【目的】 スルーホールのアライメントズレを生じた場合にも、その下層の基板等に影響を及ぼすことなく、しかも配線密度を向上させることにある。
【構成】 まず、基板１上に形成されたボロンリンガラス４上に、下層Ａｌ配線５をパターン形成する。次に、この上に、この下層Ａｌ配線４及びボロンリンガラス４とは異なるエッチャントによって浸蝕されるシリコン窒化膜６を形成する。次に、シリコン窒化膜６上に、このシリコン窒化膜６とは異なるエッチャントによって浸蝕されるプラズマ酸化膜７膜を形成する。次に、レジスト膜８を形成した後、ＣＨＦ₃ ガスを用いてスルーホールパターン９を形成する。次に、スルーホールパターン９の底部に露出したシリコン窒化膜６を、ＣＦ₄ ＋０₂ 系のガスを用いて除去する。この後、この上層部に上層配線層１０を堆積させる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、スタックト型キャパシタ形成プロセスの短縮を目的とする。
【構成】 拡散層４を有する半導体基板１上に層間絶縁膜６を堆積し、この絶縁膜６上に第１のマスクパターンを形成し、このパターンを用いて前記層間絶縁膜６をエッチングして前記拡散層４上に接続孔７を形成する工程と、この接続孔７の内部及び開口部周囲に第１の導電膜８を選択的に形成する工程と、この第１の導電膜８上にキャパシタ絶縁膜９を形成する工程と、全面に第２の導電膜１０を堆積する工程と、この第２の導電膜１０上に第２のマスクパターンを形成し、このパターンを用いて前記第２の絶縁膜をエッチングして電極パターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】非単結晶シリコン薄膜の表面に再現性良く微細な凹凸を形成すること。
【構成】基板31上に多結晶シリコン薄膜32からなる半導体層を設け、ゲート絶縁膜33で被覆し、ゲート電極34を形成した後ソース・ドレイン領域形成のため不純物導入を行い層間絶縁膜35を形成する。コンタクトホール開口用のフォトレジスト36を形成した後プラズマ中で絶縁膜除去処理を行い、その処理の際、自己整合的に下地の多結晶シリコン表面に微細な凹凸が形成される。その後、ソース電極37及び絵素電極38を形成することにより絵素電極部38には下地の凹凸が転写され微細な凹凸が形成され、ソース電極部37は接合面積が増大して接触抵抗が低減され薄膜トランジスタの高性能化が図れる。半導体メモリーの容量素子の電極や反射型液晶表示装置の絵素電極あるいは半導体／金属接合部の特性改善を実現できる。 （もっと読む）

【目的】 多層配線構造の製造方法において、スルーホール内壁面下部の空洞の発生を防止することにより、スルーホール部分でのコンタクト抵抗の増大や、集積回路の信頼性の低下等の問題を解決する。
【構成】 多層配線構造の製造方法の工程で、第１の金属層３上に絶縁膜４を形成し、この絶縁膜４にリアクティブイオンエッチングによってスルーホールを形成する。その後、スルーホール形成後に残るスルーホール内壁面上の重合物７を発煙硝酸によって取り除いたのち、このスルーホール部を介して第１の金属層３と接するように絶縁膜４上に第２の金属層５を形成する。 （もっと読む）

【目的】 微細なヴィア孔にＡｌを低抵抗で埋め込む方法を提供すること。
【構成】 Ａｌ配線６上に層間絶縁膜８を被覆し、ここにヴィア孔８ａを形成する。その次に、Ａｌ配線６の露出表面に形成されている自然酸化膜６ａ等を塩素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングすることによって除去する。その次に、Ａｌ配線６表面の塩化物６ｂや層間絶縁膜８表面の堆積物８ｂを不活性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。その次に、ＣＶＤによりヴィア孔８ａ内にＡｌを選択的に堆積する。上記の方法では、プラズマエッチングの工程で自然酸化膜４ａを除去し、プラズマ処理の工程で塩化物６ｂや堆積物８ｂを除去することとしているので、ＣＶＤにあたってヴィア孔８ａ底部のみに選択性良くＡｌを堆積することができる。したがって、ヴィア孔８ａ内に埋め込まれたＡｌプラグとその後層間絶縁膜８上に形成するＡｌ配線との接続を極めて良好なものとすることができる。 （もっと読む）

【目的】 高いアスペクト比の微細コンタクトホールへの段差被膜性および埋め込み性が良好な配線膜が形成できる半導体製造装置を得る。
【構成】 フェイスが上向きのウエハ１６０を搬送する機構と、ウエハ１６０を搬入および搬出するウエハローディング室８０，８１と、チタンを蒸発させる点蒸発源が備えられ、窒素ガスが導入されコンタクトホール底部にチタン密着層および窒化チタンバリア層を形成するＴｉおよびＴｉＮ蒸着室４３と、それぞれアルミニウムとシリコンと銅等を蒸発させる点蒸発源が備えられ、バリア層上部にアルミ合金配線層を形成するアルミ合金蒸着室４２と、フェイスが上向きのウエハ１６０をフェイスが下向きに反転させるウエハ反転機構７０とを備えている。 （もっと読む）

【構成】 基板１１上にＳｉＯ₂ 膜１２を成膜し、ＳｉＯ₂ 膜１２上に反射防止膜１３を成膜し、反射防止膜１３上に膜厚を制御してレジスト１４を塗布し、全面露光、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理及びマスク露光を施して現像した後、ＣＦ₄ 、ＣＨＦ₃ ならびにＨｅ及び／またはＡｒの混合ガスでＳｉＯ₂ 膜１２をエッチングして半導体装置のコンタクトホールを形成する。
【効果】 テーパ形状の制御性および再現性に優れたテーパ角を有するコンタクトホールを形成することができ、コンタクトホール部での配線の断線や埋め込み不良による導通不良を防止することができる。 （もっと読む）

【目的】埋め込みコンタクトを具備する半導体装置において、素子分離シリコン酸化膜のバーズビークにより、埋め込みコンタクト領域が減少することを防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【構成】埋め込みコンタクト形成領域のシリコン基板１が削り取られており、その削り取られたシリコン基板の領域に多結晶シリコン層１０が埋め込まれている。
【効果】埋め込みコンタクトの接続領域を制限するバーズビークをゲート酸化膜形成前に削り取るため、埋め込みコンタクトによる多結晶シリコン配線層と不純物拡散層との接続を確実なものにできる。 （もっと読む）

【目的】 トランジスタ（高周波半導体装置）のエミッタコンタクトホールの構造を改良し、このトランジスタの性能の向上をはかる。
【構成】 半導体基板上に第一の絶縁膜３を形成する工程と、前記第一の絶縁膜上にエッチング選択比が第一の絶縁膜より大きい第二の絶縁膜４を積層して形成する工程と、前記第二の絶縁膜に所望の開口部を設ける工程と、前記第一の絶縁膜に前記第二の絶縁膜をマスクとして前記第一の絶縁膜にエッチングを施し前記第二の絶縁膜開口部を含みこれよりも広い空洞部を形成する工程と、イオン注入を施して前記空洞部上の第二の絶縁膜の開口部周縁を半導体基板の側へ湾曲させて曲り部を形成する工程と、前記曲部を有する第二の絶縁膜４と前記半導体基板上に、不純物をドープした多結晶シリコン膜７を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【構成】 本発明は高集積半導体素子の多層金属配線構造のコンタクトの製造方法に関するものであり、金属配線間の層間絶縁層を平坦化するためにＳＯＧ膜又はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を用いた多層金属配線構造のコンタクトの製造方法に関するものである。
【効果】 ステップ・カーバリッジが向上できる （もっと読む）