【目的】コンタクトホールに対する金属堆積膜の形状を高精度かつ高速に解析するシミュレーション手法を提供する。
【構成】コンタクトホールの形状を中心線で切断した外形線の座標点で代表させ、その座標点に流入する流束ベクトルを抽出し、軸対称近似によりコンタクトホールのシャドウ効果を判定し、流速ベクトルをコンタクトホールの中心面に写像して得られるベクトル量だけ座標点を移動させる手法を繰り返す構成となっている。 （もっと読む）

【目的】半導体ポリサイド処理における集塊および転移を防止する。
【構成】半導体基板５上にドープ・ポリシリコン層１５を形成し、ドープ・ポリシリコン層の上に窒素含有導電層２０を形成し、窒素含有導電層に含まれる窒素がこの導電層の熱安定性を改善し、窒素含有導電層およびドープされたポリシリコン層をパターニングして導体２５を形成する。 （もっと読む）

【目的】 Ａｌ系材料を良好に埋め込んで、信頼性高い配線を得るようにした半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【構成】 Ａｌ系配線との接続をとる接続孔２を埋め込んでＡｌ系配線を形成する際、バイアス・スパッタ法あるいは基板冷却下でのスパッタ法により少なくとも膜が途切れること無くＡｌ系膜３を形成する半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【目的】 微細なヴィア孔にＡｌを低抵抗で埋め込む方法を提供すること。
【構成】 Ａｌ配線６上に層間絶縁膜８を被覆し、ここにヴィア孔８ａを形成する。その次に、Ａｌ配線６の露出表面に形成されている自然酸化膜６ａ等を塩素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングすることによって除去する。その次に、Ａｌ配線６表面の塩化物６ｂや層間絶縁膜８表面の堆積物８ｂを不活性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。その次に、ＣＶＤによりヴィア孔８ａ内にＡｌを選択的に堆積する。上記の方法では、プラズマエッチングの工程で自然酸化膜４ａを除去し、プラズマ処理の工程で塩化物６ｂや堆積物８ｂを除去することとしているので、ＣＶＤにあたってヴィア孔８ａ底部のみに選択性良くＡｌを堆積することができる。したがって、ヴィア孔８ａ内に埋め込まれたＡｌプラグとその後層間絶縁膜８上に形成するＡｌ配線との接続を極めて良好なものとすることができる。 （もっと読む）