【課題】Ｒｕの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第１材料を有する第１領域と、露出した第２材料を有する第２領域とを含み、第１材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第２材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、（ａ）第１ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第１領域でなく第２領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に（ｂ）基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 金属炭化物系の膜を段差被覆性良く形成する。
【解決手段】 基板に対して、第１金属元素とハロゲン元素とを含む第１原料と第２金属元素と炭素とを含む第２原料とを交互に所定回数供給する工程と、基板に対して、窒化原料を供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定膜厚の第１金属元素を含む金属炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なＷ膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された２つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース２２を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるＡｒイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のＤＣ電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、Ｗ膜に取り込まれる反射Ａｒの含有量を小さくすることによりＷ膜の低抵抗化を実現する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面１０３ａに、チタンナイトライド膜１０９、タングステンシリサイド膜１１０、タングステン膜１１１の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜１１０をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット１０２と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の窒素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】バリア層（バリアメタル）１３を覆うようにライナー層１４が形成されている。ライナー層１４は、Ｎｉ（ニッケル）から構成される。ライナー層１４は、このライナー層１４の内側に形成されるＣｕ（銅）からなる導電体１５に対する濡れ性を高め、かつ、溝部１２の内側の平滑性を高める。 （もっと読む）

【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】半導体装置２０の配線として備えられ、マイクロクリスタルシリコン薄膜８と該薄膜上に形成された金属薄膜９とから成る積層配線であって、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶組織を構成している結晶粒には、半導体装置の製造時の熱処理で生じた金属薄膜９とのシリサイド化反応に起因して膜厚方向に成長した柱状の結晶粒が含まれ、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚の６０％以上である柱状の結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶粒の全数の６％以上１５％以下となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いバリア性を有するＣｕ−Ｍｎ合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材１０であって、濃度が８原子％以上３０原子％以下のＭｎと、不可避的不純物とを含むＣｕ−Ｍｎ合金からなり、Ｃｕ−Ｍｎ合金の平均結晶粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】処理領域の反応ガスの濃度及び分圧を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理領域に設けられ、基板の載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、回転テーブルの回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、を備え、さらに前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするガイド面を備えるように装置を構成する。そして、ガスノズルとカバー部材における回転方向上流側の側壁部との間隔を、ガスノズルから供給された反応ガスが回転方向上流側から前記ガイド面に回り込まないように設定する。 （もっと読む）