説明

国際特許分類[H01L21/28]の内容

国際特許分類[H01L21/28]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L21/28]に分類される特許

6,191 - 6,199 / 6,199



【目的】 集積回路構造上に、(111) 結晶配向を有する窒化チタンバリヤー層を形成する方法を提供することにある。
【構成】 シリコン表面上に、(111) 結晶配向をもつ表面を有する窒化チタンバリヤー層を形成する方法であって、a)シリコン表面上に第一のチタン層を堆積する工程と、b)該第一のチタン層上に窒化チタン層を堆積する工程と、c)該窒化チタン層上に第二のチタン層を堆積する工程と、d)窒素−含有ガスの存在下でかつ酸素−含有ガスの不在下でかくして得られる構造体をアニールして、該第二のチタン層から(111) 結晶配向をもつ窒化チタンを形成する工程とを含み、該生成窒化チタンバリヤー層が(111) 結晶配向をもつ表面および充分な厚みを有していて、該窒化チタンバリヤー層上に後に形成されるアルミニウムによるスパイク現象から該下地シリコンを保護することを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 接続孔底部に露出した金属層を傷めることなく、付着層を除去するようにする。
【構成】 基板1上の金属層2上に形成された絶縁膜3に、所定の形状の接続孔5を少なくともプラズマ処理を含む加工法により形成し、このプラズマ処理中に発生する付着層6を除去する際に、付着層6の除去を、上記金属層2と吸着反応し易いガスを用いたスパッタエッチングにより行う。 (もっと読む)



【目的】 炭化珪素発光素子中のp型炭化珪素に対して、金属膜をオーミック電極とするための熱処理工程において消失せず、またその熱処理工程によって球形化しない電極を形成する。
【構成】 IV族元素又は立方晶BNの光半導体素子のp型領域13に隣接して形成されるp型炭化珪素の電極22としてIII 族金属と該III 族金属との金属間化合物の融点が該III 族金属の融点以上となるPt,Cr,Ta,Ti,W,Mo,Sbから選ばれた一つの金属との金属間化合物を用いる。また、オーミック電極となり得る金属膜上に高い温度を融点として持つ物質を積層する。
【効果】 半導体素子製造工程に必要なボンディング工程を容易に行なえる。また、より高温で熱処理することができるため一層低抵抗の電極を形成できる。 (もっと読む)


【目的】 ガラス基板における配線形成方法を改良する。
【構成】 ガラス基板にマスク材をコーティングし、パターンニングによって選択的にガラス基板を露出させる第1の工程と、エッチングにより露出したガラス基板に凹溝を形成する第2の工程と、配線材料を堆積し、マスク材を除去することにより、第1層配線を形成する第3の工程と、全面に絶縁膜を形成する第4の工程と、所定パターンの第2層配線を絶縁膜上に形成する第5の工程とを備える。 (もっと読む)





6,191 - 6,199 / 6,199