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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】 薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリックス型の液晶表示装置において、ゲート電極を含む走査ラインをAl−Nd合金によって形成した際に、ピンホール(ボイド)が発生しても別に問題はなく、しかも抵抗率を10μΩcm程度以下とする。
【解決手段】 ゲート電極2を含む走査ラインは、ガラス基板1上に形成されたAl−Nd合金からなる第1配線層2aと、この第1配線層2a上に形成されたAl−Ti合金からなる第2配線層2bとによって構成されている。この場合、Al−Nd合金からなる第1配線層2aにピンホールが発生しても、その上に形成されたAl−Ti合金からなる第2配線層2bによって断線を防止することができ、したがってピンホールが発生しても別に問題はなく、しかも抵抗率を10μΩcm程度以下とすることができる。 (もっと読む)


【課題】 窒化チタンをバリアメタルとして使用し、その上にAl合金層を形成する場合、バリアメタルのバリア性を向上させ、しかもAl合金層の埋め込み性を良好にしてステップカバレッジを向上させる。
【解決手段】 シリコン基板10上に、層間絶縁膜11を形成し、コンタクトホール12を形成する(図1(a))。この後、チタン層13、第1窒化チタン層19、第2窒化チタン層14、Al合金層15を真空中で連続的にスパッタ成膜する(図1(b))。続いて、Al合金層15のリフロー処理を行う(図1(c))。このリフロー熱処理中に、窒化チタン層14とAl合金層15の間にチタンとアルミニウムの金属間化合物である歪み緩和層17が形成される。この後、反射防止膜としてのチタン層20、窒化チタン層21を形成し、パターニングを行った後、保護膜16を形成する(図1(d)、(e))。 (もっと読む)



【課題】 トレンチ溝やコンタクト孔形状に対する、気相及び他の物質表面からの入射フラックスについて、基本的な式は与えられているが、具体的な形が与えられていないか、ストリングモデル形状には適用しにくい表現になっている。
【解決手段】 半導体集積回路の加工形状を予測するために気相及び他の物質表面からの入射フラックスを算出する際、シャドウイングにより範囲を狭め、気相からの入射フラックスの算出は、シャドウイングの開き角度について積分された解析関数を用いて行い、物質表面からの入射フラックスの算出は、シャドウイングの軸の周りの角度について積分された解析関数を用いて行う。 (もっと読む)


【課題】 TFT基板の品質を良好にし、TFT基板の製造コストを安価にする。
【解決手段】 厚さ60nmのCr膜28、厚さ300nmのAl−Si膜29をスパッタリングにより連続成膜し、この上にレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストをマスクにしてAl−Si膜29をリン酸:硝酸:酢酸:水系のエッチング液を使用したウエットエッチングにより加工したのち、Cr膜28をCF4+O2ガスを使用したドライエッチングにより加工し、画素電極24と接続されたソース電極31、映像信号線(図示せず)と接続されたドレイン電極32を形成し、つぎにN+型非晶質Si膜をSF6+HClガスを使用したドライエッチングにより加工し、N+型半導体層27を形成する。 (もっと読む)



【課題】 信頼性にすぐれた配線を提供すること。
【解決手段】 本発明は、半導体集積回路の配線形成において、配線加工(ミリング)のストッパー層として用いる導電膜をマスクに層間絶縁膜に穴を形成することで、層間絶縁膜の上にのみストッパー層を形成し、穴の内部は配線主体である1種類の導電膜のみで形成することで、エレクトロマイグレーション耐性に優れた配線を実現する。 (もっと読む)


【課題】 表面段差の軽減、容量増大を図り、漏洩電流も少なく、かつ精度の向上、工程の簡素化を図れる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板201上に第1、第2絶縁膜203,204を形成し、コンタクト領域の第2絶縁膜204を除去し、全面に第3絶縁膜205を形成し、キャパシタ領域の第3絶縁膜205を除去し、露出した第2絶縁膜204をマスクとして第1絶縁膜203にコンタクトホール206を形成し、全内壁および第3絶縁膜205の表面に導電層207を形成し、さらに平坦化層212を形成し、平坦化層212を第3絶縁膜205の表面まで削り出し、同時に導電層207を第3絶縁膜205の表面から除去して、第3絶縁膜205の除去部内壁およびコンタクトホーツ206に段付き2重シリンダ形状に貯蔵電極208を形成する。その後、残存平坦化層212と残存第3絶縁膜205を湿式食刻で除去する。 (もっと読む)


【目的】 配線で発生した熱をすばやく伝達することができ、かつ、配線の有する容量が小さな層間絶縁膜を形成することにより、高速で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【構成】 本発明の半導体装置は、導電性基体の表面及び/又は裏面上に、第1の絶縁物を介して積層された多層の金属等の低抵抗配線を有する半導体装置において、前記低抵抗配線間にある前記第1の絶縁物に貫通孔が設けられ、かつ、前記貫通孔が、少なくとも導電物で充填された孔(スルーホール:TH)と、前記第1の絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第2の絶縁物で充填された孔(ダミーホール:DH)とからなることを特徴とする。さらに、前記低抵抗配線と前記導電性基体との間、又は、前記低抵抗配線のうち最上層に位置する低抵抗配線と放熱装置との間にも、同様のTHとDHとを有することを特徴とする。 (もっと読む)



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