【課題】ダイシングの負荷を増大させることなく、パターン部内に応力緩和用開口部を設けることができ、パターン精度を向上することが可能な選択成膜用マスクを提供する。
【解決手段】選択成膜用マスク２は、成膜基板上に取り付けられ、成膜基板上に所定のパターンで膜を成膜するためのものである。選択成膜用マスク２は、膜のパターンに対応した開口パターンと、少なくとも一方の面において開口し、成膜の際に選択成膜用マスク２にかかる応力を緩和するための応力緩和用開口部３０とを備え、応力緩和用開口部３０は、成膜基板上に選択成膜用マスク２を取り付けたときに、応力緩和用開口部３０を通して成膜基板の表面が直接視認されない断面構造を有している。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の第１主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、高電力を印加した際も使用中の異常放電の頻度を減少し、スプラッシュ等の発生を抑制する、スパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度９９．９９％以上の純銅からなり、ターゲット内部のボイドおよび介在物欠陥の平均サイズが３０μｍ以下であり、且つ、欠陥の数が、スパッタリングに供する面の単位面積辺り、１０個／ｍ^２であることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、Ｍｏの分散性が良い、均一微細な組織をもったＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、（１）Ｍｏ一次粒子が凝集したＭｏ凝集体を平均粒径１０μｍ以下に解砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）前記Ｍｏ粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、（３）前記混合粉末を加圧焼結してＭｏＴｉ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＴｉターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 特に再生処理された使用済みスパッタ材をリサイクルすることができる再製スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 元スパッタ面と、元非スパッタ面とを有する使用済みスパッタ材と、
前記使用済みスパッタ材の元スパッタ面に一体に形成される充填層と、
前記使用済みスパッタ材の元非スパッタ面からなる新スパッタ面とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高集積化することができる半導体装置、金属膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、ヒ素を含むヒ素拡散層と、前記ヒ素拡散層上に形成された金属膜と、を備える。前記金属膜は、タングステン、チタン、ルテニウム、ハフニウム及びタンタルからなる群より選択された少なくとも１種の金属、並びにヒ素を含む。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。
【解決手段】石英で構成された反応管内に基板が搬入されてない状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にチタン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して前記反応管の内壁に窒化チタン膜をプリコートする工程と、前記プリコート後の前記反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に基板が搬入された状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にタングステン含有ガスを供給して前記基板上にタングステン含有膜を形成する工程と、前記タングステン含有膜を形成した基板を、前記反応管内から搬出する工程と、を行うようにした。 （もっと読む）