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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【目的】 ゲート電極の2段リセス形状を一定に制御可能とする。
【構成】 半導体基板1の上面にn型GaAs等の活性層2を成長させ、活性層2の厚さが1000〜2500オングストロームとなった時点でAlGaAs等のストッパー層3を成長させ、引き続いてn型GaAs等の活性層4を成長させる。活性層4の上面に形成したソース及びドレイン電極5,6上のレジストパターンをマスクとして活性層4を選択的にエッチングして、外側の幅の広いリセス8を形成する。リセス8の深さd2は活性層4の膜厚に等しい。更にストッパー層3及び活性層2をエッチングして内側の幅の狭いリセス10を形成し、当該リセス10の底面にゲート電極11を蒸着リフトオフ法により形成する。 (もっと読む)


【目的】半導体ポリサイド処理における集塊および転移を防止する。
【構成】半導体基板5上にドープ・ポリシリコン層15を形成し、ドープ・ポリシリコン層の上に窒素含有導電層20を形成し、窒素含有導電層に含まれる窒素がこの導電層の熱安定性を改善し、窒素含有導電層およびドープされたポリシリコン層をパターニングして導体25を形成する。 (もっと読む)


【目的】 多層配線の層間接続において、下層配線にオーバラップ部を設けることなく、接続孔開口時の合わせずれマージンを導入する、多層配線形成方法およびその構造を提供する。
【構成】 下層配線3の厚さ方向の1部をエッチングして第1のパターンを形成した後、マスク8と第1のパターンの側面にイオウ系材料による昇華性側壁9を形成し、下層配線の厚さ方向の残部をエッチングし第2のパターンを形成する。第2のパターンのテラス部3Tが接続孔開口時の合わせずれマージンとなる。
【効果】 接続孔のアライメントがずれても、テラス部Tがエッチングトッパとなり、絶縁層2に損傷を与えることがない。テラス部3Tの幅はセルフアラインで決定されるのでプロセスは安定であり、配線密度の高集積化が達成される。 (もっと読む)


【目的】3−5族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、LEDの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとする。
【構成】InX Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3−5族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、3−5族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、400℃以上で熱処理することを特徴とする3−5族化合物半導体用電極の製造方法。 (もっと読む)


【目的】 ゲート抵抗を低減し、かつ、パンチスルーストッパによる寄生容量を減少させたMOSFETの構造およびその製造方法を提供する。
【構成】 素子分離酸化膜2で囲まれた基板1の領域に、基板と同じ導電型の不純物領域4、LDD用拡散層12、ソース・ドレイン用拡散層14を形成すると共に、ゲート酸化膜5上には3層のタングステン膜6、10、15からなるゲート電極を形成する。パンチスルーストッパ11は、ゲート電極端の直下の限られた部分に形成し、拡散層14の表面にもタングステン膜15を形成する。
【効果】 従来のシリサイドを用いたゲート電極に比べてゲート抵抗を1/10以下に低減できると共に、パンチスルーストッパによる寄生容量も1/10程度に低減できる結果、動作速度が大幅に向上する。 (もっと読む)


【目的】 本発明は、メタルゲートによってゲート抵抗を低減したMOSFETの製造方法を提供するものである。
【構成】 タングステン膜6の上に所望の形状の酸化膜7を形成し、露出したタングステン膜6上にタングステン10を選択成長させて、ゲート電極を形成する。
【効果】 タングステンゲートは、従来のシリサイドを用いたゲート電極に比べて1/10以下の抵抗なので、高速に動作するMOSFETが実現される。 (もっと読む)


【目的】 半導体基板1の両面に形成された回路パターン等を導通性を備えた多結晶シリコン層6を用いて接続する。
【構成】 シリコン半導体基板1に設けられた貫通孔2は、内壁面3にシリコン酸化膜5および導電性を備えた多結晶シリコン膜6を積層した構造である。半導体基板1上に作製された加速度センシングエレメント12と信号処理素子13とは、配線層10,11および前記貫通孔に形成された導電体として機能する多結晶シリコン膜6を介して接続する。 (もっと読む)


【目的】 AlGaInN系結晶から成る半導体素子に低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトを形成する。
【構成】 AlGaInN系結晶のうえにGaP層18,19などの他のIIIV族化合物半導体をエピタキシャル成長し、このうえにオーミック電極を形成する。
【効果】 低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトが得られ、素子の性能と信頼性が向上する。 (もっと読む)



【目的】 収率および信頼性の高い半導体装置の配線形成方法を提供する。
【構成】 基板上に形成された下部構造物20上にAlを含む下部導電層21を形成し、下部導電層21上に形成された絶縁層22上にフォトレジストパターン23を形成する。フォトレジストパターン23を蝕刻マスクとする湿式蝕刻により絶縁層22を所定の厚さまで等方性蝕刻した後、残った絶縁層22をRIE方法によりテーパ蝕刻して直径が下部に行くほど小さくなるように開口部を形成する。続いて、下部導電層21が開口部により露出することを保障するために、フルオロカーボン系のガスと酸素との混合ガスを使用してオーバエッチングし、前記結果物をRIEスパッタリングする。フルオロカーボン系のガスを使用して下部導電層21上の絶縁層を蝕刻することにより、開口部を形成する時に生成するポリマー26や不揮発性の副産物などを除去する。 (もっと読む)


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