネルを形成する多結晶Si層4より下層に位置する電極配線2を、希土類元素を添加元素として含むAl合金からなる第一の合金層2aと、希土類元素と高融点金属とAlとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層2bとの積層構造とすることで、多結晶Si形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 (もっと読む)


【課題】オーミック電極の接触抵抗を低減するとともに高い耐圧特性を実現することが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、基板2と不純物層としてのp+領域25とを備える。基板2は炭化珪素からなり、転位密度が5×10cm−2以下であって、導電型は第1導電型(n型)である。p領域25は、基板上に形成され、前記第1導電型とは異なる第2導電型の導電性不純物濃度が1×1020cm−3以上5×1021cm−3以下である。 (もっと読む)


【課題】複数のライン状のパターンの端部におけるレジストパターン倒れ等の加工プロセスの問題を回避する。
【解決手段】 半導体基板上に被パターニング部材を形成した後に、被パターニング部材をパターニングして、複数のライン状のパターンを並列に形成するとともにライン状のパターンの端部から所定間隔をもってライン状のパターンの長手方向と垂直な方向にダミーパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】 所望の寸法のパターンを有する高信頼性の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下地膜100上に第一の膜101及び第二の膜102を順に形成し、第二の膜102を加工して第二のパターン104を形成し、第二のパターン104をマスクに第一の膜101を加工して第一のパターン105を形成し、第二のパターン104を除去した後、下地膜100上及び第一のパターン105上に第三の膜106を堆積し、第三の膜106を加工して第一のパターン105側壁に第三の側壁パターン107を形成し、第一のパターン105を除去した後、第三の側壁パターン107をマスクに下地膜100を加工する半導体装置の製造方法であり、第三の側壁パターン107を形成するプロセス条件を、第二のパターン104の寸法及び第一のパターン105の寸法の少なくとも一方の情報に基づいて決定する。 (もっと読む)


【課題】金属微粒子と溶剤とから構成される金属微粒子分散液を用いて塗膜を形成する際、顔料として使用する場合、乾燥後に表面に割れがなく金属光沢があり、耐久性に優れた塗膜が得られ、また、導電膜形成用材料として使用する場合、乾燥後に低温焼成することにより、焼成膜の体積抵抗率が低下され、低抵抗の塗膜が得られる塗膜形成方法と、それを用いた意匠用、又は電子部品の回路形成用として好適な塗膜を提供する。
【解決手段】下記の(イ)及び(ロ)の要件を満足する金属微粒子分散液に、ヒドロキシカルボン酸を添加して、(ハ)の要件を満足する塗布液を調製し、これを塗布した後、室温〜120℃の温度で乾燥処理に付すことを特徴とする。
(イ)前記金属微粒子は、その平均粒径が10〜100nmである。
(ロ)前記溶剤は、極性溶剤である。
(ハ)前記塗布液は、その溶剤中のヒドロキシカルボン酸の含有量が5〜40質量%である。 (もっと読む)


【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ(μ−トリフルオロアセタト)ジ(アセトン)ジルテニウム、テトラ(μ−ペンタフルオロプロピオナト)ジ(アセトン)ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び/又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】電界効果型トランジスタにおいて、バンク層をガイドとして半導体溶液を塗布する方法を用いて、精度良く確実にチャネル部に半導体を形成するための電界効果型トランジスタ構造を提供することを目的とする。また、その構造を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、及びそれを用いた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ソース電極と、下部画素電極と、前記下部画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体と、半導体を挟むように形成されたバンク層より構成された電界効果型トランジスタにおいて、前記バンク層がストライプ状に形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部516と、側壁514と、上側開口526とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、a)基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第1の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、b)前記銅シード層の第2の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第1の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 (もっと読む)


【課題】積層された各層に平面的に電極が形成された、III族窒化物系化合物半導体素子
【解決手段】pnpトランジスタ100は、基板10の上に、図示しないバッファ層を介して、p型GaN層11、n型GaN層12、p型GaN層13を順に形成した後、ケミカルポリシングにより露出部である傾斜面11t、12t及び13tを形成し、そこに各々、コレクタ電極C、ベース電極B、エミッタ電極Eを形成して構成したものである。図1のpnp型トランジスタ100は、水平形状が1辺が500μmの矩形状で、その外周の1辺に水平面と10度の角度を成す傾斜面が形成されている。p型GaN層11、n型GaN層12及びp型GaN層13の膜厚はいずれも1μmであり、p型GaN層11の傾斜面11t、n型GaN層12の傾斜面12t及びp型GaN層13の傾斜面13tの幅はいずれも約5.8μmである。 (もっと読む)


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