国際特許分類[H01L21/283]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 (9,571) | 電極用の導電または絶縁材料の析出 (3,372)
国際特許分類[H01L21/283]の下位に属する分類
気体または蒸気からの析出,例.凝結 (1,528)
液体からの析出,例.電解液からの析出 (1,357)
国際特許分類[H01L21/283]に分類される特許
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半導体装置
【課題】RCATの電流駆動能力を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板11は、ゲート溝13を有している。拡散層12は、ゲート溝13の上部に対応する半導体基板11の表面領域に形成されている。ゲート絶縁膜14は、ゲート溝の壁面に形成されている。ゲート電極15は、ゲート溝13の内部及びゲート溝13の外部に形成されている。圧縮応力を有する膜16は、ゲート溝13の外部のゲート電極15の全面に形成されている。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜5であり、ゲート電極は、第1の金属膜6又は第2の金属膜8を含む導電膜から構成されている。
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有機トランジスタ及びその製造方法
【課題】ソース、ドレイン電極と有機半導体層の間の接触抵抗を低減して、短チャネル化により高速応答性能を向上させ、かつ、短チャネル化に伴うソース、ドレイン電極とゲート電極間の短絡の発生を回避可能とする。
【解決手段】絶縁性の基板と、基板上に相互間に間隔を設けて配置され、各々台状平面を形成する一対の絶縁性の台座2、3と、一方の台座が形成する台状平面上に設けられたソース電極4と、他方の台座が形成する台状平面上に設けられたドレイン電極5と、一対の台座の間の基板上に設けられたゲート電極6と、ソース電極及びドレイン電極の上面に接触させて配置された有機半導体層7とを備える。ゲート電極と有機半導体層の下面とはギャップ領域8を介在させて上下方向に対向し、ギャップ領域に面する台座の側面は、上側端縁に対して下側端縁がゲート電極から遠ざかる側に後退した形状を有する。
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半導体装置、および半導体装置の製造方法
【課題】配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた層間絶縁膜50と、層間絶縁膜50に埋め込まれた、Cuにより構成される配線10と、配線10の表層に設けられた、銅錯体を含有する表面層20と、を備える。配線10の表層に銅錯体を含有する表面層20を備えることにより、配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保することができる。
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ダイオード
【課題】 電流容量が大きいダイオードを提供する。
【解決手段】 ダイオードであって、半導体基板を有している。半導体基板の一方の表面にアノード電極が形成されている。半導体基板に、前記一方の表面に露出しており、アノード電極と導通しているp型のアノード領域と、アノード領域に接しているn型のカソード領域が形成されている。前記一方の表面にアノード領域が露出している露出範囲内に、アノード電極とアノード領域が導通しているコンタクト領域と、アノード電極とアノード領域が導通していない非コンタクト領域が存在している。コンタクト領域の面積Scと非コンタクト領域の面積Snとの比率Sc/Snが、露出範囲の外周部よりも露出範囲の中央部で大きい。
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半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置
【課題】縦型トランジスタのTDDB耐性を向上させ、かつ、閾値電圧がばらつくことも抑制する。
【解決手段】ゲート電極120の上端は、半導体基板100の表面よりも下に位置している。絶縁層340は、ゲート電極120上及びその周囲に位置する半導体基板100上に形成されている。絶縁層340は、第1絶縁膜342及び低酸素透過性絶縁膜344を有している。第1絶縁膜342は、例えばNSG膜であり、低酸素透過性絶縁膜344は、例えばSiN膜である。さらに、低酸素透過性絶縁膜344上には、第2絶縁膜346が形成されている。第2絶縁膜346は、例えばBPSG膜である。絶縁層340を形成した後、酸化雰囲気で処理することにより、縦型MOSトランジスタ20のTDDB耐性が向上する。また、絶縁層340が低酸素透過性絶縁膜344を有することにより、縦型MOSトランジスタ20の閾値電圧がばらつくことを抑制できる。
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HEMT装置を製造するCMOSコンパチブルな方法とそのHEMT装置
【課題】Si−CMOSプロセス時術とコンパチブルなHEMT装置の製造法を提供する。
【解決手段】基板101を提供するステップと、III族窒化物層のスタックを基板上に形成するステップと、窒化シリコンからなり、スタックの上方層に対して上に位置すると共に当接する第1パッシベーション層301を形成し、第1パッシベーション層が、現場でスタックに堆積されるステップと、第1パッシベーション層に対して上に位置すると共に当接する誘電体層を形成するステップと、窒化シリコンからなり、誘電体層に対して上に位置すると共に当接する第2パッシベーション層303を形成し、第2パッシベーション層が、LPCVD、MOCVD又は同等の手法によって450℃より高い温度で堆積されるステップと、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極601を形成するステップとを備える。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】nチャネル型MISFETのしきい値を調整する目的でLaなどが導入された高誘電率膜を含むゲート絶縁膜と、その上部のメタルゲート電極との積層構造を有する半導体装置において、ゲート電極のゲート幅を縮小した際、基板側からメタルゲート電極の底面に酸化種が拡散してnチャネル型MISFETの仕事関数が上昇することを防ぐ。
【解決手段】HfおよびLn含有絶縁膜5bとその上部のメタルゲート電極である金属膜9との間に、酸化種の拡散を防ぐためにAl含有膜8cを形成する。
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炭化珪素半導体を用いたMOS構造およびその酸化膜形成方法
【課題】 SiO2/SiC界面における界面準位自体を低減することが出来るSiC半導体を用いたMOS構造、およびその酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 SiC半導体基板1を処理炉内に用意し、処理炉内を比較的低い700℃に設定して、SiC半導体基板1の基板表面を酸素ガス雰囲気中にさらす。この熱酸化により、SiC半導体基板1の基板表面には、SiO2から成る中間層2が約1nmの極薄い厚さで形成される。次に、中間層2上にSiO2膜を約50nmの厚さに堆積して、SiO2から成る堆積層3を形成する。次に、SiC半導体基板1が酸化しない温度および時間で、堆積層3をアニーリングする。このアニーリングは、赤外線ランプなどの急速加熱装置により、SiO2膜の融点である1200℃に近い、この1200℃の融点よりも低い例えば1000〜1100℃程度の温度で、短時間に急速に行われる。
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半導体装置とその製造方法
【課題】 単純で容易な実装手段によりMOSFETの閾値電圧を制御することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態によれば、電界効果トランジスタは、STI(浅いトレンチ分離)を含んでいる半導体基板402と、p−FET401及びn−FET403と、p−FET401が形成される基板の窪み内のシリコン・ゲルマニウム層800と、n−FET部上とシリコン・ゲルマニウム層上に設けられた、ハフニウム化合物とレアアース化合物を含むゲート誘電体414, 432と、ゲート誘電体414, 432上にそれぞれ配置された互いに同じ材料を含むゲート電極416, 434とを具備している。
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