本発明は、有機物層を有する有機トランジスタが提供される。本発明の前記有機物層は、下記式１で表される化合物のうち少なくともいずれか１種を含む。

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【課題】 カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタと、カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタのアレイと、デバイス構造体とを製造するための方法、及び、該方法によって形成されたデバイス構造体のアレイを提供する。
【解決手段】 本方法は、ゲート電極層と、各々がソース／ドレイン・コンタクトと電気的に結合された触媒パッドとを含む積層構造体を形成することを含む。ゲート電極層は多数のゲート電極に分割され、少なくとも１つの半導体カーボン・ナノチューブが、化学気相堆積プロセスによって触媒パッドの各々の上に合成される。完成したデバイス構造体は、ゲート誘電体によって覆われた側壁を有するゲート電極と、該ゲート電極の該側壁に隣接する少なくとも１つの半導体カーボン・ナノチューブとを含む。ソース／ドレイン・コンタクトを半導体カーボン・ナノチューブの両端と電気的に結合することによって、デバイス構造体が完成する。多数のデバイス構造体は、メモリ回路又は論理回路のいずれかとして構成することができる。 （もっと読む）

本発明は、Ｙ−分岐型炭素ナノチューブの製造方法及びこの方法によって製造されたＹ−分岐型炭素ナノチューブに関し、具体的には、炭素ナノチューブ担体に触媒を担持させ、触媒−担持された炭素ナノチューブを前処理して触媒を炭素ナノチューブ表面に強く結合させ、結果として得られた触媒−担持された炭素ナノチューブ状の触媒を用いて炭素ナノチューブの合成反応を行うことを含むＹ−分岐型炭素ナノチューブの製造方法が提供される。
本発明によるＹ−分岐型炭素ナノチューブ製造方法は、既存の炭素ナノチューブ製造のための工程条件と装置を用いて様々な形態のＹ−接合を１つ以上有するＹ−分岐型炭素ナノチューブを容易に簡便かつ大量で合成することができるようにするため、工業的に非常に有望である。このように製造されたＹ−分岐型炭素ナノチューブは電極の材料、高分子の強化材、トランジスタあるいは電気化学的材料で卓越した潜在性を有している。

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コンタクトホールのエッチングにおいて、エッチングの途中においてイオン照射のエネルギーだけでなく、ガス組成を変化させ、高速エッチングから低速エッチングに切り替え、ダメージを低減させる。低速エッチングでは、ガス組成をも変化させることにより、コンタクトホール底部に、強固なフロロカーボン膜を形成し、シリコン表面を保護した状態でエッチングすることができる。このため、シリコンにドープされた不純物の不活性化を防止できる。
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【課題】
【解決手段】 バイポーラ接合トランジスタ（１００）に関連する方法、装置、デバイスの実施例が記載されている。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物デバイスが、名目上オフ、すなわち、エンハンスメントモードのデバイスを作製するための凹部電極を含む。凹部電極を設けることによって、デバイス中の電流の流れを阻止するために、電極が非能動であるときに２つのＩＩＩ族窒化物材料の境界面に形成された導電チャネルが中断される。電極はショットキー接点または絶縁金属接点であり得る。名目上オフの特性を有する整流器デバイスを形成するために、２つのオーム接点を設けることができる。電極が形成された凹部は傾斜側面を有することができる。電極は、デバイスの電流運搬電極と組み合わせて幾つもの幾何学配置で形成可能である。電極が凹部でないとき、名目上オンのデバイス、すなわち、ピンチ抵抗が形成される。ダイオードは、絶縁体を貫通してＡｌＧａＮ層に達する非凹部のオーム接点およびショットキー接点を設けることによっても形成される。
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第１寸法を有するゲート電極層を備えたゲート電極構造をトリミングする方法および処理ツールを提供する。反応層は、ゲート電極構造と反応することによって形成される。そして、この反応層は、化学エッチングによって、ゲート電極構造の未反応部分から選択的に除去される。これにより、第１寸法よりも小さい第２寸法を有するトリミングされたゲート電極構造が形成される。トリミング処理は、反応層の形成が実質的に自己制限的となるプロセス条件にて実行される。トリミング処理は、ゲート電極構造の寸法をさらに減少させるために繰り返し行うことができる。
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半導体基板（１０２）に集積回路の形成方法（９００）を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート絶縁膜（１０４）が形成され、このゲート絶縁膜（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。低出力プラズマ化学気相成長法プロセスを使用して、ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。ソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）およびゲート（１０６）に、シリサイド（６０４）（６０６）（６０８）を形成し、半導体基板（１０２）上に層間絶縁層（７０２）をたい積する。その後、層間絶縁層（７０２）中にシリサイド（６０４）（６０６）（６０８）へのコンタクト（８０２）（８０４）（８０６）が形成される。
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処理容器内で成膜温度に加熱された半導体ウエハにＴｉＣｌ_４ガスおよびＮＨ_３ガスを供給してＣＶＤによりＴｉＮからなる膜を形成する第１ステップと、ＴｉＣｌ_４ガスを停止してＮＨ_３ガスを供給する第２ステップとからなるサイクルを１サイクル以上繰り返し、半導体ウエハ上に所定厚さのＴｉＮ膜を成膜するにあたり、成膜の際における半導体ウエハの温度を４５０℃未満とし、処理容器内の全圧を１００Ｐａ超とし、第１ステップにおける処理容器内のＮＨ_３ガスの分圧を３０ｐａ以下とする。 （もっと読む）

一対の電極と、該一対の電極間に設けられた、１本または複数のカーボンナノチューブにより構成されるキャリア輸送体と、を備え、前記一対の電極のうち、一方の電極および前記キャリア輸送体の第１の界面と、他方の電極および前記キャリア輸送体の第２の界面と、が異なる障壁レベルとなるように、これら２つの接続構成を異なる構成とすることで、高周波応答性、耐熱性に優れたキャリア輸送体を備えた整流素子を提供し、併せて、それを用いた電子回路、並びに整流素子の製造方法を提供する。
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