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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03−38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 (もっと読む)


【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、GaAs等の第1の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプII構造のバンド構造を有する属元素と6属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスGaS層(a−GaS層)を有するものである。 (もっと読む)


【課題】 微細トランジスタと高耐圧トランジスタの線幅バラツキを低減する。
【解決手段】 P型の半導体基板1上の段差部を境にしてP型ウエル2及びN型ウエル3が形成されたものにおいて、段差低部に形成される前記P型ウエル2上に第1線幅を有する第1のトランジスタ(微細トランジスタ)が形成され、段差高部に形成される前記N型ウエル3上に第1のトランジスタよりも線幅の太い第2線幅を有する第2のトランジスタ(高耐圧トランジスタ)が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 再現性の高い工程を用いて低抵抗のゲート電極を有するGOLD構造を構成できるようにし、それにより、微細化が可能であるとともに信頼性の高いMOSトランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体基板1に形成したソース及びドレイン領域10a,10bと、酸化膜3bを介して形成したゲート電極5と、前記ソース及びドレイン領域10a,10bとチャネル形成領域30の間に前記ソース及びドレイン領域10a,10bを取り囲むソース及びドレイン低濃度領域6a’,6b’とを有するMOSトランジスタにおいて、前記酸化膜3bを介して前記ソース及びドレイン低濃度領域6a’,6b’に接する導電性である2つのサイドスペーサ9aと、前記ゲート電極5及び前記サイドスペーサ9a上に形成された導電性薄膜15とを有する。 (もっと読む)


【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているAg合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線22,24,26及びデータ配線65,66,68を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁層及びヴィア形成において、形成された絶縁層の表面が非常に平滑となり、薄膜素子等を信頼性及び歩留り良く、高い自由度を以って形成でき、さらには微小なヴィア形成が可能である絶縁層及びヴィア(接続孔)の形成方法、及びそれを用いた多層配線基板並びにモジュール基板等の配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 台座20を介してマスク基板21を配置し、この基板21とコア基板1との間に感光性エポキシ樹脂などの感光性絶縁材料3Aを介在させ、これをパターン露光して現像してヴィアホール7を形成する。この現像により、微小なヴィアホール7を形成できると同時に、マスク基板21のコア基板対向面21aによって絶縁材料(従って、絶縁層3)を平坦かつ滑らかな表面に、しかも常に設定された厚みに形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。
【解決手段】 半導体基板10上にゲート絶縁膜11を介してポリシリコン膜12を堆積した後、該ポリシリコン膜12の上に、第1の窒化チタン膜14、チタン膜15及び第2の窒化チタン膜16からなるバリア膜を形成する。バリア膜の上にタングステン膜18を堆積して、ポリシリコン膜12、第1の窒化チタン膜14、チタン膜15、第2の窒化チタン膜16及びタングステン膜18からなる電極構造体を形成した後、該電極構造体に対して750℃以上の熱処理を施す。このようにすると、第1の窒化チタン膜14中の窒素がチタン膜15及びポリシリコン膜12に拡散して、ポリシリコン膜12とタングステン膜18との間に新たな窒化チタン膜19が形成されると共に、ポリシリコン膜12の表面に窒化シリコンからなり厚さの小さい反応層20が形成される。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 AlCu膜103Cと、厚みが0〜15nmのTi膜との反応によりAl3 Ti層103DをAlCu膜とTiN膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつAl3 Ti層形成時に発生する引張り応力を低減し、EM耐性を向上させる。その後のFSG膜104AをHDP−CVD法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を450℃以下にすることにより、FSGとAlCuの熱膨張率差に起因するAlCu膜の残留引張り応力の発生を低減し、SM耐性及びEM耐性を向上させる。さらに、FSG膜の上にSiON膜を設けることにより、FSG膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 (もっと読む)


【課題】オーバーエッチングが十分に行えて、しかもアルミニウム配線層の片落ちを起こすことのない微細ピッチの金属配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル層11、実質的なアルミニウム配線層12、さらに破線で示すフォトレジスト層PRと接触する、最上層がタングステン膜(W)で構成されるキャップ層13が順に積層されている。このような配線パターンのエッチングに際し、オーバーエッチングによりフォトレジスト層PRが目減りしてエッジ部分が型崩れすることがあっても、アルミニウム配線層12の形状には影響ない。すなわち、最上層のタングステン膜(W)は、アルミニウム配線層12をエッチングする際のエッチングマスク(ハードマスク)となり得るからである。 (もっと読む)


【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したMIS型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。 (もっと読む)


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