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国際特許分類[H01L21/285]の内容

国際特許分類[H01L21/285]に分類される特許

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【課題】CVD法による酸化モリブデンを含有する薄膜の製造においてプレカーサの輸送性に優れ、基板への供給量の制御が容易かつ安定供給が可能であり、量産性良く良質な酸化モリブデンを含有する薄膜を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物を含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たモリブデンアミド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、さらに酸化性ガスを導入することで分解及び/又は化学反応させて基体上に薄膜を形成する、酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法。式中、R1、R2は炭素数1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、R3はt−ブチル基又はt−アミル基を表し、yは0又は2を表し、xはyが0のときに4であり、yが2のときに2であり、複数存在するR1、R2はそれぞれ同一でもよく、異なっても良い。
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【課題】コンタクトホール内に良好にAl膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するESC電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に3段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のAl膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のAl膜上に第二のAl膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたAl合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属薄膜と、Al合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Al合金膜は、480℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が1〜5μmであることを特徴とする半導体電極構造。
(a)Alマトリックスの最大粒径が1μm以下
(b)ヒロック密度が1×10個/m未満
(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたAl合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Al合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Al合金膜は、500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が300nm〜5μmであることを特徴とする半導体電極構造。(a)Alマトリックスの最大粒径が1μm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が500nm〜5μmであることを特徴とする半導体装置用Al合金膜。(a)Alマトリックスの最大粒径が800nm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】 成膜温度、成膜圧力、還元ガスの使用量・使用割合等の成膜条件を設定することにより、所望の物性を有する利用範囲の広いNi膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 真空槽の中でSi基板を一定温度に保持してニッケルアルキルアミジナート(但し、アルキルは、メチル基、エチル基、ブチル基及びプロピル基から選ばれる。)とHとNHとをこの真空槽内に導入し、CVD法でNi膜を形成する方法であって、成膜温度が280℃より高く350℃以下であること。 (もっと読む)


【課題】多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1パルス期間に供給される第1反応物と、第2パルス期間に供給される第2反応物とを利用する原子層堆積(ALD)プロセスにより成膜する。まずシーリング層を低コンフォマリティーを有する条件で成膜し、ポアをブロックする。この後、接着層を高いコンフォマリティーを有する条件で成膜する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板17は、ターゲットに臨む上面側17aが、ステージ13に近接する位置である内周縁17cから、少なくとも上部防着板の下端16Eに重なる位置まで平坦面31で構成されている。こうした平坦面31は、例えば、水平面に対する角度θが5°〜20°の範囲で、内周縁17cからチャンバ11の内周面(側壁)11aに向かって広がる傾斜面であればよい。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ga,Snの内の1種または2種を合計で0.1〜1.5質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が120〜400μmであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の20%以下である。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


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