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国際特許分類[H01L21/283]の内容

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【課題】電流コラプスを抑制し、高出力動作可能な窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキ接触する電極(ゲート電極16)16とオーミック接触する電極(ソース電極17a、ドレイン電極17b)との間のIII−V族窒化物半導体層14表面に、ECRスパッタリング法により珪素膜15を形成する。ショットキ接触する電極16とIII−V族窒化物半導体層14との間に、珪素膜15を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極を有するCMISFETを備えた半導体装置において、nチャネル型MISFETおよびpチャネル型MISFETのしきい値電圧の上昇を防ぐことができる技術を提供する。
【解決手段】CMISFETのしきい値を調整する目的で、高誘電率ゲート絶縁膜であるHf含有絶縁膜5に希土類元素またはアルミニウムを導入する際に、酸素をほとんど含まないランタン膜からなるしきい値調整層8bおよび酸素をほとんど含まないアルミニウム膜からなるしきい値調整層8aをnMIS形成領域1BおよびpMIS形成領域1AのHf含有絶縁膜5上にそれぞれ形成する。これにより、しきい値調整層8aおよびしきい値調整層8bからHf含有絶縁膜5および半導体基板1の主面に酸素が拡散することを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】電極材料が表面パッシベーション膜に拡散するのを防止することである。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられ、少なくとも2つの開口を有し、窒化物を含む第1表面パッシベーション膜と、前記第1表面パッシベーション膜の上面及び側面を覆う第2表面パッシベーション膜と、前記第2表面パッシベーション膜上の一部に設けられたゲート電極と、前記2つの開口にそれぞれ設けられたソース電極およびドレイン電極と、を有する。前記第2表面パッシベーション膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極よりも融点が高い材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】保護膜としてSiN膜が使用されている場合であっても、素子動作特性の変動を軽減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、ドレインドリフト領域12を有する半導体基板11と、ドレインドリフト領域12上に形成されたフィールド酸化膜17と、ゲート電極18と、中間絶縁膜17と、メタル層21,22と、これらを覆うSiN膜23と、SiN膜23上にO3−TEOSを用いたCVD法により形成され、カーボンを含有するPSG膜24とを有する。 (もっと読む)


【課題】ドレイン電流コラプスを抑制すること。
【解決手段】窒化物半導体層19上に、ソース電極20、ゲート電極24およびドレイン電極22をそれぞれ形成する工程と、前記窒化物半導体層上に窒化シリコン膜26を形成する工程と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面をフッ酸を含む溶液を用い処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】CMOS回路の閾値を簡易なプロセスで効率よく制御して、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】下地ゲート絶縁膜を形成し、下地ゲート絶縁膜上に選択的にマスク膜を形成し、下地ゲート絶縁膜、及び、マスク膜上に第1の金属元素を含む第1のキャップ膜を形成し、nMOSトランジスタ領域の下地ゲート絶縁膜に第1の金属元素を拡散させ、マスク膜、及び、第1のキャップ膜を選択的に除去し、第1の金属元素が拡散したnMOSトランジスタ領域の下地ゲート絶縁膜、及び、pMOSトランジスタ領域の下地ゲート絶縁膜上に第2の金属元素を含む第2のキャップ膜を形成し、下地ゲート絶縁膜に第2の金属元素を拡散させる。 (もっと読む)


【課題】歩留りの低下を抑制する。
【解決手段】開口部121.1の形成により、第1の半導体層110の上面のうち、上方に第2の半導体層120が形成されていない部分の少なくとも一部には、絶縁体130.1が形成される。開口部121.1には、絶縁体130.1を覆うようにソース電極S10が形成される。ソース電極S10は、第1の半導体層110と前記第2の半導体層120との界面と接するように形成される。 (もっと読む)


【課題】High-kゲート絶縁膜を用いたMOSFETにおいて、信頼性劣化、チャネル移動度低下及びEOTの増加を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板101上に、シリコン酸化物を含む第1絶縁層104を形成する工程(a)と、第1絶縁層104上に第1金属層105を形成する工程(b)と、第1金属層105上にゲート電極108を形成する工程(c)とを備える。第1絶縁層104及び第1金属層105からゲート絶縁膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】素子分離領域13は、溝11に埋め込まれた酸化シリコン膜からなり、上部が半導体基板1から突出しており、半導体基板1から突出している部分の素子分離領域13の側壁上に、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる側壁絶縁膜SW1が形成されている。MISFETのゲート絶縁膜は、ハフニウムと酸素と低しきい値化用の元素とを主成分として含有するHf含有絶縁膜5からなり、メタルゲート電極であるゲート電極GEは、活性領域14、側壁絶縁膜SW1および素子分離領域13上に延在している。低しきい値化用の元素は、nチャネル型MISFETの場合は希土類またはMgであり、pチャネル型MISFETの場合は、Al、TiまたはTaである。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜にHK絶縁膜を用いたMIS構造の半導体装置において、HK絶縁膜端部近傍における酸素過剰領域の発生に起因するトランジスタ特性の劣化を防止する。
【解決手段】半導体基板100上にゲート絶縁膜108a、108bを介してゲート電極109a、109bが形成されている。ゲート電極109a、109bの側面上に導電性酸化物からなるサイドウォールスペーサ111a、111bが形成されている。 (もっと読む)


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