【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

電界効果トランジスタのゲート電極などの、シリコン含有領域に、埋め込まれたニッケルシリサイド層（２６０Ａ）、続いてコバルトシリサイド層（２６１Ａ）を形成することによって、縮小されたシリコン回路構造のシート抵抗及び接触抵抗を過度に損なうことなく、デバイスを更に縮小することができるように、両シリサイドの優れた特性が組み合わせられる。
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【課題】 集積回路の製造におけるＣＭＯＳ電界効果トランジスタを製造するための改善された方法、及び、トランジスタの金属ゲートの仕事関数を制御するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】 トランジスタのゲート電極を含むポリシリコン材料を選択的にドープするステップと、完全にシリサイド化するステップとを含む、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタを製造する方法である。一実施形態において、シリサイド化する前に、ポリシリコンがアモルファス化される。更に別の実施形態において、シリサイド化が、低い基板温度で実行される。 （もっと読む）

【構成】自己整列リセス・ゲート構造及び形成方法が開示されている。最初に，絶縁用のフィールド酸化物領域を半導体基板内に形成する。半導体基板の上に形成された絶縁層内に複数のコラムを画定し，それに続いて，薄い犠牲酸化物層を半導体基板の露出領域の上に形成するが，フィールド酸化物領域の上には形成しない。次に，各コラムの側壁上，並びに犠牲酸化物層及びフィールド酸化物領域の一部分の上に誘電体を設ける。第１エッチングを行い，それにより，半導体基板内に第１組のトレンチを，またフィールド酸化物領域内に複数のリセスを形成する。第２エッチングを行い，それにより，コラムの側壁上に残っている誘電体残留部を除去し，かつ第２組のトレンチを形成する。次に，第２組のトレンチ内及びリセス内にポリシリコンを堆積させ，それにより，リセス導電性ゲートを形成する。 （もっと読む）

【課題】 高性能デバイスの金属置換ゲートのための構造および形成方法を提供する。
【解決手段】 まず、半導体基板（２４０）上に設けたエッチ・ストップ層（２５０）上に、犠牲ゲート構造（２６０）を形成する。犠牲ゲート構造（３００）の側壁上に、１対のスペーサ（４００）を設ける。次いで、犠牲ゲート構造（３００）を除去して、開口（６００）を形成する。続けて、スペーサ（４００）間の開口（６００）内に、タングステン等の金属の第１の層（７００）、窒化チタン等の拡散バリア層（８００）、およびタングステン等の金属の第２の層（９００）を含む金属ゲート（１０００）を形成する。 （もっと読む）

集積回路（１００）の形成方法（９００）およびその構造を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート誘電体（１０４）が形成され、ゲート誘電体（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）に浅いソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。この側壁スペーサ（４０２）を使用して、半導体基板（１０２）中に深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）が形成される。浅いソース／ドレイン接合部および深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）を形成した後、側壁スペーサ（４０２）上にシリサイドスペーサ（６１０）を形成する。シリサイドスペーサ（６１０）に隣接する深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）上にシリサイド（６０４）（６０６）を形成し、半導体基板（１０２）上に誘電体層（７０２）をたい積する。その後、誘電体層（７０２）においてシリサイド（６０４）（６０６）へのコンタクトを形成する。
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支持体を含む要素であって、導電率増強剤を含有する印刷溶液が導電性層に接触すると、該印刷溶液と接触させられた領域の抵抗率が10分の1以下に減少するように、該支持体上に導電性ポリマーを含有する導電性高分子層が配置されている、要素。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高解像度構造を有する有機電子部品、特に低ソースドレーン間の距離を有する有機電界効果トランジスタ（OFET）及びその生産方法に関する。
【解決手段】有機電子部品は、生産中レーザーを用いて作られた凹部及び／又は修正された区域を有し、その中には、例えば、金属の導体トラック／電極が配置される。 （もっと読む）

本発明はマスキング方法を包含する。１つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約０．５原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 （もっと読む）

高温で顕著に変化しないn型またはp型の仕事関数を有する遷移金属合金の実施例を示した。示された遷移金属合金は、トランジスタのゲート電極として使用しても良く、ゲート電極の一部を構成しても良い。これらの遷移金属合金を用いて、ゲート電極を形成する方法についても示した。
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