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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】半導体層を用いた素子を配線層間に形成し、かつ、ゲート電極の材料を、配線の材料以外の導電体にする。
【解決手段】第1配線層150の表層には、第1配線210が埋め込まれている。第1配線210上には、ゲート電極218が形成されている。ゲート電極218は、第1配線210に接続している。ゲート電極218は、第1配線210とは別工程で形成されている。このため、ゲート電極218を第1配線210とは別の材料で形成することができる。そしてゲート電極218上には、ゲート絶縁膜219及び半導体層220が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極へのリーク電流を大幅に低減できるGaN系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】このGaN系HFETによれば、ゲート電極をなすTiN膜の抵抗率(Ω・μm)を24.7(Ω・μm)とした。このように、ゲート電極のショットキー電極層としてのTiN膜の抵抗率が10Ωμm以上であることによって、ゲート電極をなす金属材料TiNの抵抗率(ゲートメタル抵抗率)が10Ωμm未満である場合に比べて、ゲートリーク電流を著しく低減できる。 (もっと読む)


【課題】ソース、ドレイン電極と有機半導体層の間の接触抵抗を低減して、短チャネル化により高速応答性能を向上させ、かつ、短チャネル化に伴うソース、ドレイン電極とゲート電極間の短絡の発生を回避可能とする。
【解決手段】絶縁性の基板と、基板上に相互間に間隔を設けて配置され、各々台状平面を形成する一対の絶縁性の台座2、3と、一方の台座が形成する台状平面上に設けられたソース電極4と、他方の台座が形成する台状平面上に設けられたドレイン電極5と、一対の台座の間の基板上に設けられたゲート電極6と、ソース電極及びドレイン電極の上面に接触させて配置された有機半導体層7とを備える。ゲート電極と有機半導体層の下面とはギャップ領域8を介在させて上下方向に対向し、ギャップ領域に面する台座の側面は、上側端縁に対して下側端縁がゲート電極から遠ざかる側に後退した形状を有する。 (もっと読む)


【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 (もっと読む)


【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にCVDによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてClFガスまたはFガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、CVDによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 (もっと読む)


【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたn型またはp型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも2層の第1メタル層と、該第1メタル層と交互に積層された第2メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第2メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第2メタル層以外の第2メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第2メタル層を構成する第2メタル材料は該第1メタル層を構成する第1メタル材料よりも導電率は低いが該第1メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 (もっと読む)


【課題】融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、CVD法等の化合物(プレカーサ)を気化させて薄膜を形成する方法において用いる薄膜形成用原料として好適なニッケル化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で表されるアルコキシド化合物。
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【課題】高品質のオーミックコンタクトをIII−V族半導体材料に形成して、消費電力が低くて長寿命の半導体デバイスを作製する。
【解決手段】半導体デバイス100は、第1の伝導帯および第1の価電子帯のエネルギレベルを有する第1のIII−V族半導体層110、第2の伝導帯および第2の価電子帯のエネルギレベルを有する第2のIII−V族半導体層120、およびフェルミエネルギレベルを有する金属層130を含む。このフェルミエネルギレベルは第1および第2の価電子帯のエネルギレベルより高く、第2の価電子帯のエネルギレベルは金属層130のフェルミエネルギレベルと第1の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 (もっと読む)


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