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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】ダイオード部とトランジスタ部の面積比率を自由に設定することが可能な窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1HEMT部30及び第2HEMT部31から成るトランジスタ部1と、第1電極24と電気的に短絡された第1ショットキー電極28及び第1ゲート電極26と電気的に第2ショットキー電極29から成るダイオード部2と、を備えて構成されている。また、第1電極24と第2電極25との間の領域に第1電極24に沿って、第1ゲート電極26及び第1ショットキー電極28が交互に形成され、かつ、第2電極25に沿って、第2ゲート電極27及び第2ショットキー電極29が交互に形成されている。さらに、第1ゲート電極26と第2ゲート電極27とは、対向して形成されており、第1ショットキー電極28と第2ショットキー電極29とは対向して形成されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いたTFTでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】TFT101は、絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソース・ドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13のソース・ドレイン電極14が重ならない部分の表面層15におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、表面層15の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極によるチャネルのポテンシャル制御性を大幅に向上させ、信頼性の高い所期の高耐圧及び高出力を得ることのできる化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTは、Si基板1と、Si基板1の上方に形成された電子走行層2bと、電子走行層2bの上方に形成された電子供給層2cと、電子供給層2cの上方に形成されたソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6とを含み構成されており、電子走行層2cは、平面視でソース電極4とドレイン電極5とを結ぶ方向と交差する方向に並ぶ複数の段差、例えば第1の段差2ca、第2の段差2cb、第3の段差2ccを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体層を用いた素子を配線層間に形成し、かつ、ゲート電極の材料を、配線の材料以外の導電体にする。
【解決手段】第1配線層150の表層には、第1配線210が埋め込まれている。第1配線210上には、ゲート電極218が形成されている。ゲート電極218は、第1配線210に接続している。ゲート電極218は、第1配線210とは別工程で形成されている。このため、ゲート電極218を第1配線210とは別の材料で形成することができる。そしてゲート電極218上には、ゲート絶縁膜219及び半導体層220が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極へのリーク電流を大幅に低減できるGaN系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】このGaN系HFETによれば、ゲート電極をなすTiN膜の抵抗率(Ω・μm)を24.7(Ω・μm)とした。このように、ゲート電極のショットキー電極層としてのTiN膜の抵抗率が10Ωμm以上であることによって、ゲート電極をなす金属材料TiNの抵抗率(ゲートメタル抵抗率)が10Ωμm未満である場合に比べて、ゲートリーク電流を著しく低減できる。 (もっと読む)


【課題】ソース、ドレイン電極と有機半導体層の間の接触抵抗を低減して、短チャネル化により高速応答性能を向上させ、かつ、短チャネル化に伴うソース、ドレイン電極とゲート電極間の短絡の発生を回避可能とする。
【解決手段】絶縁性の基板と、基板上に相互間に間隔を設けて配置され、各々台状平面を形成する一対の絶縁性の台座2、3と、一方の台座が形成する台状平面上に設けられたソース電極4と、他方の台座が形成する台状平面上に設けられたドレイン電極5と、一対の台座の間の基板上に設けられたゲート電極6と、ソース電極及びドレイン電極の上面に接触させて配置された有機半導体層7とを備える。ゲート電極と有機半導体層の下面とはギャップ領域8を介在させて上下方向に対向し、ギャップ領域に面する台座の側面は、上側端縁に対して下側端縁がゲート電極から遠ざかる側に後退した形状を有する。 (もっと読む)


【課題】高品質なルテニウム薄膜を製造することができる有機ルテニウム化合物を提供する。
【解決手段】下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄(Fe)の濃度が1ppm以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。
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【課題】 Moの持つSiバリヤ性、ITOコンタクト性という利点を維持しながら、耐酸化性を改善し、尚且つCuとの積層時や信号ケ−ブルの取り付け等の加熱工程を経ても低い電気低抵値を維持できる、電子部品用積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Cuでなる主導電層と、該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−XNi、10≦X≦70で表され、残部不可避的不純物からなるMo−Ni合金である電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


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