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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】ゲート電極に注入された不純物に起因するゲートリークを低減させる。
【解決手段】ゲート電極14が形成されたアクティブ領域による被覆率が50%以上かつその面積が0.02mm以上の領域において、多結晶シリコン膜14´に炭素15を導入してから、多結晶シリコン膜14´にリン16を導入し、多結晶シリコン膜14´をパターニングすることにより、ゲート絶縁膜13上にゲート電極14を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までCu埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器100内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス(金属ガスクラスタCg)を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】FeRAMやDRAMなどに使用されるTi−Al−N膜などの成膜用のTi−Al合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Alを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。このようなTi−Al合金ターゲットにおいて、ターゲットのCu含有量を10ppm以下およびAg含有量を1ppm以下とする。 (もっと読む)


【課題】導体半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。
【解決手段】半導体層1に、半導体層1の電子親和力と同程度かそれ以下の仕事関数の材料よりなる第1の導体電極3a、第2の導体電極3bを接して設け、さらに、半導体層1のゲートの形成された面と逆の面に接して、半導体層1の電子親和力より大きな仕事関数の材料で、半導体層を横切るようにして、第3の導体電極2を形成することにより、半導体層中にショットキーバリヤ型の接合を形成し、この部分のキャリア濃度が極めて低いことから、オフ電流を低減できる。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、絶縁性基板上に順次積層されたAlNバッファ層、AlGaN組成傾斜層、GaNチャネル層、およびAlGaN障壁層を含み、AlGaN組成傾斜層はその下面から上面に向かってAl濃度が低減されており、AlGaN障壁層はAlGaN組成傾斜層の上面におけるAl濃度よりも15%以上大きなAl濃度を有しており、AlGaN組成傾斜層中において自発分極およびピエゾ効果によって得られる擬似的なp型シートキャリア濃度が3x1012cm−2以上4x1012cm−2以下である。 (もっと読む)


【課題】耐圧劣化を防止するとともに低コストで製造可能な構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、基板上に形成される炭化珪素からなる第1導電型の半導体層と、半導体層の表面に形成される活性領域と、活性領域を取り囲むように、半導体層の表面に形成される第2導電型の第1の半導体領域と、半導体層の表面に第1の半導体領域の外側に接し、第1の半導体領域を取り囲んで設けられ、第1の半導体領域と同一の不純物濃度および同一の深さを有する第2導電型の不純物領域がメッシュ形状に形成される第2の半導体領域と、活性領域上に設けられる第1の電極と、半導体基板の裏面に設けられる第2の電極を備えることを特徴とする半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗1×10Ω・cm以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法により形成した微細な導電層の積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成し、その一部にエネルギーを付与して、低表面エネルギー部を隔て互いに近接した第1の領域43と第2の領域44を含む高表面エネルギー部を形成し、導電性材料を含有する機能液61を第1の領域43にインクジェット法を用いて選択的に滴下し、機能液61を乾燥させて高表面エネルギー部上に導電層を形成する。その際、第1の領域43の中心位置と機能液61の滴下中心位置の距離Xは、機能液の飛翔時の直径D、機能液の着弾位置ばらつきα、第1の領域の幅L、第1の領域と第2の領域との間隔Sとして、X<±(L+2S−D−2α)/2(但し、L+2S>D+2α)、及び、X<±(L+D−2α)/2(但し、L+2D>D+2α)で表される。 (もっと読む)


【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11が載置されたチャンバ4内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板11の周囲からチャンバ4内のアノード1に向けて電子を放出させてチャンバ4内にプラズマ14を発生させ、基板11上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


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