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国際特許分類[H01L21/285]の内容

国際特許分類[H01L21/285]に分類される特許

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【課題】p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の1つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅(Cu)からなる第1ターゲット30a,30aとニオブ(Nb)およびタンタル(Ta)からなる群から選択される1種類の遷移元素からなる第2ターゲット30b,30bとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板10上に第1酸化物膜(不可避不純物を含み得る)を形成する工程、及びその第1酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第2酸化物膜(不可避不純物を含み得る)を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にCuを埋め込むことができ、かつ低抵抗のCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202において、トレンチ203の表面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上に、加熱しつつ、PVDによりCuがマイグレーションするようにCu膜206を形成してトレンチ203を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において長期の高出力作動が可能となるシールド組立体を提供する。
【解決手段】複合シールド組立体10は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素13と、第1シールド要素13の周りに延在して第1シールド要素13を保持する第2シールド要素14であって、第1シールド要素13の熱伝導率が当該第2シールド要素14の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素13及び当該第2シールド要素14が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素14とを含む。 (もっと読む)


【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第1の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第1の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第2の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第2の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 (もっと読む)


【課題】薄い基材上に厚いアルミニウムを被着させても基材が撓むことのない被着方法を提供する。
【解決手段】基材を静電チャック上に配置し、静電チャックにバイアスを印加しない状態でアルミニウムの第1層を被着させ、次に静電チャックにバイアスを印加して基材を支持体に密着し、そして第1層より厚いアルミニウムの第2層を22℃未満の基材温度で第1層に連続して被着させる。 (もっと読む)


【課題】Al基合金スパッタリングターゲットやCu基合金スパッタリングターゲットを用いたときのプレスパッタリング時、及び続いて行われる基板等へのスパッタリング時の成膜速度が高められ、且つスプラッシュなどのスパッタリング不良を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Al基合金またはCu基合金スパッタリングターゲットの最表面から1mm以内の深さのスパッタリング面法線方向の結晶方位<001>±15°と、<011>±15°と、<111>±15°と、<112>±15°と、<012>±15°との合計面積率をP値としたとき、下記(1)および/または(2)の要件を満足するスパッタリングターゲット。
(1)前記P値に対する、<011>±15°の面積率PA:40%以下、
(2)前記P値に対する、<001>±15°と<111>±15°との合計面積率PB:20%以上 (もっと読む)


【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗率金属を堆積することができるビーム堆積方法を提供する。
【解決手段】ヘキサメチル二スズのようなメチル化又はエチル化金属などの低抵抗率の金属材料を堆積できる前駆体を試料表面に向けて導入し、ガリウム集束イオンビームを試料表面の所望の位置に照射して、その位置に40μΩ・cmと低い抵抗率のスズ膜を堆積する。 (もっと読む)


【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したCu膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜10に配線形成用溝31を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝31が形成された層間絶縁膜10上の全面にバリアメタル膜14を形成する。Cu膜形成工程では、配線形成用溝31間の層間絶縁膜10上の膜厚に比して配線形成用溝31内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜14上にCu膜15を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜14上のCu膜15をリフローさせ、配線形成用溝31内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝31間の層間絶縁膜10上のバリアメタル膜14をCMP法によって除去する。 (もっと読む)


【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Mn0.05〜5wt%を含有し、Sb,Zr,Ti,Cr,Ag,Au,Cd,In,Asから選択した1又は2以上の元素の総量が10wtppm以下、残部Cuである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 (もっと読む)


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