【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体層とメタル電極のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、シリコンに比べてバンドギャップが大きいIII−Ｖ族化合物半導体又はIV−IV族化合物半導体からなるｐ型窒化ガリウム層１の表面に、３−ヘリウム又は４−ヘリウムのイオンを照射してイオン照射領域２を形成する。イオン照射領域２を形成した後に、ｐ型窒化ガリウム層１の表面にオーミックコンタクトしたメタル電極３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのしきい値を調整する目的でＬａなどが導入された高誘電率膜を含むゲート絶縁膜と、その上部のメタルゲート電極との積層構造を有する半導体装置において、ゲート電極のゲート幅を縮小した際、基板側からメタルゲート電極の底面に酸化種が拡散してｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの仕事関数が上昇することを防ぐ。
【解決手段】ＨｆおよびＬｎ含有絶縁膜５ｂとその上部のメタルゲート電極である金属膜９との間に、酸化種の拡散を防ぐためにＡｌ含有膜８ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】銅を回路層に用いても、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系の半導体材料でできている本体２１および少なくとも１つの電極構造物２３を含む。電極構造物２３は、本体２１に形成されるオーミック接触層２３１、本体２１の反対側のオーミック接触層２３１上に形成されるバッファ層２３２、および、銅系の材料でできており、オーミック接触層２３１の反対側のバッファ層２３２に形成される回路層２３３を含む。オーミック接触層２３１は、チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金から選択される材料でできている。バッファ層２３２は、オーミック接触層２３１の材料とは異なっており、かつ、チタン、タングステン、窒化チタン、タングステン窒化およびそれらの組み合わせから選択される材料でできている。 （もっと読む）

【課題】設計された形状およびサイズのゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体層１２の表面上のうち、互いに離間した位置に、チタン層１７ａ、１８ａ、アルミニウム層１７ｂ、１８ｂ、ニッケル層１７ｃ、１８ｃ、金層１７ｄ、１８ｄがこの順で積層した積層体１７、１８を形成し、これらを、アルミニウムの融点より高い温度で加熱して複数の金属体１７´、１８´を形成するするとともに、これらの複数の金属体１７´、１８´を半導体層１２にオーミック接触させる。この後、複数の金属体１７´、１８´を薄膜化して複数の合金層１３ａ、１４ａを形成し、合金層１３ａ、１４ａを含むドレイン電極１３およびソース電極１４を形成する。次に、ドレイン電極１３とソース電極１４との間のレジスト層１９に開口部２０し、この開口部２０内にゲート電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層とにおける電荷注入効率の向上と性能の確保とを両立させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極とポリシリコン抵抗素子とを同じ半導体基板に混載するとともに、半導体装置の設計の自由度を向上し、また、半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体基板１の主面上にゲート絶縁膜を介してＭＩＳＦＥＴ用のメタルゲート電極が形成され、また、半導体基板１の主面上に積層パターンＬＰを介してポリシリコン抵抗素子用のシリコン膜パターンＳＰが形成されている。メタルゲート電極は金属膜とその上のシリコン膜とを有し、積層パターンＬＰは絶縁膜３ａとその上の金属膜４ａとその上の絶縁膜５ａとを有し、絶縁膜３ａは、前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜により形成され、金属膜４ａはメタルゲート電極の金属膜と同層の金属膜により形成され、シリコン膜パターンＳＰは、メタルゲート電極のシリコン膜と同層のシリコン膜により形成されている。シリコン膜パターンＳＰは、平面視で絶縁膜５ａに内包されている。 （もっと読む）

【課題】特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子３００（アクチュエーター）は、絶縁体膜５５上に、第１電極６０と、第１電極６０の上方に設けられて厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、圧電体層７０の上方に設けられた第２電極８０とが、積層形成される。圧電膜７０であるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ランタンアセチルアセトナート、ニッケルアセチルアセトナート、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱する。 （もっと読む）