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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【構成】本発明は、上層配線層と下層配線層を持つ二種類以上の金属または金属化合物の二層以上の積層構造を有する少なくとも二つの配線を有する多層配線構造において、前記二つの配線の対向する一方の上層配線層と他方の下層配線層が同一種の金属または同一種の金属化合物で接合されていることを特徴とする。
【効果】本発明の多層配線構造によれば、従来と同様のEM、SM耐性を備え、配線材中の接触抵抗が、実効的に0となり、かつ、ビアホ−ルでの異種金属間または、異種金属化合物間の接触抵抗が存在しないので、多層配線での配線間の抵抗を低減することができる。 (もっと読む)


【目的】 i型半導体膜にダメージを与えることなくn型半導体膜を分離でき、かつ、ゲート絶縁膜のピンホール欠陥の発生、およびi型半導体膜とブロッキング膜との界面でのシリサイドの生成を防止する。
【構成】 ゲート電極12を形成した基板11の上に、ゲート絶縁膜13とi型半導体膜14とを順次成膜し、i型半導体膜14の表面に、酸化剤溶液を用いて薄い酸化層14′を形成し、この酸化層14′の上に、a−Siとのエッチング選択比が大きい金属からなるブロッキング膜15を成膜し、このブロッキング膜15をパターニングし、かつその周囲の酸化層14′を除去した後に、n型半導体膜16とソース,ドレイン電極用金属膜17とを順次成膜し、前記金属膜17をパターニングしてソース電極17Sとドレイン電極17Dとを形成し、n型半導体膜16をソース,ドレイン電極間において分離し、かつ前記ブロッキング膜15のソース,ドレイン電極間の部分を除去する。 (もっと読む)




【目的】 多層配線のスルーホール開口内部にフッ化アルミニウムを主成分とする生成物の堆積を防止し、半導体装置の信頼性を向上させる。
【構成】 半導体基板100上にタングステン膜104およびAl−Si−Cu合金膜105からなる積層構造の下層配線パターン106を形成する。次に、層間絶縁膜として二酸化シリコン膜107を形成した後に、フォトレジストを塗布し、公知のリソグラフィー技術を用いて、レジストパターン108を形成する。レジストパターン108をマスクとしてスルーホール用開口をRIE法により形成した後、続けてその開口を延長して、Al−Si−Cu合金層104を、フッ素を含まない塩素系ガスを用いたRIE法で除去してスルーホールのための孔を形成する。スルーホール内におけるフッ化アルミニウムを主成分とする生成物の堆積を防ぎ、また、スルーホールの接触面積の増加を図り、半導体装置の信頼性向上及び高速化を可能とする。 (もっと読む)



【目的】 微細なスルーホールを、容易にかつ安価に埋め込む多層配線方法を提案する。
【構成】 素子の形成された半導体基板1上に、前記素子と接続するための、銀薄膜12を少なくとも上層に有した第1の配線と、前記第1の配線と接続するための第2の配線16と、前記第1の配線と第2の配線16を分離するための絶縁膜13と、前記第1の配線と接続するための、前記絶縁膜13に形成されたスルーホール14と、このスルーホール14内に形成された銀プラグ15とを備えた多層配線構造である。微細なスルーホールの下地に銀を形成する構造にすることにより、無電解めっきを用いて選択的に銀を埋め込むことが可能で、安価でかつ低抵抗な配線間の接続を容易に得ることができ、また、銀は酸化膜中の拡散係数が小さいため金属の拡散による素子の劣化がない。 (もっと読む)


【目的】AlとCVDWとの積層配線において、エレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【構成】CVDW膜1の上に、アルミ膜14をスパッタにより形成し、リフローさせそのアルミ表面を平坦化する。その後、チタン、窒化チタン、チタンタングステンといった導電層15と、アルミ膜16とをスパッタにより形成した後、通常の微細加工技術によって配線を形成する。 (もっと読む)



【目的】 コンタクト抵抗が小さく、配線微細化の可能な多層配線構造の形成方法を提供する。
【構成】 ヴィア孔14aの内部の埋込プラグは、下層部がAl金属膜16、上層部がW金属膜17によって形成される。上層配線金属膜18をホトレジスト19によってパターニングする際、マスク合わせにずれが生じて埋込プラグの一部が基板表面に露出しても、W金属膜17がエッチストップ層になって埋込プラグには溝が形成されない。 (もっと読む)


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