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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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抵抗状態および導電状態間で切替可能なカルコゲニド材料を含む多端子電子スイッチングデバイスである。このデバイスは、第1の端子と、第2の端子と、制御端子を備える。制御端子に制御信号を印加することによって第1の端子および第2の端子間の前記カルコゲニド材料の導電性および/または第1の端子および第2の端子間の前記カルコゲニド材料を抵抗状態から導電状態へスイッチするのに必要な閾値電圧を変調する。このデバイスは回路またはネットワーク内で相互接続デバイスまたは信号付与デバイスとして用いることもできる。 (もっと読む)


半導体ウェーハ処理装置(10)のチャンバ(16)と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのICP電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で20%から80%の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Si及びSiO汚染物質又はCFx汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト(46)から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【課題】 従来のMOSFETデバイスに比べてGIDL電流が小さい低GIDL電流MOSFETデバイス構造を提供する。
【解決手段】 MOSFETデバイス構造は、縁部がソース/ドレイン拡散にわずかに重なる場合(82)がある中央ゲート導体と、薄い絶縁性の拡散バリア層によって中央ゲート導体から分離した側方ウイング・ゲート導体とを含む。また、側方ウイング・ゲート導体の左右の横方向の縁部が、前記ソース拡散領域および前記ドレイン拡散領域の一方に重なる場合(80)も含まれる。 (もっと読む)


【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 例えば50〜600℃程度の低温域での降温率を高くでき、熱処理のスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Wに対して所定の熱処理を施す熱処理装置40において、排気可能になされた筒体状の処理容器42と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段58と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段78と、前記処理容器の内側に配置されて前記被処理体を加熱する加熱手段76と、前記処理容器の壁面を冷却する容器冷却手段110と、を備える。これにより、全体としての熱容量が小さくなり、しかも、処理容器の壁面が冷たいので、低温域での降温率(降温速度)及び動特性を大幅に向上させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 SiOにより構成されたゲート絶縁膜12およびその上に積層され、SiNにより構成された層間絶縁膜13に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第1の保護金属層170と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層172と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜12よりも厚く形成された第2の保護金属層174とがこの順で積層された電極53を形成する。 (もっと読む)


【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Cu16とバリアメタル12、あるいはCu16とキャップ層19との界面近傍に、不純物15を固溶させる、不純物15を析出させる、非晶質Cu14を存在させるまたはCuとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Cuのエレクトロマイグレーション(EM)に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 (もっと読む)


【課題】TFTと凹部又は凸部を有する反射電極とを形成する方法であって、製造工程数及び製造コストの削減が図られた方法、及びこの方法が適用された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 金属膜7の上に感光性膜8を形成し、この感光性膜8から残部81、82及び83を形成し、この残部81、82及び83をマスクとして金属膜7をエッチングし、この残部81、82及び83を剥離せずに感光性膜9及び反射電極膜10を形成する。 (もっと読む)


【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板10の一方の面10aに少なくとも孔10bを形成する工程と、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上と、孔10bの内面上とに、めっき給電層14を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層14を介して、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上に形成され、かつ孔10bを埋め込む金属層18を形成する工程と、金属層18を研磨することにより、孔10bに金属層18が埋め込まれた金属層のパターン17a,17bを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03−38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 (もっと読む)


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