本発明は、基板と、フィンにおける第１，第２のソース／ドレイン領域の間にチャネル領域が形成され、かつ、フィンの上部にゲート領域が形成されるフィンを有する、上記基板上および／または上記基板中に形成される、第１のＦｉｎ電界効果トランジスタと、フィンにおける第１，第２のソース／ドレイン領域の間にチャネル領域が形成され、かつ、当該フィンの上部にゲート領域が形成されるフィンを有する、上記基板上および／または上記基板中に形成される、第２のＦｉｎ電界効果トランジスタとを備えた、Ｆｉｎ電界効果トランジスタ配置に関する。上記第１のＦｉｎ電界効果トランジスタのフィンの高さは、上記第２のＦｉｎ電界効果トランジスタのフィンの高さよりも高くなっている。
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形態が向上した金属層を基材の上に形成する方法および処理ツールが提供される。本方法は、プラズマの中で励起された化学種に基材を曝すことによって基材を前処理するステップと、金属カルボニル前駆物質を含有するプロセスガスに前処理された基材を曝すステップと、金属層を前処理された基材の上に化学蒸着法で形成するステップとを含む。金属カルボニル前駆物質は、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、またはＲｕ_３（ＣＯ）_１２、もしくはこれらの任意の組合せを含み、金属層は、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ、またはＲｕ、もしくはこれらの任意の組合せをそれぞれ含み得る。
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本発明は、核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物に関する。本発明はまた、前記核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物を生成するのに十分な反応条件下で、ビス（置換ペンタジエニル）ルテニウム化合物を置換シクロペンタジエン化合物と反応させることを含む核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物を製造する方法に関する。本発明は、核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物前駆体を分解し、これにより被膜、コーティング又は粉末を製造することにより、被膜、コーティング又は粉末を製造する方法にさらに関する。 （もっと読む）

本発明は、複合表面の特定の領域を導電性膜で選択的にコーティングするための方法、マイクロ電子機器の配線を製造するための方法、集積回路を製造するための方法およびプロセスおよび、特に、金属配線の回路網の形成に関する。本発明はさらに、マイクロシステムおよびコネクタを製造するための方法およびプロセスに関する。 （もっと読む）

半導体発光ダイオード上での反射層の作製。基板上に複数のエピタキシャル層があるウェハを有する半導体発光ダイオード上に反射層を作製する方法であって、複数のエピタキシャル層の前面上に第１のオーム接触層を適用するステップを含み、第１のオーム接触層は、反射層としても作用するように反射材料のものである。 （もっと読む）

電界駆動デバイス及び作動方法が提供される。各デバイスは、印加電界に対して多機能の応答を提供するために、一種以上のドープ導電性ポリマーを使用している。デバイスは、デバイス（１０）用のゲートコンタクト（２２）を提供するように作動できる導電層（３０）と、デバイス（１０）用のソース（２４）及びドレイン（２６）コンタクト並びに活性層を提供するように作動できる導電性ポリマー層（１４）と、導電層（１２）と導電性ポリマー層（１４）との間に形成された絶縁性ポリマー層（１６）とを有し、前記層の組合わせにより、複数の応答機能の内の少なくとも２機能を行うようにデバイス（１０）が作動できる。 （もっと読む）

ショットキーバリア炭化ケイ素デバイスは、レニウムショットキー金属接触を有している。レニウム接触（２７）は２５０Åよりも厚く、２０００Åから４０００Åまでの間であり得る。ターミネーション構造は、ショットキー接触の周囲の環状領域をイオンミリングすることによって与えられる。
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【課題】
【解決手段】処理チャンバ内で、基板上に少なくとも一つのシリコンゲルマニウム層を有するスタックをエッチングする方法を提供する。シリコンゲルマニウムエッチングを提供する。エッチャントガスは、処理チャンバ内に提供され、エッチャントガスは、ＨＢｒと、不活性希釈剤と、Ｏ₂及びＮ₂の少なくとも一方とを含む。基板は、４０℃未満の温度に冷却される。エッチャントガスは、シリコンゲルマニウム層をエッチングするために、プラズマに転換される。 （もっと読む）

電流安定性の改善された自己整列型炭化ケイ素パワーＭＥＳＦＥＴおよびそのデバイスの作成方法を記載する。このデバイスは、ゲート凹部により分離されたレイズドソースおよびドレイン領域を含み、低ゲートバイアスにおいてでさえ表面トラップ効果が低減されるため、電流安定性が改善される。このデバイスは自己整列型プロセスを用いて作成され得る。このプロセスでは、金属エッチマスクを用いて、ｎドープのＳｉＣチャネル層上のｎ^＋ドープのＳｉＣ層を備えた基板がエッチングされてレイズドソースおよびドレイン領域が規定される。この金属エッチマスクがアニールされ、ソースおよびドレイン・オームコンタクトが形成される。単層または多層の誘電性フィルムが成長または堆積され異方性エッチングされる。蒸着または別の異方性堆積技術を用いて、ショットキーコンタクト層および最終金属層が堆積され、オプションとして、誘電性層の等方エッチングされる。
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埋設コンタクト型太陽電池、埋設コンタクト型太陽電池構成要素、及び埋設コンタクト型太陽電池太陽電池の製造方法であって、複数の埋設コンタクト面の溝内にセルフドーピングコンタクト材料が配置される。溝ドーピング処理とメッキ処理とを組み合わせることで、太陽電池をより単純な方法で経済的に製造できる。
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