【課題】高融点金属膜の下地膜の荒れの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体を提供する。
【解決手段】被処理基板１０の高融点金属膜１０２を、マスク層１０３を介してプラズマエッチングする方法であって、グレインのエッチング速度よりグレイン境界部のエッチング速度が速いプラズマエッチングを行う第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程より絶縁膜に対する高融点金属膜の選択比が高いプラズマエッチングを行う第２のエッチング工程とを具備し、グレイン境界部の絶縁膜１０１が露出する前に、第１のエッチング工程から第２のエッチング工程に切り換える。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にＣｕを含有する薄膜。 （もっと読む）

【課題】 高速なスイッチング特性を補償するとともに、電界破壊による破壊耐性を上げることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｎ＋＋型シリコン基板１０と、ｎ＋＋型シリコン基板１０上に形成される半導体層２０と、ｎ＋＋型シリコン基板１０に達するように形成されるトレンチ３０内部に形成される埋め込み層３５と、埋め込み層３５に隣接する位置に形成されるｎ型ピラー層２２と、ｎ型ピラー層２２に隣接する位置に形成されるｐ型ピラー層２４と、ｐ型ピラー層２４上に設けられたｐ型ベース層５０と、埋め込み層３５上に形成されるゲート電極４０と、ゲート電極４０同士を接続する追加電極部４５と、半導体層２０に形成され、ゲート電極４０及び追加電極部４５の側方に形成されるｎ型ソース層５４と、追加電極部４５の下部に形成されるｎ型ベース層５６を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】孔の中や溝の中などに金属材料を埋め込んだ際のカバレッジ性を向上させること
ができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置９１の製造方法は、まず、基板５１上に低透過率のレジスト膜２
２を形成する。次に、ホログラフィック露光装置１１を用いてレジスト膜２２を露光及び
現像する。これにより、ホログラフィック露光装置１１側が広いテーパ状の開口孔６２ａ
を有する第１レジストパターン６１ａを形成することができる。この第１レジストパター
ン６１ａをマスクとしてシリコン酸化膜５３を異方性にエッチングするとともに、第１レ
ジストパターン６１ａも異方性にエッチングする。これにより、第１レジストパターン６
１ａの形状から第２レジストパターン６１bの形状にすることができ、口元が広いテーパ
状のコンタクトホールを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】特に半導体ウエハの厚さが薄い場合、例えば１５０μｍ以下の場合においても、製造工程中における半導体ウエハの反りを低減して、製造工程中における半導体ウエハの割れを低減可能にする。
【解決手段】半導体素子の製造方法において、半導体基板１の一面側に第１の電極層３，４を厚さ（ｔ３＋ｔ４）が３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内となるように形成し、アニールを行った後、第１の電極層の表面上に第２の電極層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の膜厚が増加することを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁膜２０を形成するステップと、絶縁膜上に第１の金属膜３０を形成するステップと、第１の金属膜の上方に、酸素分子１モルあたりの金属酸化物を生成する際の生成エネルギーが負であって、かつ生成エネルギーの絶対値が第１の金属膜より大きい第２の金属膜５０を形成するステップと、第１及び第２の金属膜にパターニングを行うステップと、所定の熱処理を行うステップとを備える。 （もっと読む）

本出願は、基板上への金属、金属酸化物および／または半導体材料のパターンの形成方法と、上記方法により作成されるパターンと、上記パターンの用法とに関する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極を位置精度良く、かつ簡便に形成できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜有機トランジスタ１の製造方法では、フォトリソグラフィ法で感光性樹脂層８を形成し、無電解メッキ法でソース電極３及びドレイン電極４を形成するので、ソース電極３及びドレイン電極４を簡便かつ位置精度良く形成できる。そして、樹脂層７の表面に残存する感光性樹脂層８を剥がさずに、その上に有機半導体層９を形成する。つまり、感光性樹脂層８をソース電極３及びドレイン電極４を設けるためのマスク層として利用するだけでなく、有機半導体層９を樹脂層７の表面上に設けるための緩衝層として利用できる。これにより、有機半導体層９の半導体結晶の分子配列の配向性を向上できるので、半導体特性の良い薄膜有機トランジスタ１を提供できる。 （もっと読む）

【課題】しきい値のシフトの抑制可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高誘電率絶縁膜１３上に、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散を防止する拡散防止膜１０が形成されるため、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散が防止される。その結果として、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１と、絶縁膜１４とゲート電極１５の境界近傍において、ゲート電極１５のＳｉ元素との反応および結合が抑制される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み性がよくアスペクト比が高いコンタクトビアを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、前記半導体層上に設けられ、前記半導体層に電気的に接続する第１コンタクトビアを有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、第２コンタクトビアを有する第２絶縁層とを備え、前記第１絶縁層から前記半導体層の方向に形成されたトレンチの底面近傍において、前記第１コンタクトビアと第２コンタクトビアとが電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）