【課題】 金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。
【解決手段】 第１の金属配線１３の一端部１３ａと第２の金属配線１５の一端部１５ａとは第１のプラグ１６を介して接続されており、第１の金属配線１３の他端部１３ｂと第３の金属配線１７の一端部１７ａとは第２のプラグ１８を介して接続されている。第１、第２及び第３の金属配線１３、１５、１７の配線幅は、互いに等しいと共に第１及び第２のプラグ１６、１８の径ともほぼ等しい。第１の金属配線１３の他端部１３ｂの配線幅は、第１の金属配線１３の一端部１３ａ及び第３の金属配線１７の一端部１７ａの配線幅よりも大きい。第２の金属配線１５の一端部１５ａの配線幅は第１の金属配線１３の一端部１３ａの配線幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造は、電極４の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体ＧａＮ層３への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極４を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】 リセス巾およびリセス深さを制御性良く作製できる多段リセス構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体の導電層上に第１のリセスエッチングストッパー層５を設け、リセスエッチングストッパー層５上に第１の半導体層６を設け、さらに第１の半導体層６上に第２のリセスエッチングストッパー層７を設け、第２のリセスエッチングストッパー層７上に第２の半導体層８を設け、第１および第２の半導体層６，８の異方性エッチング液として、クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合液からなるエッチング液を用いる。 （もっと読む）

【課題】銅合金、例えばＣｕ−Ｍｇ又はＣｕ−Ａｌの層がシリコン酸化物をベースにした誘電体層上に堆積され、銅合金の層上に実質的に純粋の銅の層が堆積される銅のメタライゼーション構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】銅合金の層(112) は、通路の孔及びトレンチ(66)を続いて純粋な銅(112) で充填するためのシード又はウエッティング層として働き、下にある誘電体(64)と上にある純粋な銅(112) との境界面にバリアを与える。銅合金(112) は、スパッタ工程においてコールド堆積されてもよいが、純粋な銅層の堆積中か、その後に分離したアニーリングステップにおて、温度が充分上昇され、銅合金の合金元素が誘電体層に移動するようにする。内部のバリアは合金層の誘電体層への接着を促進し、それによって、続く銅の完全充填技術に対する優れたウエッティング及びシード層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 拡散層の抵抗及びゲート電極の抵抗を下げ、動作スピードを向上させた信頼性の高い微細素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 素子分離領域２により規定された半導体基板１上の素子形成領域に熱酸化膜３を形成する工程と、多結晶シリコン膜４を堆積する工程と、多結晶シリコン膜４をゲート電極形状に加工する工程と、半導体基板１全面に酸化膜５を堆積した後、この酸化膜５をエッチバックして絶縁側壁５を形成する工程と、半導体基板１全面にＴｉ膜６を堆積する工程と、窒化膜７を堆積する工程と、パターニング技術により素子分離領域２の窒化膜７を除去する工程と、Ｔｉ膜８膜を堆積する工程と、熱処理を行い半導体基板１表面及び多結晶シリコン膜４の表面にシリサイド層９、１０、９１を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 チタンシリサイドの層抵抗を十分低く抑えつつ、拡散層とシリサイド層との間の接触抵抗を低減する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上の所定部分に対してイオン注入を行い、アモルファス化領域１０を形成する。次いで、４００℃以上６５０℃以下の温度でチタンを堆積する。その後、シリコン基板を６００℃以上８００℃以下の温度で加熱する。 （もっと読む）

【課題】 金属プラグ近傍の上層配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上する。
【解決手段】 下層配線3上に層間絶縁膜4を堆積させる。次に絶縁膜４に開口部5を形成する。次に開口部にタングステンまたはアルミニウムを埋め込み、下層配線と電気的に接続する金属プラグ7を形成する。次に金属プラグ７上部に凹部を形成する。次に凹部にのみ銅8を堆積する。最後に銅を含んだアルミニウム合金からなる上層配線9を形成し、熱処理を行う。これにより金属プラグ７の上層配線の金属プラグ７近傍で、アルミニウム銅化合物が形成され、金属プラグ７近傍の銅濃度が増加する。したがって金属プラグ近傍のエレクトロマイグレーション耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 簡略化された工程により、良好な被覆率が得られる半導体装置の配線接続孔の形成方法を目的とする。
【解決手段】 半導体素子１が形成された半導体基板２側から積層方向に向かって高濃度になるようにリン、ボロンのうち少なくとも一方を含む不純物をド−プしながら層間絶縁層８、９、１０を積層する工程と、層間絶縁層８、９、１０上にフォトレジスト１１を塗布しフォトレジストパタ−ン１２ａ、１２ｂを形成後、層間絶縁層８、９、１０を前記半導体素子まで異方性エッチングして、配線接続孔１３ｃ、１３ｄを形成する工程と、フォトレジスト１１を除去後、不純物の濃度が増加すると共に層間絶縁層８、９、１０のエッチング量が増加するアンモニア過水により配線接続孔１３ｃ、１３ｄをエッチングして、配線接続孔１３ｃ、１３ｄの上部が下部よりも広がった形状にする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に電気的に接続するアルミニウム系金属からなる配線は、オーバエッチング時にその配線下部にアンダーカットを生じるため、配線の信頼性を大きく低下させていた。
【解決手段】 半導体基板１１に電気的に接続されている配線２１であって、配線２１は、半導体基板１１上に形成された絶縁膜１２上に設けられ、サイドエッチング防止層２２とこのサイドエッチング防止層２２上に形成した導電層２３とからなるものである。上記サイドエッチング防止層２２は絶縁膜１２上で少なくとも７０ｎｍの厚さを有することが必要である。 （もっと読む）

【課題】 多層配線に適し、且つ、高速性にも対応できる低抵抗の配線構造及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】 コンタクト孔を有する絶縁膜を有する配線構造において、コンタクトホール以外の領域の絶縁膜に、直接、Ｗ層をスパッタリングにより被着させた配線構造が得られる。Ｗ層は、コンタクトホールの領域では、Ｔｉ／ＴｉＮ等により形成されたプラグと電気的に接続されている。また、スパッタリングによって形成されたＷ層は、（２００）及び（２１１）の配向性を有していることが好ましい。 （もっと読む）