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国際特許分類[H01L21/285]の内容

国際特許分類[H01L21/285]に分類される特許

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【課題】導電性が良好でありながらも銅の拡散を十分に防止することが可能な銅配線の埋め込み構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1絶縁膜13に形成された配線溝13a内、第2絶縁膜22および第3絶縁膜に形成された配線溝24aと接続孔22a内に、拡散防止層15,25を介して銅配線17a,26aが埋め込まれた半導体装置27において、拡散防止層15,25は、ルテニウムカーバイト(RuCx)、ルテニウムシリサイド(RuSix)、またはルテニウム合金(RuTa)を用いて構成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング装置に好適に用いられる電磁石ユニットを提供する。
【解決手段】 電磁石81には、第1のフォトダイオード825と第2のフォトダイオード828が設けられており、電磁石81への通電を制御する通電制御器82は、第1のフォトダイオード825からの光を受ける第1のフォトトランジスタ824と、第1のフォトトランジスタ824に接続された第1の正側駆動用トランジスタ821と、第2のフォトダイオード828からの光を受ける第2のフォトトランジスタ827と、第2のフォトトランジスタ827に接続された負側駆動用トランジスタ822とを備えている。第1のフォトトランジスタ824がオンすると、電磁石81に第一の向きに電流が流れ、第2のフォトトランジスタ827がオンすると、電磁石81に逆の第二の向きに電流が流れる。 (もっと読む)


【課題】ECRスパッタ成膜後の基板面内の膜厚均一性をターゲット使用寿命の間維持できるECRスパッタ処理装置を提供する。
【解決手段】ECRスパッタ処理装置のターゲット120を複数の短冊形状ターゲット121を筒形状に配置して構成する。各短冊形状ターゲット121は独立したターゲット電源111を有し、短冊形状ターゲット121のプラズマ生成室105側の端部に設けられたターゲット開口軸113を起点として任意の角度(0度〜20度)に開口可能に設けられる。隣接する短冊形状ターゲット121間には、ターゲット104と同材質の三角柱ガイド112が配置される。これにより、ターゲット120が開口した際にターゲット120内面の筒形状内のECRプラズマ領域105からターゲット120の外部へECRプラズマが廻り込み、効率が低下することを防止するとともに、成膜後の基板103面内の膜厚均一性を維持することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にCu合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とCu配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が0.15μm以下で、該最小幅に対する深さの比[深さ/最小幅比]が1以上である凹部の表面に、Tiを0.5〜3原子%とNを0.4〜2.0原子%含有するCu合金を形成した後、200℃以上、50MPa以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Cu合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 (もっと読む)


成膜システム(1)内の基板(25)の粒子コンタミネーションが抑制される方法およびシステムが提供される。成膜システムは、1または2以上の粒子拡散器(47)を有し、これらは、膜前駆体粒子の流通を防止し、または一部防止するように構成され、あるいは膜前駆体粒子を分解し、または部分的に分解するように構成される。粒子拡散器は、膜前駆体蒸発システム(50)、蒸気供給システム(40)、蒸気分配システム(30)、またはこれらの2以上の内部に導入されても良い。
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【課題】ハロゲン及び窒素を含まないタンタル含有薄膜の形成が可能な新規なタンタル化合物とその製造方法、及び膜の形成方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表されるタンタル化合物を、テトラハロシクロペンタジエニルタンタル誘導体とメチル化金属化合物とを反応させることにより製造し、このタンタル化合物を原料としてタンタル含有薄膜を形成させる。


(式中、Meはメチル基を、nは1から5の整数を、Rはアルキル基を示す。) (もっと読む)


【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜24を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜24を成長させることができる。 (もっと読む)


【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室12と、スパッタリング室12内に収納されウエハ1を保持するウエハチャック20と、ウエハ1を保持したウエハチャック20を回転させる回転機構21と、ウエハ1に向けてイオンビーム36を照射するミリング用イオン源30とを備えており、ミリング用イオン源30のミリング用電極32を短辺側がウエハの外径より小さく長辺側が同外径より大きい矩形形状に形成し、このミリング用電極32の開口部33の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を耐圧容器内に供給して基板に対して成膜を行うにあたり、耐圧容器の熱伝導率が小さいことに基づく、ステージヒータの温度安定性の課題を解決し、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】装置本体2の上蓋21と耐圧枠材20とウエハWを載置する載置台3とにより、内部に成膜処理空間Fが形成された耐圧容器を構成する。この耐圧容器には、ウエハWがその上に載置され、発熱体が設けられたステージヒータ4と、このステージヒータ4の下方側に設けられた、前記耐圧容器の材質の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する断熱層51と、この断熱層51と耐圧容器の底面部をなす載置台本体31との間に介在するように、耐圧容器の外部との間で熱の授受が行われる温度調整部が設けられた温度調整層53とを設ける。 (もっと読む)


【課題】プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことが可能なプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】基板5が配置されるチャンバ10と、チャンバ10に接続され、基板5と対向するようにチャンバ10内に開口する開口部18を備えた管状部材20と、管状部材20の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置24と、管状部材20に原料ガスを供給する原料ガス供給装置22とを有し、管状部材20の開口部18の内径dは、基板5の外径Dより小さく形成されている。 (もっと読む)


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