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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】工程を単純化するようにした薄膜トランジスターの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも一つのバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第1半導体層を形成する段階と、前記第1半導体層上にドーピングされた第2半導体層を形成する段階と、前記第2半導体層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】シリサイド層と半導体基板との間での接合リークを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1上にゲート絶縁膜2を介して形成されたゲート電極3と、ゲート電極3の両側における半導体基板1上に形成され、エクステンション領域となる第1エピタキシャル成長層5と、ゲート電極3の側面および第1エピタキシャル成長層5の一部を被覆するサイドウォール絶縁膜SWと、サイドウォール絶縁膜SWから露出した第1エピタキシャル成長層5上に形成され、ソースあるいはドレインとなる第2エピタキシャル成長層6と、サイドウォール絶縁膜SWから突き出た第2エピタキシャル成長層6の側面に形成され、当該側面におけるシリサイド層7の形成を防止する側壁保護膜13と、第2エピタキシャル成長層6の表面に形成されたシリサイド層7とを有する (もっと読む)


【課題】 タンタルを含む材料と、窒化珪素とのエッチング選択比を容易に制御可能としたエッチング方法及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 タンタルを含む材料からなる第1の部分と、窒化珪素からなる第2の部分と、を有する被処理体をエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスに窒素を添加した第1の混合ガスを用いて前記第2の部分をドライエッチングすることを特徴とするエッチング方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】素子の高効率化およびコンパクト化が可能な,有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板300上に半導体層310,ゲート電極330及びソース/ドレイン電極350,355を含む薄膜トランジスタ,及びソース/ドレイン電極350,355と接続される第1の電極360を同一層に形成し,第1の電極360上に積層され,少なくとも有機発光層を有する有機膜層380と,有機膜層380上に積層される第2の電極390とを含み,ソース/ドレイン電極及び第1の電極は,透明導電膜と,透明導電膜の下部に,0.1〜0.3原子%のSm,0.1〜0.5原子%のTb,0.1〜0.4原子%のAu及び0.4〜1.0原子%のCuを含むAg合金で形成される反射膜とを含んで形成される有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。 (もっと読む)


【課題】二次元正孔ガスの電気伝導を避けることができる構造を有しておりWruzite構造の窒化物系材料から成る電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】AlN支持基体13は、Wruzite構造を有する結晶からなり、導電性或いは絶縁性の支持体である。AlNエピタキシャル層15は、AlN支持基体13のN面エリア上に設けられている。GaNエピタキシャル層17は、AlNエピタキシャル層15上に設けられている。ゲート電極19は、GaNエピタキシャル層17上に設けられており、該GaNエピタキシャル層17にショットキ接合する。ゲート電極19は、二次元電子ガス23の伝導を制御する。ソース電極25およびドレイン電極27には、該ゲート電極19によって制御される電流が流れる。ヘテロ接合21の界面に二次元正孔ガスが形成されることなく、電界効果トランジスタ11の伝導が二次元電子ガス23を介して提供される。 (もっと読む)


【課題】従来の半導体装置では、過電圧から素子を保護するために設けられた保護ダイオードの耐圧特性が向上しないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、基板2上のエピタキシャル層3には、素子保護用の保護ダイオード1が構成されている。エピタキシャル層3表面にはショットキーバリア用金属層14が形成され、ショットキーバリア用金属層14の端部20の下方にはP型の拡散層9が形成されている。そして、P型の拡散層9よりカソード領域側にフローティング状態のP型の拡散層10、11が形成され、アノード電位が印加された金属層18と容量結合している。この構造により、空乏層の大きな曲率変化を低減し、保護ダイオード1の耐圧特性を向上させている。 (もっと読む)


【課題】 電極層の電気的特性の悪化を抑制できるようにする。
【解決手段】 ゲート電極分離領域GVに形成された第1の多結晶シリコン層5を除去する工程の前に、ゲート電極形成領域GCに形成されたシリコン窒化膜10、WSi膜9、第3の多結晶シリコン層8、ONO膜7、第2の多結晶シリコン層6の側壁を保護するための保護膜14を形成しているため、これらの各層6〜10を保護することができ第1の多結晶シリコン層5をエッチング処理するときの各層6〜10の機能低下を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 良好な電気的特性のトランジスタが得られるようにし、これによって半導体装置の微細化や高密度化を可能にし、さらには3次元に積み重ねることをも可能にした、半導体装置の製造方法とこの製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体1上に形成された結晶性半導体膜3のうち第1の部分以外の少なくとも第2の部分及び第3の部分に不純物を注入する第1の工程と、第2の部分および第3の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第2の工程とを備える。第2の工程において、少なくとも第2の部分および第3の部分に対して加熱処理を施すことにより、第1の部分の少なくとも一部をシードとする第2の部分及び第3の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。 (もっと読む)


【課題】 LOCOSオフセット構造を採らなくても、トランジスタの耐圧が高い半導体装置の提供を提供する。
【解決手段】 MOSトランジスタ100のゲート電極11とドレインプラグ17との間のシリコン基板1上に、絶縁膜7を介して電界集中緩和用のスポットプラグ19が設けられており、このスポットプラグ19は、ゲート電極21の上方まで延ばされたソース電極21に接続している。このような構成であれば、ゲート電極11下とドレイン領域5との境界部分は、スポットプラグの影響を受けて電界集中が緩和され、その勾配が緩やかになる。 (もっと読む)


【課題】電気的性能とはんだの接着性との両方が改善された半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、(a)導電性銀粉末と、(b)粒径が7ナノメートルから100ナノメートル未満の範囲内にあるZn含有添加剤と、(c)軟化点が300から600℃の範囲内にあるガラスフリットとが、(d)有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、p−n接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、(a)前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、(b)前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 (もっと読む)


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