電気 | 基本的電気素子 | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 | 半導体装置またはその部品の製造または処理 | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 | ２１／２０〜２１／２６８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 | 電極用の導電または絶縁材料の析出 | 気体または蒸気からの析出，例．凝結

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【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。

【課題】本発明は、化学蒸着用の有機ルテニウム化合物として良好な成膜特性を備え、蒸気圧も高いものであって、さらに反応ガスに水素を用いた場合にも容易に成膜可能な有機ルテニウム化合物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、異性体１〜３の異性体をとりうるジカルボニル−ビス（５−メチル−２，４−ヘキサンジケトナト）ルテニウム（II）において、異性体２の含有率が３０質量％以上である有機ルテニウム化合物に関する。

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。

【課題】駆動電圧の低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】透明導電膜を有する半導体発光素子であって、前記透明導電膜は、酸化インジウム、酸化亜鉛、錫を含有し、前記透明導電膜中の錫の含有割合が１０〜６００ｐｐｍである半導体発光素子。

【課題】縦型のトランジスタにおいてゲートからシリサイドの位置を精度よく制御できるようにする。
【解決手段】柱状半導体１４の中央部には、その周囲を囲むように、ゲート絶縁膜９が形成され、さらに、ゲート絶縁膜９の周囲を囲むように、ゲート層６が形成されている。この柱状半導体１４の中央部、ゲート絶縁膜９、ゲート層６により、ＭＩＳ構造が形成されている。ゲート層６の上下には、第１絶縁膜４が形成されている。第１絶縁膜４は、柱状半導体１４にも接している。柱状半導体１４の側面には、シリサイド１８及びｎ型拡散層（不純物領域）１９が形成されている。シリサイド１８は、第１絶縁膜４によってセルフ・アラインされた位置に形成されている。

【課題】基板表面に形成された高アスペクト比の微細構造内の側面及び底面に、金属層を形成する際のカバレッジに優れた成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】微細構造が形成された基板表面４に、スパッタリングによって金属層を形成する成膜装置１であって、基板４と金属層の母材をなすターゲット５とを対向させて、両方を収納する内部空間を有するチャンバー２と、チャンバー２内を減圧する排気手段と、チャンバー２内にスパッタガスを導入するガス導入手段と、ターゲット５のスパッタ面５ａ前方に磁場を発生させる第一磁場発生手段６と、ターゲット５に負の直流電圧を印加する直流電源７と、ターゲット５から基板４へ向かう方向に磁場Ｂを発生させる第二磁場発生手段１０と、が少なくとも備えられたことを特徴とする成膜装置１。

【課題】 １μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット２とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、２００〜６００Ｗの範囲とする。

【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、ＴｉＷ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステン膜からなる配線層を形成する工程とを含む。

【課題】１枚の基板に１枚のメタルマスクを用いる場合のメタルマスクの膨張量を基板の膨張量に近づけて蒸着パターンの位置ズレを防止する。
【解決手段】支持体付きメタルマスク装置１００は、半導体基板１０２の複数のスクライブライン１０６を物理的に１枚のプレートで覆い、半導体基板と異なる線膨張係数を有し、複数のチップにそれぞれ対応する複数の所定のパターン１１２を複数の貫通孔として有し、複数の貫通孔を通じて半導体基板に金属を蒸着させる単一のメタルマスク１１０と、メタルマスクの線膨張係数と半導体基板の線膨張係数との間の線膨張係数、又は半導体基板と同一の線膨張係数を有し、複数のスクライブラインの少なくとも一部のスクライブラインに対応する格子部１１６を有する支持体１１４と、一部のスクライブライン内の少なくとも一部の領域において、メタルマスクと支持体とを接続する接合体とを備える。

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